きしだどうにし１ちょうめの英語

半導体基板１上に半導体層２を介して、磁性混晶半導体３をエピタキシャル成長させ、前記エピタキシャル成長中または成長後に熱処理することにより、半導体中に強磁性微粒子が埋め込まれた磁性体微粒子／半導体複合材料４を形成する。例文帳に追加

On a semiconductor substrate 1, a magnetic mixed crystal semiconductor 3 is formed through epitaxial growth across a semiconductor layer 2, and a heat treatment is carried out in or after the epitaxial growth to form a magnetic body particulate/semiconductor compound material 4, having ferromagnetic particulates embedded in the semiconductor. - 特許庁

巻芯１の周囲に配置される第１の超電導体層３と、第１の超電導導体層３の周囲に配置される電気絶縁層６と、電気絶縁層６の周囲に配置される第２の超電導体層７と、少なくとも１本の光ファイバ１１を収めた温度モニタリング層１０とを有する。例文帳に追加

This superconductive cable core has a first superconductor layer 3 disposed around a winding core 1, an electric insulation layer 6 disposed around the first superconductor layer 3, a second superconductor layer 7 disposed around the electric insulation layer 6, and a temperatures monitoring layer 10 storing at least one optical fiber 11. - 特許庁

(1) ハンガリー特許庁は，特許権者に対し，強制ライセンス申請に関して意見を提出するよう求める。同庁は，書面による準備作業の後，聴聞において，強制ライセンスの付与又は申請の拒絶を決定する。聴聞を行うことなく手続終了の命令を下すこともできる。例文帳に追加

(1) The Hungarian Patent Office shall invite the patentee to submit comments on the application for a compulsory license. Following the written preparatory work, it shall decide at a hearing on the grant of the compulsory license or on the refusal of the application. The order terminating the procedure may also be taken without a hearing. - 特許庁

日メキシコEPA においても、第一章「目的」第一条「目的」⒟において、同協定の目的として「各締約国における競争法の効果的な執行のための協力及び調整を促進すること」と定められている。例文帳に追加

The Japan-Mexico EPA provides in item (d) of Article 1 “Objectives” of Chapter 1 “Objectives” that one of the objectives of the EPA is to “promote cooperation and coordination for the effective enforcement of competition laws in each Party.” - 経済産業省

成長用基板１の第一主表面上に化合物半導体層２４をエピタキシャル成長した後、化合物半導体層２４の第一主表面に仮支持基板１１０を、高分子結合材１１１を介して貼り合わせ、さらに、成長用基板１を化学エッチング等により除去する。例文帳に追加

After the compound semiconductor layer 24 is epitaxially grown on the first principal surface of the substrate 1 for growth, a temporary supporting substrate 110 is stuck to the first principal surface of the compound semiconductor layer 24 through a polymer binding material 111 and, in addition, the substrate 1 for growth is removed by chemical etching etc. - 特許庁

回転する円筒体１の防振構造において、外的振動要因３に伴って円筒体１に生ずる外的振動要因周波数４が減衰せしめられる固有振動数を持つダイナミックダンパ２を、円筒体１全長に対して端から４分の１の範囲に設ける。例文帳に追加

In the vibration-proofing structure of the rotary cylinder 1, the dynamic damper 2 having inherent frequency capable of attenuating external vibration factor frequency 4 generated in the cylinder 1 by an external vibration factor 3 is attached to a range which is 1/4 the whole length of the cylinder 1 from the end of the body. - 特許庁

半導体基板１の表面の一部をマスクし、選択エピタキシャル成長により櫛形の断面形状を有する凹凸構造を形成する。例文帳に追加

A part of the surface of a semiconductor substrate 1 is masked, and an uneven structure which has a comb-shaped cross section is made by selective epitaxial growth. - 特許庁

フレキシブルチューブ内に配置した超電導ケーブル１の絶縁処理を、超電導ケーブル１に超電導ケーブル１の長さと同じ幅を有するとともにクレープ処理を施した絶縁材９を断面渦巻き状に、かつ、クレープ方向と超電導ケーブル１の長手方向とが直交する向きに巻き付けて施した。例文帳に追加

The insulation processing of a superconducting cable 1 mounted in a flexible tube is performed by spirally winding an insulating material 9 having the same width as a length of the superconducting cable 1 and provided with the crepe processing, onto the superconducting cable 1 in a state that the crepe direction is perpendicular to the longitudinal direction of the superconducting cable 1. - 特許庁