クロムマスクの英語

最小線幅１００ｎｍ以下のバイナリークロムマスクブランクス及びハーフトーン型位相シフトマスクブランクス及びその製造方法、並びに該マスクブランクスを用いたマスクの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a binary chromium mask blank and a halftone phase shift mask blank each having a minimum line width of ≤100 nm, and to provide a method of manufacturing the mask blank. - 特許庁

元のクロムマスク内で取得される寸法よりも寸法がより大きい高解像度パターンに対して、ＴＩＲホログラフィを利用できる方法及び装置を提示する。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for enabling application of TIR (total internal reflection) holography to a large high-resolution pattern whose dimensions are larger than those obtainable in the original chromium mask. - 特許庁

クロムマスクなどのバイナリマスク，または位相シフトマスクである半導体製造用マスク１００は，パターン転写領域１１０を有し，さらにパターン転写領域１１０にはパターン密集領域１１２が含まれている。例文帳に追加

The mask 100 for semiconductor manufacture as a binary mask such as a chromium mask or a phase shift mask has a pattern transfer area 110 and a pattern massed area 112 is included in the pattern transfer area 110. - 特許庁

ゲート領域に対応する位置に配置されるクロムマスク及びフィールドポリ領域に対応する位置に配置される位相反転マスクを含むトリムマスク。例文帳に追加

A trim mask comprises a chrome mask which is arranged on the position corresponding to a gate region and a phase inversion mask which is arranged on the position corresponding to a field poly region. - 特許庁

レベンソン型位相シフトマスクでない通常のクロムマスク又はハーフトーン位相シフトマスク等の一対のフォトマスク１，２を用いて２重露光を行い、フォトレジストにパターン転写する。例文帳に追加

Double exposure is performed by using a pair of photomasks 1 and 2 such as an ordinary chrome mask or a half-tone phase shift mask or the like which is not the Levenson type phase shift mask, and a pattern is transferred onto a photoresist. - 特許庁

クロム膜２が形成されたマスク基板３上に所定形状のレジストパターン１を形成し、レジストパターン１をフッ素系ガスを用いてプラズマ処理し、得られたレジストパターン４をマスクとして用いてクロム膜２をドライエッチングすることからなるクロムマスクの形成方法。例文帳に追加

A resist pattern 1 of a prescribed shape is formed on a mask substrate 3 with a formed chromium film 2 and subjected to a plasma treatment with a fluorine-containing gas and then the chromium film 2 is dry-etched using the resulting resist pattern 4 as a mask. - 特許庁

クロムマスクと同じ位置に紫外線を透過し、かつ、可視光を遮蔽する特性の光選択性膜を配置し、光学的制限を満足させると共に強度の強い入射光に対しても複屈折の発生を抑制し、シール材のＵＶ硬化を妨げない構造とする。例文帳に追加

To provide a structure where ultraviolet rays are transmitted to the same position as a chromium mask, a light selective film of characteristics for shielding visible light is arranged, the optical restriction is satisfied, occurrence of birefringence is suppressed also to incident light of strong intensity, and the UV curing of sealing material is not disturbed. - 特許庁

レーザダイオード３の発光時間制御を併用することで、クロムマスクの場合にｓ偏光だと生じる干渉による光量変動を、ｐ偏光成分の寄与によって低減することができ、安定した位置制御が可能となる。例文帳に追加

Emission time control of the laser diode 3 is jointly used, thereby, the fluctuation of light quantity due to the interference which occurs when s-polarization is used in the case of chrome mask can be reduced by the contribution of the p-polarization component and the stable positional control is made possible. - 特許庁