The MISとは 意味・読み方・使い方
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「The MIS」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 702件
MIS type semiconductor device, comprising first MIS element (QW11) formed on the semiconductor substrate, utilizing either the drain (3) or the source (4) of the first MIS element (QW11) and the second MIS element (QR11) formed above the first MIS element (QW11).発音を聞く 例文帳に追加
半導体基板(1)の一主面に形成された第1のMIS素子(Qw11)と、この第1のMIS素子(Qw11)のドレイン(3)及びソース(4)領域のいずれか一方の領域をゲートとして用い、かつ前記第1のMIS素子(Qw11)の上部に積み重ね形成された第2のMIS素子(QR11)とを有したことを特徴とするMIS型半導体装置。 - 特許庁
A semiconductor device includes the n-type MIS transistor and the p-type MIS transistor.例文帳に追加
半導体装置は、n型MISトランジスタとp型MISトランジスタとを備えている。 - 特許庁
An identical chip has the n-type MIS transistor and the p-type MIS transistor.例文帳に追加
同一チップ内にN型MISトランジスタ及びP型MISトランジスタを有する。 - 特許庁
MIS type semiconductor device and the semiconductor random access memory device application発音を聞く 例文帳に追加
MIS型半導体装置およびこれを用いた半導体ランダムアクセスメモリ装置 - 特許庁
The semiconductor device includes an n-type MIS transistor and a p-type MIS transistor.例文帳に追加
半導体装置は、n型MISトランジスタ及びp型MISトランジスタとを備えている。 - 特許庁
The semiconductor device includes a first MIS transistor and a second MIS transistor.例文帳に追加
半導体装置は、第1のMISトランジスタと第2のMISトランジスタとを備える。 - 特許庁
To solve the problem: it is difficult to establish compatibility between the high reliability of an n-type MIS transistor and the high performance of a p-type MIS transistor when a sidewall width is the same in the n-type MIS transistor and the p-type MIS transistor.例文帳に追加
n型MISトランジスタとp型MISトランジスタとにおいてサイドウォール幅が同一である場合、n型MISトランジスタの高信頼性とp型MISトランジスタの高性能化を両立させることは難しい。 - 特許庁
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ウィキペディア英語版での「The MIS」の意味 |
THEMIS
出典:『Wikipedia』 (2011/07/21 18:33 UTC 版)
Weblio例文辞書での「The MIS」に類似した例文 |
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themis
taipans
mambas
sakis
whelks
terns
トートグ
tautogs
テグー
tejus
damselfishes
a plaything with which one trifles for pleasure
ぐぐれ
a wrinkle
「The MIS」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 702件
Please don't worry about the finer details of free vs mis-translation.例文帳に追加
細かい意訳誤訳は気にしないでください。 - Tatoeba例文
Please don't worry about the finer details of free vs mis-translation.発音を聞く 例文帳に追加
細かい意訳誤訳は気にしないでください。 - Tanaka Corpus
MIS TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
MIS型トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
MIS TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
MIS型半導体装置の製造方法 - 特許庁
MIS FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
MIS電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
In a CMIS element comprising an n-type MIS element and a p-type MIS element, in the n-type MIS element, a gate electrode 10 composed of a silicon nitride tantalic film is formed on a gate insulating film 9 composed of a hafnium aluminate film in the n-type MIS element.例文帳に追加
n型MIS素子とp型MIS素子を備えるCMIS素子において、n型MIS素子には、ハフニウムアルミネート膜よりなるゲート絶縁膜9上にケイ窒化タンタル膜よりなるゲート電極10を形成する。 - 特許庁
The invention uses a field-effect transistor FET including a MIS capacitor structure or MIS capacitor structure composed of a metallic layer, an insulating layer, and a semiconductor layer.例文帳に追加
本発明は、金属層、絶縁体層、半導体層より構成されるMISキャパシタ構造、或いは該MISキャパシタ構造を含む電界効果トランジスタFETを利用する。 - 特許庁
To provide an MIS-type FET which has low resistance, and is suitable for miniaturizing, easy to manufacture and proper for fine type whose gate length is approximately 0.2 μm or less and an SOI structure, and a method for manufacturing a semiconductor device of such an MIS-type FET or the like.例文帳に追加
低抵抗で、微細化に適し、製造が容易で、ゲート長が概ね0.2μm以下の微細な形式やSOI構造のものに好適なMIS型FET、及び、このようなMIS型FET等の半導体装置を製造する製造方法を提供する。 - 特許庁
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