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たいせいちょう６ちょうめの英語
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「たいせいちょう６ちょうめ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 110件
砥石本体２は、これら砥粒層６のめっき成長面６ａ同士を接合する。例文帳に追加
The grinding wheel body 2 is formed by bonding the plating growth surfaces 6a of the abrasive grain layers 6. - 特許庁
本発明によると、結晶成長された半導体層に基底面内転位６が伝播しない。例文帳に追加
By the method, the basal plane dislocation 6 is not propagated to the crystally grown semiconductor layer. - 特許庁
外部端子電極の下地となる第１層１３を構成するめっき膜は、内部電極５および６の露出端によって与えられる導電面を起点として析出しためっき析出物が高めっき成長領域１１と低めっき成長領域１２との境界を低めっき成長領域１２側へと越えて成長することが制限された状態で成長することによって形成される。例文帳に追加
A plating film constituting a first layer 13 that serves as a base of an external terminal electrode is formed such that plating deposition deposited from a conductive surface formed by exposing end surfaces of internal electrodes 5, 6 is restricted to grow to the side of the low-growth plating region 12 beyond the border of the high-growth plating region 11 and the low-growth plating region 12. - 特許庁
磁界中に保持された半導体融液（２）と、成長している半導体単結晶（３）との間に電流を通電するために、半導体融液に電流を印加するための電極（６）の周りに、保護管（７）を配置する。例文帳に追加
Since the electrode 6 is in contact with the molten semiconductor 2 in the protecting tube 7, even if the temp. of contact face 8 between the electrode 6 and the molten semiconductor 2 is increased during the crystal growth, the electrode 6 in never separated from the molten semiconductor 2 since it ascends in the electrode 6. - 特許庁
そして、一定温度に昇温された電気炉内で、上部部材６の融液溜め８に貯溜されている融液を成長室３内に注入した後、電気炉内を降温することによって半導体基板１のエピタキシャル成長面に結晶を成長させる。例文帳に追加
The melt stored in the melt reservoir 8 of the upper member 6 is injected into the growth chambers 3 in an electric furnace heated up to a prescribed temperature and the temperature of the interior of the electric furnace is reduced to thereby grow the crystal on the epitaxial growth surface of the semiconductor substrate 1. - 特許庁
第１エピタキシャル成長層６の底面に対して、チャネル領域における半導体基板面が掘り下げられている。例文帳に追加
To the bottom surface of the first epitaxial growth layers 6, the semiconductor substrate surface in the channel region is dug deep. - 特許庁
４，６−ジメトキシインドール−２−カルボン酸又はその誘導体からなる毛髪の成長を刺激又は誘発、及び／又は抜毛を防止するための薬剤例文帳に追加
MEDICAMENT FOR STIMULATING OR INDUCING HAIR GROWTH AND/ OR PREVENTING HAIR LOSS CONSISTING OF 4, 6- DIMETHOXYINDOLE-2-CARBOXYLIC ACID OR DERIVATIVE THEREOF - 特許庁
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「たいせいちょう６ちょうめ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 110件
基底面内転位６が結晶成長された半導体層に伝播していないために、リーク電流を抑えることができる。例文帳に追加
Since the basal plane dislocation 6 is not propagated to the crystally grown semiconductor layer, a leakage current is suppressed. - 特許庁
Ｃ軸に平行な面にナイトライド系III-Ｖ族化合物半導体を積層したナイトライド系III-Ｖ族化合物半導体装置のＣ軸方向に成長した横方向成長層５上に能動領域６を設ける。例文帳に追加
An active region 6 is provided on a lateral growth layer 5 grown in a C-axis direction of a semiconductor device of nitride group III-V compound laminated by the nitride group III-V compound on a surface parallel to a C axis. - 特許庁
こうして、基板６上の半導体薄膜全体を、一方向に成長し且つリッジの無い結晶面にする。例文帳に追加
The semiconductor thin film on the substrate 6 as a whole is grown in one direction to form a ridge-free crystal surface. - 特許庁
周囲部材６における原料ガス供給側と対向する面Ｆ１は、ＳｉＣ単結晶の成長方向に対し外側を向いている。例文帳に追加
The surface F1 of the surrounding member 6 opposing the feed gas supplying side is directed outward in the direction of the growth of the SiC single crystal. - 特許庁
このエッチング工程に連続して、炉内に、成長ガス、エッチングガス、ドーピングガスおよびキャリアガスを供給して、トレンチ４内に第２導電型の半導体６をエピタキシャル成長させ、トレンチ４を埋める。例文帳に追加
Continued to the etching process, growth gas, etching gas, doping gas and carrier gas are supplied into the furnace to make epitaxial growth of a second conductive type semiconductor 6 in the trench 4 and fill up the trench 4. - 特許庁
ガラス封止部６は、ＧａＮ系ＬＥＤ素子２の結晶成長温度に対し充分に低い温度で加工される。例文帳に追加
The glass sealing part 6 is worked at a temperature sufficiently lower than the crystal growth temperature of the GaN LED element 2. - 特許庁
結晶原料の融液を貯溜する融液溜め８が形成された上部部材６と、上部部材６の下側に配置され、半導体基板１を収容する成長室３が形成された成長用ボート２とを備える。例文帳に追加
This apparatus for liquid-phase epitaxial growth is obtained by installing an upper member 6 in which a melt reservoir 8 for storing a melt of a crystal raw material is formed and a boat 2 for growth arranged on the lower side of the upper member 6 and having growth chambers 3 for accommodating a semiconductor substrate 1 formed therein. - 特許庁
炭化した繊維状体８の表面、繊維状体８の内部ならびに繊維状体８と繊維状体８の隙間に無数の超微小グラファイトフィラメント６を成長させたことを特徴とする。例文帳に追加
Indefinite number of ultrafine graphite filaments 6 are grown on the surface of a carbonized fibrous body 8, in the inside of the fibrous body 8 and in a gap between the fibrous bodies 8. - 特許庁
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