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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > JST科学技術用語日英対訳辞書 > extreme ultraviolet wavelengthの意味・解説 

extreme ultraviolet wavelengthとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 極端紫外域


JST科学技術用語日英対訳辞書での「extreme ultraviolet wavelength」の意味

extreme ultraviolet wavelength


「extreme ultraviolet wavelength」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 18



例文

This generates a high-temperature plasma that emits extreme ultraviolet light of wavelength of 13.5 nm.例文帳に追加

これにより高温プラズマが発生し波長13.5nmの極端紫外光が放射される。 - 特許庁

SHORT WAVELENGTH LIGHT SOURCE DEVICE OF EXTREME ULTRAVIOLET LIGHT OR SOFT X-RAY RANGE, AND METHOD FOR GENERATING SHORT WAVELENGTH LIGHT OF EXTREME ULTRAVIOLET LIGHT OR SOFT X-RAY RANGE例文帳に追加

極端紫外光または軟X線領域の短波長光光源装置および極端紫外光または軟X線領域の短波長光発生方法 - 特許庁

To enhance the light transmittance of a resist layer in the wavelength range of extreme-ultraviolet radiation EUV and to attain micro-fabrication.例文帳に追加

極紫外線EUVの波長領域におけるレジスト層の光透過率を向上し、これまで以上の極微細加工を可能とする。 - 特許庁

To provide a radiation source capable of short wavelength emission like extreme ultraviolet emission for use by lithography.例文帳に追加

リソグラフィで使用するために、極端紫外放射などの短い波長の放射を発生させる放射ソースを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing technology of a semiconductor device using a defective modification technology of a reflective mask which lets extreme ultraviolet (EUV) light having the wavelength of near 13.5 nm be an exposure light source.例文帳に追加

波長が13.5nm付近の極端紫外(Extreme Ultra Violet:EUV)光を露光光源とする反射型マスクの欠陥修正技術を利用した半導体装置の製造技術を提供する。 - 特許庁

The extreme ultraviolet light using device includes a processing chamber, an extreme ultraviolet light source arranged inside the processing chamber and generating a wavelength of 100 nm or shorter, the reflecting optical member housed in the processing chamber and reflecting the extreme ultraviolet light, and a cleaning mechanism removing the carbon contamination in the reflecting optical member by an active species generated by reacting unsaturated hydrocarbon with ozone in the processing chamber.例文帳に追加

処理室と、前記処理室の内部に配置され、100nm以下の波長を発生する極端紫外光源と、前記処理室に収容され、前記極端紫外光を反射する反射光学部材と、処理室内において不飽和炭化水素とオゾンとを反応させて発生した活性種によって反射光学部材の炭素汚染をクリーニングするクリーニング機構とを備える。 - 特許庁

例文

To provide a reflective optical element of a wavelength range from ultraviolet to extreme ultraviolet, having on a substrate a reflective face provided with a multi-layer system having layers of at least two alternating materials, and a projection/exposure device.例文帳に追加

少なくとも2つの交互材料の層を有する多層系を備えた反射面を基板上に含む紫外から極紫外までの波長範囲の反射光学要素、及び投影露光装置を提供する。 - 特許庁

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「extreme ultraviolet wavelength」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 18



例文

The plurality of multilayer film reflecting mirrors are arranged along the optical path of electromagnetic waves, and reflection wavelength characteristics differ at a wavelength region other than the extreme ultraviolet region in at least two multilayer film reflecting mirrors.例文帳に追加

複数の前記多層膜反射鏡は、前記電磁波の光路に沿ってそれぞれ配置され、少なくとも2つの前記多層膜反射鏡の前記極端紫外域以外の波長域における反射波長特性が相互に異なる。 - 特許庁

To enable an ultra-microfabrication exceeding the conventional techniques and using a resist material having low absorption in the wavelength region of extreme-ultraviolet radiation (EUV) while ensuring etching resistance by using a specified polymeric material.例文帳に追加

特定の高分子材料を用いることにより、エッチング耐性を確保しつつ極紫外線(EUV)の波長領域での吸収の小さいレジスト材料を用い、これまで以上の極微細加工を可能とする。 - 特許庁

This resist film 11 is selectively irradiated with extreme-ultraviolet radiation 12 having a wavelength of 1 to 30 nm band to carry out patternwise exposure and the patternwise exposed resist film 11 is developed to form the objective resist pattern 14.例文帳に追加

レジスト膜11に対して、1nm帯〜30nm帯の波長を持つ極紫外線12を選択的に照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜11を現像してレジストパターン14を形成する。 - 特許庁

To provide a reflective mask blank for extreme ultraviolet (EUV) lithography in which the mask has low reflectance in a wavelength range of EUV light and pattern inspection light and has an absorbent layer that is easily controlled to a desired film composition and a film thickness.例文帳に追加

EUV光およびパターン検査光の波長域の反射率が低く、かつ該所望の膜組成および膜厚に制御することが容易な吸収体層を有するEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクの提供。 - 特許庁

The low fuel consumption for the high combustible output is attempted by burning the circulating air-fuel mixture and air by ionizing it in high density by arranging an extreme ultraviolet radiation radiator capable of radiating extreme ultraviolet radiation central wavelength of which is 184.9 nm uniformly in the air-fuel mixture or the air circulating in the gasoline engine or in the inside of an intake manifold of the diesel engine.例文帳に追加

ガソリンエンジン若しくはディーゼルエンジンのインテークマニホールド内を流通する混合気若しくは空気に、均等に且その中心波長が184.9nmの遠紫外線を放射しえる遠紫外線放射体を配設せしめ、流通する混合気や空気を高密度にイオン化させて燃焼させることにより、高燃焼性出力に伴う低燃費化を図る。 - 特許庁

When the radiation intensity distribution of light having a wavelength longer than the extreme ultraviolet light varies, positioning (alignment) or the like of a discharge portion and the condenser mirror is carried out by recognizing the shift of an optical axis as a cause of the variation of the radiation intensity distribution.例文帳に追加

また、極端紫外光よりも長波長の光の放射強度分布も変化している場合は、放射強度分布変化の原因は光軸のずれが生じているためであるとして、放電部と集光鏡の位置合せ(アライメント)等を行なう。 - 特許庁

To find new possibility for generating extreme ultraviolet rays based on plasma radiating radiant rays wherein technical and financial loads for plasma generation are not practically increased, and the radiation output of an EUV source is increased in a wavelength region higher than the L absorption edge of silicon.例文帳に追加

プラズマ発生のための技術的及び金銭的な負担が実質的に増加されず、EUV源の放出出力がシリコンのL吸収端よりも高い波長領域内で増加される、放射線放出するプラズマを基礎にして極紫外放射線を発生させるための新たな可能性を見つけること。 - 特許庁

例文

The method includes the steps of: accommodating the reflecting optical member deposited with the carbon contamination and reflecting an extreme ultraviolet ray having a wavelength of 100 nm or shorter in a processing chamber; and exposing the reflecting optical member to an atmosphere containing an active species generated by reacting unsaturated hydrocarbon with ozone gas in the processing chamber.例文帳に追加

炭素汚染物が付着し、波長が100nm以下の極端紫外線を反射する反射光学部材を、処理室内に収容する工程と、前記処理室内において前記反射光学部材を不飽和炭化水素とオゾンガスとを反応させて発生させた活性種を含む雰囲気中に曝す工程とを設ける。 - 特許庁

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