しょうなんちょう４ちょうめの英語

昭和4年（1929年）中京区成立とともに同区の町名となった。例文帳に追加

With the establishment of Nakagyo Ward in 1929, Mibu became a town name in Nakagyo Ward.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

システムがイメージ面内の照射領域の大きな膨張により特徴づけられており、４を上まわる膨張係数が実現可能である。例文帳に追加

The system is characterized by a large enlargement of the illuminated region in the image plane, wherein the enlargement factor of more than 4 can be realized. - 特許庁

1102年（康和4年）尊勝寺落慶法要供養の導師をつとめ、尊勝寺長吏となった。例文帳に追加

He worked as a Doshi (a sort of high priest) at a ceremony to celebrate the completion of the Sonsho-ji Temple in 1102 and became the chori (the head priest) of the Sonsho-ji Temple.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

11系統（木津南循環バス）：木津駅東口→州見台4丁目→州見橋東→州見台8丁目→州見橋東→木津南ソレイユ→梅見台小学校→梅見台5丁目→梅見台3丁目→梅見台2丁目→木津駅東口例文帳に追加

Route 11 (Kizuminami loop bus): East entrance of Kizu Station - Kunimidai 4-chome - Kunimibashi-Higashi - Kunimidai 8-chome - Kunimibashi-Higashi - Kizu-minami Soleil -Umemidai Elementary School - Umemidai 5-chome - Umemidai 3-chome - Umemidai 2 -chome - East entrance of Kizu Station発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

このため、故障推定組の２つの超音波センサ４が故障したのか、あるいは気体などにより超音波受信信号の振幅値が一時的に低下したものであるのか、また、故障推定組の超音波センサ４の故障の場合いずれの超音波センサ４が故障したのか、を判定することができる。例文帳に追加

Thus whether the two sensors 4 in the failure assumptive set fail or the amplitude of the received ultrasonic signal temporarily lowers due to a gas, etc., or which sensor 4 fails in the event of the failure of the two sensors 4 in the failure assumptive set can be judged. - 特許庁

1932年（昭和7年）8月4日、澤村田之助(5代目)の長男として東京に生まれる。例文帳に追加

He was born in Tokyo on August 4, 1932 as the eldest son of Tanosuke SAWAMURA V.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

共同体意匠規則第36条 (4)に定める出願手数料は，欧州共同体商標意匠庁に直接納付しなければならない。例文帳に追加

The application fee specified in Article 36 (4) of the Community Design Regulation shall be paid directly to the Office for Harmonisation in the Internal Market.発音を聞く  - 特許庁

これにより、炭化珪素単結晶４が成長すると共に、多結晶成長部材１３の表面１３ｃに炭化珪素単結晶４と同等の高さとなる多結晶６が成長する。例文帳に追加

Thereby, the silicon carbide single crystal 4 grows, and a polycrystal 6 simultaneously grows in the same height as the silicon carbide single crystal 4 on the surface 13c of the polycrystal growth member 13. - 特許庁