「n-type germanium」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The semiconductor device is provided with an n-type silicon substrate 1, an n-type silicon layer 2, a silicon/germanium superlattice layer 5 where Be doped silicon germanium layers 3 and i-type silicon layers 4 are laminated, a p-type silicon layer 6, a p-side electrode 7, and an n-side electrode 8.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、ｎ型シリコン基板１と、ｎ型シリコン層２と、Ｂｅドープシリコンゲルマニウム層３およびｉ型シリコン層４を積層したシリコン／シリコンゲルマニウム超格子層５と、ｐ型シリコン層６と、ｐ側電極７と、ｎ側電極８とを備える。 - 特許庁

The n-type FinFET includes a first germanium fin over a substrate; a first gate dielectric on a top surface and sidewalls of the first germanium fin; and a first gate electrode on the first gate dielectric.例文帳に追加

n型FinFETは、基板上の第一ゲルマニウムフィン、第一ゲルマニウムフィンの上面と側壁上の第一ゲート誘電体、及び、第一ゲート誘電体上の第一ゲート電極からなる。 - 特許庁

To selectively form a silicon-germanium layer by a p-type MOSFET region and an n-type MOSFET region.例文帳に追加

ｐ型ＭＯＳＦＥＴ領域とｎ型ＭＯＳＦＥＴ領域とで、選択的にシリコン・ゲルマニウム層を形成する。 - 特許庁

The water modifier is composed of: a first electrode 11, a second electrode 12, a p type germanium small grain layer 14, and an n type germanium small grain layer 15 provided in a water passage; and a d.c. voltage applying means provided at the outside of the water passage.例文帳に追加

通水路中に設けられた第１の電極１１、第２の電極１２、ｐ型ゲルマニウム小粒層１４、ｎ型ゲルマニウム小粒層１５および通水路外に設けられた直流電圧印加手段とより成る。 - 特許庁

Moreover, the opening 7A comprises, on the n^--type silicon layer 8 and the n^+-type silicon layer 8a, a p^+-type poly crystal silicon germanium film 9B led out in the lateral direction on the surface of a nitride film 7, and a poly crystal silicon film 10B on the surface of this silicon germanium film 9B.例文帳に追加

さらに、ｎ^-型シリコン層８およびｎ^+型シリコン層８ａの上に、窒化膜７の表面において横方向に引出されるｐ型の多結晶のシリコンゲルマニュウム膜９Ｂ、およびこのシリコンゲルマニュウム膜９Ｂの表面に多結晶のシリコン膜１０Ｂを有する。 - 特許庁

To provide an accessary for improving an activation effect on cells using reduction properties of electrons of an n-type germanium semiconductor and enhancing a physiological activation effect of germanium ions by promoting osmosis properties of the germanium ions into a human body.例文帳に追加

ｎ‐型ゲルマニウム半導体の電子の還元性を利用した細胞の賦活効果を向上させるとともに、ゲルマニウムイオンの体内への浸透性を促進させて、ゲルマニウムイオンによる生理活性効果を高めた装身具を提供する。 - 特許庁

The NPN transistor having an epitaxial region in an N-type silicon/P-type silicon germanium/N-type silicon structure and the PNP transistor having an epitaxial region in a P-type silicon/N-type silicon germanium/P-type silicon structure are formed in the silicon wafer after an element separation oxidized film is formed.例文帳に追加

素子分離酸化膜形成後のシリコン基板に、Ｎ型シリコン／Ｐ型シリコンゲルマニウム／Ｎ型シリコンの構造のエピタキシャル領域を有するＮＰＮトランジスタと、Ｐ型シリコン／Ｎ型シリコンゲルマニウム／Ｐ型シリコンの構造のエピタキシャル領域を有するＰＮＰトランジスタを形成する。 - 特許庁

The p+ type layer D1 is composed of a silicon-germanium mixture (Si_1-xGe_x (0<x≤1)), and the n- type layer D2 and n+ type layer D3 are constructed with silicon (Si).例文帳に追加

ｐ＋型層Ｄ１はシリコン−ゲルマニウム混合物（Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（０＜ｘ≦１））で構成され、ｎ−型層Ｄ２、ｎ＋型層Ｄ３はシリコン（Ｓｉ）で構成されている。 - 特許庁

Further, the impurity concentration of an n-type distorted silicon layer 28a and an n-type silicon-germanium layer is ≤1×10^19 cm^-3 in the location under the end of a gate electrode 26 wherein misfit dislocation occurs.例文帳に追加

