くえん酸回路の英語

１つの集積回路製造プロセスでは、有機ケイ酸塩層は、反射防止皮膜（ＡＲＣ）として使用される。例文帳に追加

In one integrated circuit fabrication process, the organosilicate layer is used as an antireflective coating(ARC). - 特許庁

薄膜埋め込み酸化膜層を持つＦＤ−ＳＯＩを使用し、薄膜埋め込み酸化膜層の下層半導体領域をバックゲートとし、論理回路ブロックにおいてブロック中の負荷の軽い論理回路にはバックゲートの電圧をブロック活性化に合わせてブロック外から制御する。例文帳に追加

An FD-SOI having a thin-film buried oxide film layer is used, a lower-layer semiconductor region of the thin-film buried oxide film layer serves as a back gate, and in a logic circuit block, a voltage of the back gate is controlled from outside the block for a logic circuit with a light load in accordance with block activation. - 特許庁

金属層とポリイミドフィルムとの積層体を使用しての回路基板の製造方法において、ポリイミドフィルムをエッチング加工する際に、化学エッチング剤での処理後に化学エッチング剤による変性層を洗浄除去し、さらに酸性水溶液で処理するプロセスを有する回路基板の製造方法とこの方法によって得られる回路基板。例文帳に追加

The method of manufacturing the circuit board using the laminate of the metal layer and the polyimide film has a process for cleaning and removing, after a treatment with a chemical etching agent, an altered layer generated by the chemical etching agent and performing treatment with an acid aqueous solution when the polyimide film is subjected to an etching processing. - 特許庁

酸化膜の形成方法、半導体装置、半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置、ＳｉＣ基板の酸化方法とそれを用いたＳｉＣ−ＭＯＳ型半導体装置およびそれを用いたＳｉＣ−ＭＯＳ型集積回路、並びにＳｉＣ−ＭＯＳ型半導体装置およびＳｉＣ−ＭＯＳ型集積回路の製造装置例文帳に追加

METHOD OF FORMING OXIDE FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF OXIDIZING SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND SILICON CARBIDE MOS SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE MOS INTEGRATED CIRCUIT USING THE METHOD, AND APPARATUS FOR MANUFACTURING THE SILICON CARBIDE MOS SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE MOS INTEGRATED CIRCUIT - 特許庁

試作された半導体集積回路が所望の動作をした場合に、出荷用の半導体基板１５におけるフィールド酸化膜１７に囲まれた所定領域（実線部分のみから成る領域）にトランジスタの不純物拡散領域１６Ｐ、１６Ｎを形成して出荷用の半導体集積回路を製造する。例文帳に追加

For successful operation of the prototype semiconductor integrated circuit, the semiconductor integrated circuit for shipment is manufactured, by forming impurity diffusion region 16P and 16N of transistor in the prescribed region (region comprising only solid line part) which is enclosed by the field oxide film on the semiconductor wafer 15 for shipment. - 特許庁

本発明は、第１の電極と、第１の電極上に形成した五酸化タンタル層と、五酸化タンタル層上に形成した第１の障壁層と、第１の障壁層上に形成した第２の銅電極とを具備する、集積回路の金属−酸化物−金属（ＭＯＭ）コンデンサを提供する。例文帳に追加

A metal-oxide-metal(MOM) capacitor of an integrated circuit is provided with a first electrode, a tantalum pentoxide layer formed on the first electrode, a first barrier layer formed on the tantalum pentoxide layer, and a second copper electrode formed on the first barrier layer. - 特許庁

金属、金属酸化物、合金から選ばれる少なくとも１つの導体層と、樹脂層の密着を向上させるために、導体表面にシランカップリング剤が塗布されたプリント回路基板における密着性の分析方法であって、プリント回路基板に、酸化還元指示薬液を滴下し、変色を確認することで導体層と樹脂層の密着性を分析する。例文帳に追加

In an analysis method of adhesiveness of a printed circuit board wherein a silane coupling agent is applied on the conductor surface in order to improve adhesion between at least one conductor layer selected from a metal, a metal oxide and an alloy and a resin layer, oxidation-reduction indicator liquid is dropped onto the printed circuit board, and discoloration thereby is confirmed, to thereby analyze adhesiveness between the conductor layer and the resin layer. - 特許庁

粘着剤層がアクリル酸ジブチルとアクリル酸２−エチルヘキシルと酢酸ビニルとを共重合して得られた重量平均分子量５０００００〜２００００００の樹脂１００重量部と架橋剤２〜１５重量部からなることを特徴とするフレキシブル回路製造工程用粘着シート。例文帳に追加

This adhesive sheet for the production process of the flexible circuit is characterized in that an adhesive mass layer is composed of 100 pts.wt. of a resin prepared by copolymerizing dibutyl acrylate with 2-ethylhexyl acrylate and vinyl acetate and having 500,000-2,000,000 weight-average molecular weight and 2-15 pts.wt. of a cross-linking agent. - 特許庁