force free fieldとは 意味・読み方・使い方

Using a spin electromotive force resulting from the movement of a magnetic wall in the magnetization free part, a change in the external magnetic field is detected.例文帳に追加

磁化自由部中の磁壁の移動に伴うスピン起電力を用いて外部磁界の変化を検出する。 - 特許庁

The cantilever 15 of a near-field Raman spectroscopic system 40 is the general cantilever of an atomic force microscope and includes the near-field probe 10 at the leading end of the free end.例文帳に追加

近接場ラマン分光システムのカンチレバー１５は、一般的な原子間力顕微鏡のカンチレバーであって、その自由端の先端に近接場プローブ１０を備えている。 - 特許庁

When the external magnetic field for reproduction is applied in the state (C) in the direction shown by the arrow FR, all of the magnetic layer 10 for control, free layer 12, and pin layer 16 have the magnetization direction opposite to the external magnetic field FR and the magnetization direction of the free layer 12 having small coercive force is inverted.例文帳に追加

（Ｃ）の状態で矢印ＦＲの再生用外部磁界を印加した場合は、制御用磁性層１０，フリー層１２，ピン層１６のいずれも、外部磁界ＦＲと磁化方向が逆となり、保磁力の小さいフリー層１２は磁化方向が逆転する。 - 特許庁

To enable toner-developing in a small developing electrical field free from an aerial discharge by reducing an inter-molecular force and an image- force working between toner and a developing roller.例文帳に追加

トナーと現像ローラとの間に働く分子間力および鏡像力を低下させ、気中放電の生じない小さい現像電界でトナー現像を行えるようにする。 - 特許庁

Thus, ΔRA similar to that in the case of using a CoMnGe alloy is obtained, and the coupling magnetic field Hin and coercive force Hc of the free magnetic layer 6 are made to be small.例文帳に追加

これにより、ＣｏＭｎＧｅ合金を使用した場合と同様のΔＲＡを得ることが出来るとともに、カップリング結合磁界Ｈｉｎやフリー磁性層６の保磁力Ｈｃを小さくできる。 - 特許庁

The magnetic leakage field of the magnetic circuit element 44 itself permits a magnetic flux linkage with the guiding steel shaft 421, creates a magnetic preloading force, and cancels a free run-out caused by tolerance gap between the dynamic element and the non-dynamic element.例文帳に追加

磁気回路素子４４自身の漏磁場により、導引スチール軸４２１と磁束鎖交し、予圧磁力を生成し、動素子と非動素子間の公差ギャップにより生じる自由ランアウトを消去する。 - 特許庁

According to this method, the resistance changing rate (ΔR/R) can be raised compared with before while maintaining the low RA and the coercive force of the free magnetic layer 8 can be kept in the low condition as before while the interlayer connecting magnetic field Hin can be made smaller than before further.例文帳に追加

これにより、低いＲＡを維持したまま、従来に比べて抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を高く出来、また、フリー磁性層８の保磁力を従来と同様に低い状態に保ち、さらには、層間結合磁界Ｈｉｎを従来より小さくできる。 - 特許庁