げるまにうむとらんじすたーの英語

発光物質としては、ランタノイドに属するガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ネオジム（Ｎｄ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）から選択された元素の酸化物、並びに、３Ｂ，４Ｂ，５Ｂ族に属するタリウム（Ｔｌ）、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、ビスマス（Ｂｉ）から選択された元素の酸化物が挙げられる。例文帳に追加

As a light-emitting substance, an oxide of an element selected from gadolinium (Gd), terbium (Tb), europium (Eu), neodymium (Nd), and dysprosium (Dy) belonging to lanthanoid, and an oxide of an element selected from thallium (Tl), Tin (Sn), lead (Pb), and bismuth (Bi) belonging to 3B, 4B, 5B groups are suggested. - 特許庁

光吸収しきい値バイアス領域を有するフローティングボディゲルマニウムフォトトランジスタ例文帳に追加

FLOATING BODY GERMANIUM PHOTO TRANSISTOR WITH PHOTO ABSORPTION THRESHOLD BIAS REGION - 特許庁

基板上に、非単結晶ゲルマニウム膜からなる活性層と、酸化ジルコニウム又は酸化ハフニウムからなるゲート酸化膜とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ。例文帳に追加

In the thin film transistor, the active layer formed of a non-single crystal germanium film and a gate oxide film formed of a zirconium oxide or a hafnium oxide are formed on a substrate. - 特許庁

ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタのシリコン・ゲルマニウム・ベース形成方法例文帳に追加

FORMING METHOD OF SILICON GERMANIUM BASE OF HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR - 特許庁

ランタノイド元素は、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジウム（Ｐｒ）、ネオジウム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、カドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）のうちの少なくとも１つであることとし、例えば酸化物として含有されていることとする。例文帳に追加

The lanthanoid elements are assumed at least one of lanthanum (La), cerium (Ce), praseodymium (Pr), neodymium (Nd), samarium (Sm), europium (Eu), gadolinium (Gd), terbium (Tb), dysprosium (Dy), holmium (Ho), erbium (Er), thulium (Tm), ytterbium (Yb) or lutetium (Lu), and it is contained as oxide(s), for example. - 特許庁

ゲート絶縁膜５上に堆積したルテニウム膜をパターニングすることによって、ｎチャネル型ＭＩＳトランジスタおよびｐチャネル型ＭＩＳトランジスタのそれぞれのゲート電極を同時に形成する。例文帳に追加

By patterning a ruthenium film deposited on a gate insulation film 5, each gate electrode of the n-channel type MIS transistor and the p-channel type MIS transistor is formed simultaneously. - 特許庁

ゲート絶縁型トランジスターの実施例では、強誘電性半導体イットリウムバリウム銅酸化物によってゲート絶縁層が形成され、その強誘電体層の分極方向によって、トランジスターの容量が増加、またはトランジスターにラッチがかかる。例文帳に追加

In the embodiment of a gate insulation type transistor, a gate insulating layer is formed of a ferroelectric semiconductor yttrium barium copper oxide, and the capacity of the transistor is increased, or the transistor is latched in accordance with the polarizing direction of the ferroelectric dielectric layer. - 特許庁

ｎチャネル絶縁ゲートトランジスタのＳｉＯ_２より誘電率の高い第１のゲート絶縁膜と第１金属ゲート電極との間にアルミニウム膜を設けるとともに、ｐチャネル絶縁ゲートトランジスタのＳｉＯ_２より誘電率の高い第２ゲート絶縁膜と第２金属ゲート電極との間に酸化アルミニウム膜を設ける。例文帳に追加

An aluminum film is provided between a first gate insulating film having a higher dielectric constant than that of SiO_2 of an n-channel insulating gate transistor and a first metal gate electrode, and an aluminum oxide film is provided between a second gate insulating film having a higher dielectric constant than that of SiO_2 of a p-channel insulating gate transistor and a second metal gate electrode. - 特許庁