n-type germaniumとは 意味・読み方・使い方

To selectively form a silicon-germanium layer by a p-type MOSFET region and an n-type MOSFET region.例文帳に追加

ｐ型ＭＯＳＦＥＴ領域とｎ型ＭＯＳＦＥＴ領域とで、選択的にシリコン・ゲルマニウム層を形成する。 - 特許庁

The water modifier is composed of: a first electrode 11, a second electrode 12, a p type germanium small grain layer 14, and an n type germanium small grain layer 15 provided in a water passage; and a d.c. voltage applying means provided at the outside of the water passage.例文帳に追加

通水路中に設けられた第１の電極１１、第２の電極１２、ｐ型ゲルマニウム小粒層１４、ｎ型ゲルマニウム小粒層１５および通水路外に設けられた直流電圧印加手段とより成る。 - 特許庁

Moreover, the opening 7A comprises, on the n^--type silicon layer 8 and the n^+-type silicon layer 8a, a p^+-type poly crystal silicon germanium film 9B led out in the lateral direction on the surface of a nitride film 7, and a poly crystal silicon film 10B on the surface of this silicon germanium film 9B.例文帳に追加

さらに、ｎ^-型シリコン層８およびｎ^+型シリコン層８ａの上に、窒化膜７の表面において横方向に引出されるｐ型の多結晶のシリコンゲルマニュウム膜９Ｂ、およびこのシリコンゲルマニュウム膜９Ｂの表面に多結晶のシリコン膜１０Ｂを有する。 - 特許庁

To provide an accessary for improving an activation effect on cells using reduction properties of electrons of an n-type germanium semiconductor and enhancing a physiological activation effect of germanium ions by promoting osmosis properties of the germanium ions into a human body.例文帳に追加

ｎ‐型ゲルマニウム半導体の電子の還元性を利用した細胞の賦活効果を向上させるとともに、ゲルマニウムイオンの体内への浸透性を促進させて、ゲルマニウムイオンによる生理活性効果を高めた装身具を提供する。 - 特許庁

The NPN transistor having an epitaxial region in an N-type silicon/P-type silicon germanium/N-type silicon structure and the PNP transistor having an epitaxial region in a P-type silicon/N-type silicon germanium/P-type silicon structure are formed in the silicon wafer after an element separation oxidized film is formed.例文帳に追加

素子分離酸化膜形成後のシリコン基板に、Ｎ型シリコン／Ｐ型シリコンゲルマニウム／Ｎ型シリコンの構造のエピタキシャル領域を有するＮＰＮトランジスタと、Ｐ型シリコン／Ｎ型シリコンゲルマニウム／Ｐ型シリコンの構造のエピタキシャル領域を有するＰＮＰトランジスタを形成する。 - 特許庁

The p+ type layer D1 is composed of a silicon-germanium mixture (Si_1-xGe_x (0<x≤1)), and the n- type layer D2 and n+ type layer D3 are constructed with silicon (Si).例文帳に追加

ｐ＋型層Ｄ１はシリコン−ゲルマニウム混合物（Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（０＜ｘ≦１））で構成され、ｎ−型層Ｄ２、ｎ＋型層Ｄ３はシリコン（Ｓｉ）で構成されている。 - 特許庁

Further, the impurity concentration of an n-type distorted silicon layer 28a and an n-type silicon-germanium layer is ≤1×10^19 cm^-3 in the location under the end of a gate electrode 26 wherein misfit dislocation occurs.例文帳に追加

また、ゲート電極２６の端部下のミスフィット転位が発生している場所において、ｎ型歪シリコン層２８ａおよびｎ型シリコン−ゲルマニウム層の不純物濃度は１×１０^19ｃｍ^-3以下になっている。 - 特許庁

Between a P type base layer 5 consisting of silicon and an N- type base layer 3, a P type carrier blocking layer consisting of a composition of germanium having a band gap narrower than that of silicon, and silicon.例文帳に追加

シリコンからなるＰ型ベース層５とＮ−型ベース層３の間にシリコンよりバンドギャップの狭いゲルマニュームとシリコンの組成物からなるＰ型キャリア阻止層を形成する。 - 特許庁