また、ゲート電極２６の端部下のミスフィット転位が発生している場所において、ｎ型歪シリコン層２８ａおよびｎ型シリコン−ゲルマニウム層の不純物濃度は１×１０^19ｃｍ^-3以下になっている。 - 特許庁

Between a P type base layer 5 consisting of silicon and an N- type base layer 3, a P type carrier blocking layer consisting of a composition of germanium having a band gap narrower than that of silicon, and silicon.例文帳に追加

シリコンからなるＰ型ベース層５とＮ−型ベース層３の間にシリコンよりバンドギャップの狭いゲルマニュームとシリコンの組成物からなるＰ型キャリア阻止層を形成する。 - 特許庁

The source drain electrodes 150 comprise silicon germanium layers 111 formed at respective recessed parts 100a provided in the n-type semiconductor region 100, at least to the depth of a channel region from the bottom part thereof, carbon doped silicon germanium layers 112 formed thereupon and containing carbon and germanium of concentration lower than the germanium concentration of the silicon germanium layers, and metal silicide layers 115 formed thereupon.例文帳に追加

ソースドレイン電極１５０は、ｎ型半導体領域１００に設けられた各リセス部１００ａに、その底部から少なくともチャネル領域の深さにまで形成されたシリコンゲルマニウム層１１１と、その上に形成され、炭素とシリコンゲルマニウム層のゲルマニウム濃度よりも低いゲルマニウムとを含むカーボンドープドシリコンゲルマニウム層１１２と、その上に形成された金属シリサイド層１１５とから構成される。 - 特許庁

A collector layer 12 composed of n-type gallium nitride, a base layer 13 composed of p-type silicon germanium, and an emitter layer 14 composed of n-type gallium nitride are successively formed on a semiconductor substrate 11 composed of p-type silicon according to selective growth process.例文帳に追加

ｐ型シリコンからなる半導体基板１１上には、ｎ型窒化ガリウムからなるコレクタ層１２、ｐ型シリコンゲルマニウムからなるベース層１３、及びｎ型窒化ガリウムからなるエミッタ層１４が、選択成長法により順次形成されている。 - 特許庁

A silicon germanium carbide semiconductor film, doped with high concentration impurities is used in a gate electrode 2 of a transistor, thus controlling the threshold voltage in each of P- and N-type MOSFETs.例文帳に追加

高濃度に不純物をドープしたシリコンゲルマニウムカーバイド半導体膜をトランジスタのゲート電極２に用いることにより、Ｐ型及びＮ型のいずれのＭＯＳＦＥＴに於いても、閾値電圧を制御できる。 - 特許庁

The p- and n-type leading layers 300, 400 are formed by selectively etching off only either the polycrystalline silicon or silicon-germanium mixed crystal, utilizing a high etching selective ratio of both.例文帳に追加

ｐ型の引き出し層３００とｎ型の引き出し層４００とは、多結晶シリコンとシリコン・ゲルマニウム混晶との高いエッチング選択比を利用し、片方のみを選択的にエッチング除去することによって形成される。 - 特許庁

In the attachable health pad, an n-type germanium semiconductor chip coated with a precious metal being partially exposed is fixed on the adhesive surface of an adhesive sheet with the exposed part outward.例文帳に追加

一部を露出させて貴金属で被覆されたｎ‐型ゲルマニウム半導体チップを、露出部分を外側にして粘着シートの粘着面に固定した貼着可能な健康パッドとする。 - 特許庁

In a lateral bipolar transistor where a collector region and an emitter region are juxtaposed above a base region, the collector region and the emitter region are formed by diffusing P type or N type impurities contained in a silicon germanium layer in the base region.例文帳に追加

本発明では、ベース領域の上部にコレクタ領域とエミッタ領域とを並設してなる横型バイポーラトランジスタにおいて、コレクタ領域及びエミッタ領域は、シリコンゲルマニウムに含有させたＰ型又はＮ型の不純物をベース領域内で拡散させて形成した。 - 特許庁

This method for producing an N- or P-type single crystal with a resistivity of 1-50 Ω.cm comprises the following practice: a silicon single crystal seed 1 containing germanium at a concentration of 1018 to 1020 atoms/cm3 is used and a neck part 2 comparable in diameter to the seed is parallel-grown.例文帳に追加

