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ⁿ siの英語
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NSI
対訳 NSI
解説
A service that is responsible for delivering kernel mode networking related notifications to user mode applications.
「ⁿ si」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 579件
(1) 3.0≥{([%Si]/2)+[%Mn]+[%Cr]}≥2.4; and (2) 2.5≥[%Al]/[%N]≥1.7.例文帳に追加
3.0 ≧｛（[%Si]/2）＋[%Mn]＋[%Cr]｝≧ 2.4 --- (1) 2.5 ≧ [%Al]／[%Ｎ] ≧ 1.7 --- (2) - 特許庁
Ms={3000[0.068-(C+N)]+50(0.47-Si)+60(1.33-Mn)+110(8.9-Ni)+75(14.6-Cr)-32}×5/9 ...(1).例文帳に追加
Ms={3000[0.068-(C+N)]+50(0.47-Si)+60(1.33-Mn)+110(8.9-Ni)+75(14.6-Cr)-32}×5/9（１）。 - 特許庁
The value of γp(%) satisfies 20 to 65%, which is calculated by formula (1): γp=420X[C]+470X[N]+23X[Ni]+12X[Cu]+7X[Mn]-11.5X([Cr]+[Si])-52X[Al]-49X[Ti]+189, wherein [ ] denotes mass%.例文帳に追加
γp ＝420X[C]+470X[N]+23X[Ni]+12X[Cu]+7X[Mn]-11.5X([Cr]+[Si])-52X[Al]-49X[Ti] +189 ……(1) 。 - 特許庁
A preferred chemical precursor contains one or more N-Si bonds.例文帳に追加
好適な化学前駆体が一つ以上のN‐Si結合を含む。 - 特許庁
Switching between character sets is done using the shift functions ^N (SO or LS1), ^O (SI or LS0), ESC n (LS2), ESC o (LS3), ESC N (SS2), ESC O (SS3), ESC ~ (LS1R), ESC } (LS2R), ESC | (LS3R).発音を聞く 例文帳に追加
文字集合の切り替えはシフトファンクション ^N (SO または LS1),^O (SI または LS0), ESC n (LS2), ESC o (LS3), ESC N (SS2), ESC O (SS3),ESC ~ (LS1R), ESC } (LS2R), ESC | (LS3R) を使って行われる。 - JM
A P-type well region 2 is formed on the surface of an N-type Si substrate 1.例文帳に追加
n型Si基板1の表面に、p型ウェル領域2が形成されている。 - 特許庁
An ONO gate insulating film G of three-layered structure composed of Si oxide film 6/Si nitride film 5/Si oxide film 4 is formed on the surface of an N-type CCD channel region 3, and a poly-Si transfer electrode 7 is provided on the ONO gate insulating film G.例文帳に追加
n型CCDチャネル領域3表面に、Si酸化膜6/Si窒化膜5/Si酸化膜4の3層構造のONOゲート絶縁膜Gが形成され、ONOゲート絶縁膜G上に、ポリSi転送電極7を設けている。 - 特許庁
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Wiktionary英語版での「ⁿ si」の英訳 |
NSI
出典:『Wiktionary』 (2016/09/12 11:16 UTC 版)
固有名詞
NSI
- (Britain, finance) Initialism of National Savings and Investments.
- (US, historical) Initialism of National Space Institute.
- (Bangladesh) Initialism of National Security Intelligence.
「ⁿ si」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 579件
The core 2 is formed of Si-Al-O-N and the clad part 3 is formed of SiO_2.例文帳に追加
前記コア部２は、Si-Al-O-Nから形成され、前記クラッド部３はSiO_2から形成される。 - 特許庁
The film is attached by using an organic silicon compound precursor so as to allow a residual film to comprise a backbone structure substantially comprising a Si-O-Si or Si-N-Si group and an organic side group bonded to the backbone structure.例文帳に追加
フィルムは、残基フィルムがSi-O-Si又はSi-N-Si基から実質的になるバックボーン構造及び前記バックボーン構造に結合している有機側基からなるように、有機ケイ素化合物プリカーサーを使用して付着する。 - 特許庁
The Si/N ratio of the gate silicon nitride film 16 is set higher than the Si/N ratio of the interlayer silicon nitride film 26.例文帳に追加
ゲート窒化シリコン膜16のＳｉ／Ｎ比を層間窒化シリコン膜26のＳｉ／Ｎ比より高くする。 - 特許庁
A plasma, an excimer laser 4 or an ion beam is irradiated on a silicon oxide or nitride film to cut coupling of Si-O or Si-N.例文帳に追加
プラズマ、エキシマレーザ、イオンビームなどを酸化シリコン膜もしくは窒化シリコン膜状に照射することによって、Si-OもしくはSi-Nの結合を切断することができる。 - 特許庁
The structure comprises a first member 100 containing a compound between an element A except both Si and Ge, and Si_nGe_1-n (wherein 0≤n≤1), and a second member 101 containing one of the element A and Si_nGe_1-n (wherein 0≤n≤1).例文帳に追加
Si及びGeの双方を除く元素ＡとSi_nGe_1-n(ここで0≦n≦1)との間の化合物を含む第一の部材１００と、元素ＡとSi_nGe_1-n(ここで0≦n≦1)のいずれか一方を含む第二の部材１０１とで構成される構造体。 - 特許庁
To obtain a larger area to take out light without including an n-type Si substrate and a buffer layer, concerning a GaN-base LED to be formed by using a GaN-LED on Si substrate.例文帳に追加
GaN-LED on Si基板を利用して形成されるGaN系LEDにおいて、n型Si基板及びバッファ層を含まず、かつ光を取り出すための領域の面積を広く取ることが可能である。 - 特許庁
For example, a-Si film 13 and n^+-type a-Si film 15 accomplish the bank.例文帳に追加
例えば、ａ−Ｓｉ膜１３とｎ＋型ａ−Ｓｉ膜１５とがバンクを成している。 - 特許庁
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