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えちのじおーるの英語
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「えちのじおーる」の部分一致の例文検索結果
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半導体基板（１４）はＧａＮ、ＳｉＣ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＩｎＧａＮのうちの１つから成る。例文帳に追加
A semiconductor substrate 14 comprises one selected from the group of GaN, SiC, AlN, InN, AlGaN, InGaN, and AlInGaN. - 特許庁
次に、ＣＦＮにより指定されたＳＲＮＳ Ｒｅｌｏｃａｔｉｏｎの実行時刻になると、ＳＲＮＣ５３ａ、ＤＲＮＣ５３ｂ及びＤＲＮＣ５６３ｃは、ＦＰ部１０８の指示によりＳＲＮＳ Ｒｅｌｏｃａｔｉｏｎを実行する。例文帳に追加
Further, when the execution time of the SRNS Relocation designated by a CFN comes, the SRNC 53c, the DRNC 53b, and the DRNC 53c execute the SRNS Relocation according to an instruction of the FP section 108. - 特許庁
但し、Ｌｎは希土類元素、ＭａはＭｇおよびＺｎのうちの少なくとも１種、ＭｅはＣａおよびＳｒのうちの少なくとも１種である。例文帳に追加
Ln is a rare earth elements, Ma is at least one of Mg and Zn, Me is at least one of Ca and Sr. - 特許庁
「Ｐｅｒｓｉｓｔｅｎｔスケジューリング」におけるリソース割り当てに用いられるＰＤＣＣＨのＦａｌｓｅ Ａｌａｒｍの確率を低減する。例文帳に追加
To reduce a probability of a False Alarm of PDCCH used in resource allocation in "Persistent scheduling". - 特許庁
また、このガラスは、Ｌｉ_2Ｏ−（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ_2−ＭＯ（ＭＯはＡｌ_2Ｏ_3およびＺｒＯ_2のうちの少なくとも１種）系、または、ＳｉＯ_2−ＴｉＯ_2−ＸＯ（ＸＯはＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＭｎＯのうちの少なくとも１種）系が好ましい。例文帳に追加
The glass is preferably Li2O-(Si,Ti)O2-MO (wherein MO is at least one of Al2O3 and ZrO2) or SiO2-TiO2-XO (wherein XO is at least one of BaO, CaO, SrO, MgO, ZnO and MnO). - 特許庁
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「えちのじおーる」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 49980件
さらに、適量のＣｏ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｂ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅのうちの１種又は２種以上を含有してもよい。例文帳に追加
The metallic material may further comprise one or more selected from Co, Mo, W, Ti, Nb, B, Zr, Hf, Mg, Ca, Al, Y, La and Ce by suitable quantity. - 特許庁
ハロゲン化ゲルマニウムガスとしては、ＧｅＦ_2、ＧｅＦ_4、およびＧｅＣｌ_4のうちの少なくとも１つを用いる。例文帳に追加
As the germanium halide gas, at least one of GeF_2, GeF_4, and GeCl_4 is used. - 特許庁
ＣＰＳＲＸ＝“Ｌ”、ＡＵＴＰＬ＝“Ｈ”のとき、 ＣＳＬＣＫ＝“Ｈ”となると、オートプリチャージイネーブル信号ＡＵＴＰＥが“Ｈ”となる。例文帳に追加
When the CPSRX='L' and the AUTPL='H', and a CSLCK='H' holds, an autoprecharge enable signal AUTPE becomes 'H'. - 特許庁
この繰り返しにより、ＭＯＳ４、ＭＯＳ３、ＭＯＳ２、ＭＯＳ１の順でオフされる。例文帳に追加
As a result of repeating this operation, the MOS transistors are turned off, in the order MOS4, MOS3, MOS2, and MOS1. - 特許庁
さらに、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｖ、Ｃａ、Ｍｇ及びＲＥＭのうちの１種または２種以上を含んでもよい。例文帳に追加
The steel products may further include one or more elements among Ti, Nb, Mo, V, Ca, Mg and REM. - 特許庁
第１ＮＭＯＳトランジスタＮＭＯＳ１のバックゲートＢＧ１は電気的なフローティング状態である。例文帳に追加
The back gate BG1 of the first NMOS transistor NMOS1 is in an electrically floating state. - 特許庁
ＭＯＳトランジスタＭ１のゲートの電圧がVPTAT＝U_Tln(Ng2/Ng1)となる。例文帳に追加
The gate voltage of the MOS transistor M1 is VPTAT=U_T1n(Ng2/Ng1). - 特許庁
ＥＬ表示装置の駆動方法およびＥＬ表示装置例文帳に追加
DRIVE METHOD OF EL DISPLAY APPARATUS AND EL DISPLAY APPARATUS - 特許庁
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エチノジオール二酢酸エステル
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