「介在成長」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

サファイア基板と窒化物半導体層との間に低温バッファ層を介在させることなく、平坦で高品質の無極性窒化物半導体層を結晶成長させる。例文帳に追加

To crystal-grow a flat non-polarity nitride semiconductor layer having high quality without interposing a low-temperature buffer layer between a sapphire substrate and the nitride semiconductor layer. - 特許庁

サファイア基板と窒化物半導体層との間に低温バッファ層を介在させることなく、平坦で高品質の無極性窒化物半導体層を結晶成長させる窒化物半導体層の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a nitride semiconductor layer which crystal-grows a flat non-polarity nitride semiconductor layer having high quality without interposing a low-temperature buffer layer between a sapphire substrate and the nitride semiconductor layer. - 特許庁

その後、基板１０との間に熱分解層１１ｂを介在させた状態で下地層１１を種結晶として半導体層１２を選択的横方向成長する。例文帳に追加

After that, a semiconductor 12 is selectively grown in a horizontal direction while using the primary coat 11 as a seed crystal with the heat decomposition layer 11b between the substrate 10 and the primary coat 11. - 特許庁

本発明では、半導体層３より抵抗率が低い低抵抗層（例えば、エピタキシャル成長層）２が、半導体層３と基板１との間に介在している。例文帳に追加

A low-resistance layer (for example, epitaxially grown layer) 2, having a lower electrical resistivity than the semiconductor layer 3 has, is interposed between the layer 3 and substrate 1. - 特許庁

金属窒化層からなる下地層の上に低温成長バッファ層を介在させることなくIII族窒化物系化合物半導体層が形成されている半導体素子であって、前記金属窒化物層が赤茶色の窒化チタンからなる。例文帳に追加

Disclosed is the semiconductor element which has a group III nitride-based compound semiconductor layer formed on a substrate layer made of a metal nitride layer without interposing a low-temperature grown buffer layer, and the metal nitride layer is made of rufous titanium nitride. - 特許庁

ここで、酸化膜２と多孔質シリコン層４との間は互いに直接貼り合わせられるのではなく、間に成長シリコン層５を介在させることとすれば、酸化膜２に対するボンディング力を確保することができる。例文帳に追加

At this point, the oxide film 2 and the porous silicon layer 4 are not laminated directly, and a growth silicon layer 5 is interposed between them, by which the porous silicon layer 4 can be ensured of bonding strength to the oxide film 2. - 特許庁

また、当該中間層は、金属基材層と導電性炭素層との間に介在し、導電部材の積層方向に成長した柱状結晶からなる結晶構造を有する。例文帳に追加

Further, the middle layer intervenes between the metal base material layer and the conductive carbon layer, and includes a crystal structure made of columnar crystal growing in a laminated direction of the conductive member. - 特許庁

伸線加工に有害な介在物を生成させずに伸線加工後の熱処理時にオーステナイト粒径の成長を制御する伸線用鋼線およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To produce a steel wire for wire drawing in which the growth of austenitic grain size is controlled at the time of heat treatment after wire drawing without producing inclusions harmful for the wire drawing and to provide a method for producing the same. - 特許庁

結晶成長工程Ｐ１において、ＧａＡｓから成るコンタクト層２６とＡｌＧａＡｓから成るウインドウ層２２との間に、それらの層の間の中間的な割合のＡｌを含むＡｌＧａＡｓから成る中間層２４を介在させられている。例文帳に追加

In a crystal growth process P1, between a contact layer 26 consisting of GaAs and a window layer 22 consisting of AlGaAs, an intermediate layer 24 consisting of AlGaAs containing Al at ratio intermediate between the layers are interposed. - 特許庁

前記方法で製造した単結晶ＳｉＣ基板と炭素供給フィード基板とを対向配置し、その間にシリコンの極薄融液層を介在させつつ加熱することで、準安定溶媒エピタキシー法によって単結晶４Ｈ−ＳｉＣを液相エピタキシャル成長させる。例文帳に追加

The single crystal SiC substrate produced by the above method is disposed opposing to a carbon supply feed substrate and heated while making an ultrathin melt layer of silicon be present therebetween so as to epitaxially grow a single crystal 4H-SiC in a liquid phase by a metastable solvent epitaxy method. - 特許庁

Ｓｉ単結晶基板２上にアモルファスを含む厚さ３〜２０ｎｍの第１ＳｉＣ層３及び多数のβ−ＳｉＣ成長核からなる厚さ１０〜５０ｎｍの第２ＳｉＣ層４を順に介在して厚さ１μｍ以上のβ−ＳｉＣ単結晶薄膜５が形成されている。例文帳に追加

The semiconductor is constituted so that a 1 μm or more-thick β-SiC single crystalline thin film 5 is formed on an Si single crystalline substrate 2 by interposing a 3 to 20 nm-thick first SiC layer 3 containing amorphous and a 10 to 50 nm-thick second SiC layer 4 consisting of a number of β-SiC growth nucleuses one by one. - 特許庁

この際に、ガリウム原料に対する窒素原料の割合（モル比）であるＶ／III比が１０００以上の条件を用い、前記Ｖ／III比が１０００未満の条件を用いることなく、また、ＧａＮ単結晶基板１の表面に、バッファ層を介在させることなく、ＧａＮ半導体層２を成長させる。例文帳に追加

