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Gibbs free energyとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 ギブズ自由エネルギー、Gibbs自由エネルギー


機械工学英和和英辞典での「Gibbs free energy」の意味

Gibbs free energy


「Gibbs free energy」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 8



例文

The fuel for the fuel cell system is such one that the molar average value of the Gibbs free energy for the total component at 25°C is100 kJ/mol, comprising30 mol% of a component with ≤30 kJ/mol in Gibbs free energy at 25°C and ≤40 mol% of a component with ≥100 kJ/mol in Gibbs free energy at 25°C.例文帳に追加

全成分の25℃におけるギブス自由エネルギーのモル平均値が100kJ/モル以下で、25℃におけるギブス自由エネルギーが30kJ/モル以下の成分が30モル%以上、かつ25℃におけるギブス自由エネルギーが100kJ/モル以上の成分が40モル%以下である燃料電池システム用燃料。 - 特許庁

The gate electrode comprises a first metal while the metal oxide layer comprises a second metal where gibbs standard free energy is reduced more than the first metal at the formation of oxide.例文帳に追加

前記ゲート電極は第1の金属から構成され、前記金属酸化物層は、前記第1の金属よりも酸化物形成時のギブス標準自由エネルギーの低下量の大きい第2の金属を含むことを特徴とする。 - 特許庁

This is an electron emitting source which comprises a carbon system substance having a metal carbide formed of a metal or its compound which has a negative value of Gibbs free energy in the metal carbide formation reaction at a temperature of 1500 K or less, or a surface coating film made of its compound.例文帳に追加

1500K以下の温度で金属炭化物形成反応のギブズ自由エネルギーが負の値を持つ金属またはその化合物から形成された金属炭化物、またはその化合物からなる表面コーティング膜を有するカーボン系物質を含む電子放出源である。 - 特許庁

A starting material is preferably an oxide M-Fe-O powder which includes such a metal element M that ΔG^O of the oxide, which is a free energy of formation (per oxygen molecule 1 mol) by Gibbs, satisfies a relation of ΔG^O_M-O<ΔG^O_Fe-O.例文帳に追加

酸化物のギブスの生成自由エネルギー(酸素分子1モルあたり)のΔG^OがΔG^O_M−O<ΔG^O_Fe−Oの関係を満たす金属元素Mを含んだ酸化物M−Fe−O粉末が出発原料であることが望ましい。 - 特許庁

Surface roughness of the magnetic recording medium 1 can be reduced to surface roughness of the non-magnetic glass substrate or less by selecting the oxide material based on the Gibbs free energy value, the magnetic recording medium having a surface roughness of 0.3 nm or less can be obtained as result.例文帳に追加

ギブス自由エネルギーの値に基づき酸化物材料を選択することにより、磁気記録媒体1の表面粗さを非磁性ガラス基板の表面粗さ以下に低減でき、表面粗さRaが0.3nm以下の磁気記録媒体を得ることができる。 - 特許庁

A substrate with a surface roughness Ra of 0.3 nm or less is used as a non-magnetic glass substrate for the magnetic recording medium 1, a magnetic recording layer 5 of granular structure formed on the substrate uses Ta_2O_5 having a Gibbs free energy value of -800 kj/mol or more is used as an oxide material for CoCrPt alloy.例文帳に追加

磁気記録媒体1の非磁性ガラス基板として表面粗さRaが0.3nm以下のものを用い、その上に形成されるグラニュラー構造の磁気記録層5を、CoCrPt合金に、酸化物材料としてギブス自由エネルギーの値が−800kJ/molより大きなTa_2O_5を用いた。 - 特許庁

例文

The core 25 has a columnar portion formed by bundling a plurality of wire rods 10 for core each consisting of an iron core material 12, and an insulation coating 16 composed of an oxide film for forming the coating having Gibbs free energy lower than that of iron and covering the surface of the core material.例文帳に追加

コア25は、鉄から成る芯材12と、ギブスの自由エネルギが鉄よりも小さい被膜形成材の酸化膜から成り芯材の表面を覆っている絶縁被膜16とから成る複数本のコア用線材10が束ねられ、円柱部を有する。 - 特許庁

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JST科学技術用語日英対訳辞書での「Gibbs free energy」の意味

Gibbs’ free energy


ライフサイエンス辞書での「Gibbs free energy」の意味

Gibbs free energy


Weblio英和対訳辞書での「Gibbs free energy」の意味

Gibbs free energy

Weblio英和対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

Wiktionary英語版での「Gibbs free energy」の意味

Gibbs free energy

語源

For Josiah Willard Gibbs, American physicist.

名詞

Gibbs free energy (uncountable)

  1. (physics, chemistry, thermodynamics) The difference between the enthalpy of a system and the product of its entropy and absolute temperature: a measure of the useful work obtainable from a thermodynamic system at constant temperature and pressure.
    and where G is Gibbs free energy, H is enthalpy, T is temperature, and S is entropy.

「Gibbs free energy」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 8



例文

In the laminated dielectric element 1 where the dielectric ceramic layer 11 and an electrode layer 2 are alternately laminated for sintering integrally, the electrode layer 2 is made of a conductive base metal material where standard Gibbs free energy in metallic oxide generation at the sintering temperature is lager than that of a ceramic material for mainly composing the dielectric ceramic layer 11.例文帳に追加

誘電セラミック層11と電極層2とを交互に積層して一体焼成してなる積層型誘電素子1において,電極層2は主に誘電セラミック層11を構成するセラミック材料よりも,焼成温度における金属酸化物生成の標準ギブズ自由エネルギーが大きい導電性卑金属材料からなる。 - 特許庁

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