チョクラルスキー法により抵抗値１〜５０Ω・ｃｍのＮ型又はＰ型のシリコン単結晶を製造するに際し、１０^18〜１０^20 atoms／ｃｍ^3 のゲルマニウムを含むシリコン単結晶のシード１を使用し、シードと同程度の直径のネック部２をパラレル成長させる。 - 特許庁

The CMOS is constituted such that p-type impurity diffused electrodes 310 constituting source and drain regions of pMOSs are electrically connected to a metal wiring layer 600 through a p-type polycrystalline silicon- made leading layer 300, and n-type impurity diffused electrodes 410 constituting source and drain regions of nMOSs are electrically connected to the metal wiring layer 600 through an n-type silicon-germanium mixed crystal-made leading layer 400.例文帳に追加

ｐＭＯＳのソース、ドレイン領域を構成するｐ型不純物拡散層電極３１０と金属配線層６００とがｐ型多結晶シリコンからなる引き出し層３００を介して電気的に接続され、ｎＭＯＳのソース、ドレイン領域を構成するｎ型不純物拡散層電極４１０と金属配線層６００とがｎ型シリコン・ゲルマニウム混晶からなる引き出し層４００を介して電気的に接続されたＣＭＯＳである。 - 特許庁

This EUO-structural-type zeolite includes at least one element X selected from among silicon and germanium, and at least one element T selected from among aluminum, iron, gallium, boron, titanium, vanadium, zirconium, molybdenum, arsenic, antimony, chromium and manganese, and is characterized in that a X/T ratio is 5-50 and a N/X ratio is 0.010-0.065.例文帳に追加

ケイ素およびゲルマニウムから選択される少なくとも１つの元素Ｘと、アルミニウム、鉄、ガリウム、ホウ素、チタン、バナジウム、ジルコニウム、モリブデン、ヒ素、アンチモン、クロムおよびマンガンから選択される少なくとも１つの元素Ｔとを含むＥＵＯ構造型ゼオライトにおいて、５〜５０のＸ／Ｔ比と０．０１０〜０．０６５のＮ／Ｘ比とを有することを特徴とするゼオライトである。 - 特許庁

A codoped layer 13 made of GaN, in which one of silicon (Si) and germanium (Ge) as impurities serving as a donor and one of magnesium (Mg) and zinc (Zn) as impurities serving as an acceptor are codoped, is provided between a substrate 11 and a buffer layer 12, and a first n-type cladding layer 14.例文帳に追加

基板１１およびバッファ層１２と第１ｎ型クラッド層１４との間に、ドナーとして働く不純物であるシリコン（Ｓｉ）またはゲルマニウム（Ｇｅ）の一方およびアクセプタとして働く不純物であるマグネシウム（Ｍｇ）または亜鉛（Ｚｎ）の一方が共添加されたＧａＮよりなる共添加層１３を設ける。 - 特許庁

In the accessary composed of a noble metal base material 1 for wearing by allowing at least a part of the accessary to contact a skin, while embedding the n-type germanium semiconductor 3 into the base material 1, at least a part of the accessary in contact with the skin is exposed so that at least a part of other parts of the accessary is in contact with the base material 1.例文帳に追加

貴金属基材１からなり、少なくとも一部を皮膚に接触させて着装する装身具において、ｎ‐型ゲルマニウム半導体３を基材に埋め込むとともに、その皮膚に接触する部分の少なくとも一部を露出させ、他の部分の少なくとも一部を貴金属に接触させた構造とした健康装身具とする。 - 特許庁

A first N+ gallium arsenide layer 3 is provided on a germanium substrate 1, an N-type gallium arsenide layer 4 and a second N+ gallium arsenide layer 5 are laminated on this layer 3 in such a way that this layer 3 is exposed, an anode electrode 7 is connected on the exposed part of the above layer 3, and a cathode electrode 6 is connected on the layer 5.例文帳に追加

ゲルマニウム基板１上に、第一のｎ^+ 型ガリウム砒素層３を設け、この第一のｎ^+ 型ガリウム砒素層３上に、この第一のｎ^+ 型ガリウム砒素層３が露出するようにｎ型ガリウム砒素層４、第二のｎ^+ 型ガリウム砒素層５を積層して設け、前記第一のｎ^+ 型ガリウム砒素層３の露出部分にアノード電極７を接続して設けると共に、第二のｎ^+ 型ガリウム砒素層５上にカソード電極６を接続して設ける。 - 特許庁