えききた１ちょうめの英語

その前部において、それは、ブレーキ機構が前記壁掛けロッドの上に作用することになる力を調節するための調節ネジを包含する。例文帳に追加

It is equipped with an adjusting screw 11 for making a brake mechanism adjust force acting on the wall-hanging rod 1 in the front section of the main body. - 特許庁

本発明の半導体層は、一般式Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（式中、０≦ｘ＜１，０＜ｙ＜１，０＜ｚ＜１，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表されるIII−Ｖ族半導体化合物を主成分とし、レーザアシスト有機金属気相成長法により成膜されたものである。例文帳に追加

The semiconductor layer employs a group III-V semiconductor compound represented in a general form Al_xGa_yIn_zN (0≤x<1, 0<y<1, 0<z<1, x+y+z=1) as its main constituent and its film formation takes place through laser assist metal-organic vapor phase growth. - 特許庁

電子機器（１）は、他の電子機器（１ａ）に対して自身が保持している拡張エフェメリスＥＥ及び寿命データＬＤを送信する。例文帳に追加

The electronic apparatus (1) sends an extended ephemeris EE and lifetime data LD that it holds to the other electronic apparatus (1a). - 特許庁

梅谷～分校橋～梅見台5丁目～州見橋東～州見台8丁目～州見橋東～市坂～木津駅～木津中学校前～山田川駅～ハイタッチ・リサーチパーク～南陽高校～兜台1丁目～高の原駅例文帳に追加

Umedani - Bunkobashi - Umemidai 5-chome - Kunimibashi-Higashi - Kunimidai 8-chome - Kunimibashi-Higashi - Ichisaka - Kizu Station - Kizu Junior High School - Yamadagawa Station - Hightouch Research Park - Nanyo High School - Kabutodai 1-chome - Takanohara Station発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

２値化されたデジタル信号（ａ）は、光磁気記録媒体に形成する基本ドメイン長Ｌと、基本ドメイン長Ｌから変化させるドメイン長の最小長さＷにより形成されるＮ＝Ｌ／Ｗを用いて、「１」または「０」がＮ個以上連続するように変調される（ｂ）。例文帳に追加

Binarized digital signals (a) are so modulated, that '1' or '0' continues in N pieces or larger through the use of N=L/W formed by a basic domain length L, formed at the magneto-optical recording medium and the minimum length W of the domain length changed from the basic domain length L (b). - 特許庁

コンピューター装置１に第１の位置決め凹部３と第２の位置決め凹部４と案内凹部５を備え、拡張機器１０に第１の位置決め凸部１５と第２の位置決め凸部１６と案内凸部１８を備えたことにより、拡張機器１０はコンピューター装置１を保持することができる。例文帳に追加

A computer device 1 has a first positioning recessed part 3, a second positioning recessed part 4, and a guide recessed part 5, and an extension apparatus 10 has a first positioning projection part 15, a second positioning projection part 16, and a guide projection part 18, so that the extension apparatus 10 can hold the computer device 1. - 特許庁

この発明に従ったエピタキシャル層付き基板１０は、ＩＩＩ族窒化物からなるベース基板（ＩＩＩ族窒化物基板）としてのＧａＮ基板１と、ＧａＮ基板１の表面上に形成されたエピタキシャル成長層５とを備える。例文帳に追加

The substrate 10 with an epitaxial layer includes a GaN substrate 1 which is a base substrate (group III nitride substrate) consisting of group III nitride, and the epitaxial growth layer 5 formed on the surface of the GaN substrate 1. - 特許庁

高い光学的均質性（Δｎ＝１×１０^—６）および低い複屈折（δ＝０．５〜１．０ｎｍ／ｃｍ）を持つフッ化カルシウム単結晶を成長させる。例文帳に追加

To grow a calcium fluoride single crystal having high optical uniformity (&utri;n=1×10^-6) and low birefringence (δ=0.5 to 1.0 nm/cm). - 特許庁