The GaN semiconductor layer 2 is grown without using conditions of a V/III ratio less than 1,000 and without interposing a buffer layer on the surface of the GaN monocrystal board 1 by using conditions of the V/III ratio of 1,000 or more as the ratio (a mole ratio) of a nitrogen raw material to a gallium raw material in this case. - 特許庁

炭化珪素単結晶成長用の種結晶と種結晶台座との接触界面に不純物の介在を防ぎ、線状貫通欠陥の発生を抑制することのできる種結晶固定方法並びに単結晶製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for fixing a seed crystal and a method for manufacturing a single crystal by which impurities are prevented from being present on the contact interface between a seed crystal for growing a silicon carbide single crystal and a seed crystal mount and the occurrence of a linear penetrating defect can be suppressed. - 特許庁

Ｓｉ基板直上に、バッファー層として例えばＩｎ_2 Ｓ_3 、ＡｌＩｎＳ_3 、ＣｅＩｎＳ_3 、ＬａＩｎＳ_3 、ＣａＩｎ_2 Ｓ_4 、ＭｇＩｎ_2 Ｓ_4 、ＭｎＩｎ_2 Ｓ_4 、ＢａＩｎ_2 Ｓ_4 、ＭｇＳ、ＣａＳ、ＭｎＳ等の金属硫化物を介在させ、酸化物薄膜をエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

A oxide thin film is epitaxially grown on such a metal sulfide placed directly on the surface of a Si substrate as a buffering layer as In2S3, AlInS3, CeInS3, LaInS3, CaIn2S4, MgIn2S4, MnIn2S4, BaIn2S4, MgS, CaS, and MnS. - 特許庁

中枢神経系の成長および／または修復を阻害する他の因子の効果をブロックまたは減少させる環状ペプチドおよびペプチド模倣体、これらの化合物を含有する医薬組成物および他の配合物を投与する方法及び、これらの環状ペプチドおよびペプチド模倣体を用いて、ニューロンの成長、生存および回復、軸索成長、神経突起成長、並びにシナプス可塑性を含む、Trk介在活性を調節するための方法。例文帳に追加

Cyclic peptides and peptidomimetics that block or reduce the effect of other factors inhibiting growth and/or repair of the central nervous system, methods for administering pharmaceutical compositions and other formulations comprising these compounds, and methods for modulating Trk mediated activities, including neuronal growth, survival and recover, axonal growth, neurite outgrowth, and synaptic plasticity, by using these cyclic peptides and peptidomimetics, are also provided. - 特許庁

ＣＶＤ法により炭化珪素単結晶３を製造する方法であって、炭化珪素の結晶１上にシリコン融液層２を介在させ、シリコン融液層２を介してアセチレン又はエチレン濃度１〜４０ｖｏｌ％であって、原料気体を構成する各ガスの熱分解時のエンタルピーの総和が負の値となる原料気体を供給して、炭化珪素の結晶３を成長させる。例文帳に追加

This is a manufacturing method of silicon carbide single crystal 3 by CVD method, and a crystal of silicon carbide 3 is grown by laying a silicon melt solution layer 2 on a silicon carbide crystal 1, and by supplying a feed gas comprising 1-40 vol.% acetylene or ethylene concentration and whose total enthalpy of constituting gases at thermal decomposition is negative via a silicon melt layer 2. - 特許庁

有機ＥＬ構造体とカラーフィルタ層を含む下地層との間にガスバリア層を介在させてなるカラー有機ＥＬディスプレイにおいて、下地層に含まれる水分や有機物などのガスがガスバリア層のピンホールを通して有機化合物層中に拡散することでダークスポット部が発生したとしても、そのダークスポット部の成長を抑制する。例文帳に追加

To suppress growth of a dark spot portion even if the dark spot portion is generated by diffusion of gas such as moisture and an organic substance contained in a foundation layer through a pinhole of a gas barrier layer, in a color organic EL display which is formed by interposing the gas barrier layer between an organic EL structure and the foundation layer containing a color filter. - 特許庁

化合物半導体基板は、Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘＢ_２単結晶基板１上に、ＧａＮ系化合物半導体層３を、間にＺｒ_ｘＴｉ_１−ｘＢ_２単結晶基板１からのＢ，Ｚｒ，Ｔｉの少なくとも１種と、ＧａＮ化合物半導体層３からのＧａ及びＮの少なくとも１種とを含む反応層２を介在させてエピタキシャル成長させた。例文帳に追加

The compound semiconductor substrate is manufactured by forming a CaN compound semiconductor layer 3 on a Zr_XTi_1-XB_2 single-crystal substrate 1 by epitaxial growth via an interposed reactive layer 2, containing at least one of B, Zr, and Ti from the Zr_XTi_1-XB_2 single-crystal substrate 1 and at least one of Ga and N from the CaN compound semiconductor layer 3. - 特許庁

基板１上に成長した転位を含む第一の窒化物系化合物半導体層３と、前記第一の窒化物系化合物半導体層よりも少ない転位を含む第二の窒化物系化合物半導体層５との間に、欠陥抑制物質層であるシリコン層４を介在させて窒化物系化合物半導体基材１０を製造する。例文帳に追加

A silicon layer 4 as a defect suppressing substance layer is provided between a first nitride-based compound semiconductor layer 3 containing dislocations grown on a substrate 1, and a second nitride-based compound semiconductor layer 5 containing dislocations less than the first nitride-based compound semiconductor layer to manufacture a nitride-based compound semiconductor base material. - 特許庁