介在成長の英語

その後、基板１０との間に熱分解層１１ｂを介在させた状態で下地層１１を種結晶として半導体層１２を選択的横方向成長する。例文帳に追加

After that, a semiconductor 12 is selectively grown in a horizontal direction while using the primary coat 11 as a seed crystal with the heat decomposition layer 11b between the substrate 10 and the primary coat 11. - 特許庁

本発明では、半導体層３より抵抗率が低い低抵抗層（例えば、エピタキシャル成長層）２が、半導体層３と基板１との間に介在している。例文帳に追加

A low-resistance layer (for example, epitaxially grown layer) 2, having a lower electrical resistivity than the semiconductor layer 3 has, is interposed between the layer 3 and substrate 1. - 特許庁

金属窒化層からなる下地層の上に低温成長バッファ層を介在させることなくIII族窒化物系化合物半導体層が形成されている半導体素子であって、前記金属窒化物層が赤茶色の窒化チタンからなる。例文帳に追加

Disclosed is the semiconductor element which has a group III nitride-based compound semiconductor layer formed on a substrate layer made of a metal nitride layer without interposing a low-temperature grown buffer layer, and the metal nitride layer is made of rufous titanium nitride. - 特許庁

ここで、酸化膜２と多孔質シリコン層４との間は互いに直接貼り合わせられるのではなく、間に成長シリコン層５を介在させることとすれば、酸化膜２に対するボンディング力を確保することができる。例文帳に追加

At this point, the oxide film 2 and the porous silicon layer 4 are not laminated directly, and a growth silicon layer 5 is interposed between them, by which the porous silicon layer 4 can be ensured of bonding strength to the oxide film 2. - 特許庁

また、当該中間層は、金属基材層と導電性炭素層との間に介在し、導電部材の積層方向に成長した柱状結晶からなる結晶構造を有する。例文帳に追加

Further, the middle layer intervenes between the metal base material layer and the conductive carbon layer, and includes a crystal structure made of columnar crystal growing in a laminated direction of the conductive member. - 特許庁

伸線加工に有害な介在物を生成させずに伸線加工後の熱処理時にオーステナイト粒径の成長を制御する伸線用鋼線およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To produce a steel wire for wire drawing in which the growth of austenitic grain size is controlled at the time of heat treatment after wire drawing without producing inclusions harmful for the wire drawing and to provide a method for producing the same. - 特許庁

結晶成長工程Ｐ１において、ＧａＡｓから成るコンタクト層２６とＡｌＧａＡｓから成るウインドウ層２２との間に、それらの層の間の中間的な割合のＡｌを含むＡｌＧａＡｓから成る中間層２４を介在させられている。例文帳に追加

In a crystal growth process P1, between a contact layer 26 consisting of GaAs and a window layer 22 consisting of AlGaAs, an intermediate layer 24 consisting of AlGaAs containing Al at ratio intermediate between the layers are interposed. - 特許庁

前記方法で製造した単結晶ＳｉＣ基板と炭素供給フィード基板とを対向配置し、その間にシリコンの極薄融液層を介在させつつ加熱することで、準安定溶媒エピタキシー法によって単結晶４Ｈ−ＳｉＣを液相エピタキシャル成長させる。例文帳に追加

The single crystal SiC substrate produced by the above method is disposed opposing to a carbon supply feed substrate and heated while making an ultrathin melt layer of silicon be present therebetween so as to epitaxially grow a single crystal 4H-SiC in a liquid phase by a metastable solvent epitaxy method. - 特許庁