レジストはがれの英語

ネガレジストでは、露光光が照射された領域がレジストパターンとして残される。例文帳に追加

Regions on the negative resist shot with the exposing light are left as a resist pattern. - 特許庁

レジストの下層に設けることにより、レジストはがれがなくパターンの再現性を向上させ、アルカリおよびレジスト除去時の酸素アッシングに対して耐性を有するレジスト下層膜を得るための、保存安定性に優れたレジスト下層膜用組成物を提供することを目的としている。例文帳に追加

To provide a composition for a resist lower layer film excellent in storage stability for obtaining a resist lower layer film which suppresses resist peeling, improves reproducibility of a pattern, and has alkali resistance and resistance to oxygen ashing in resist removal, by disposal under a resist. - 特許庁

スリットノズル４１がレジスト液を吐出する場合には、駆動部８２０によりレジストポンプ８１を駆動してレジスト液を第１配管８５に吐出するとともに、駆動部８４０によりレジストポンプ８４０を駆動してレジスト液を第２配管８６に吐出する。例文帳に追加

When the slit nozzle 41 discharges the resist liquid, the resist liquid is discharged to the first pipeline 85 by driving the resist pump 81 by means of the driving section 820 and, at the same time, to the second pipeline 86 by driving the resist pump 83 by means of the driving section 840. - 特許庁

また、第２のレジスト剥離液によって溶解すべきレジスト量を大幅に低減することができるので、第２のレジスト剥離液のレジスト溶解能力が劣化しにくいようにすることができ、第２のレジスト剥離液の寿命を延ばすことができ、コストを低減することができる。例文帳に追加

The amount of the resist dissolved in the second resist separating liquid can be markedly reduced, so that the second resist separating liquid can be prevented from deteriorating in resist dissolving capacity, the second resist separating liquid can be elongated in service life, and the semiconductor device can be reduced in cost. - 特許庁

リソグラフィー工程に於ける露光前加熱処理後のレジスト膜に於いて、レジスト膜の膜厚が、３５０ｎｍ以下であり、且つレジスト膜中に残留する溶剤量が、レジスト膜に対して２．００〜１０．０体積％の範囲にあるレジスト膜及びその形成方法。例文帳に追加

The resist film after pre-exposure heat treatment in lithographic processes has ≤350 nm film thickness and 2.00 to 10.0 vol.% solvent content remaining in the resist film with respect to the resist film, and manufacturing method of the resist film. - 特許庁

未露光フォトレジストのタック性によるレジスト剥がれが裏面に関しては皆無となることから、裏面のめっき付着不良をなくすことができる。例文帳に追加

The tack properties of non-exposed photoresist absolutely prevent the resist peel-off in the back, thus eliminating the plating adhesion failures on the back. - 特許庁

フォトリソグラフィーを用いた半導体装置の製造において、金属膜とレジスト膜との密着性を一層向上し、レジストの剥がれを防止する。例文帳に追加

To improve adhesion between a metallic film and a resist film and prevent resist from peeling in manufacturing of a semiconductor device using photolithograpy. - 特許庁