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たいせいちょう1ちょうめの英語
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「たいせいちょう1ちょうめ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 403件
成長用基板1上に配置した無機粒子2が、3−5族窒化物半導体層の成長時においてマスクとして作用し、成長用基板1の表面1Aにおいて無機粒子2の無いところが成長領域1Bとなる。例文帳に追加
Wherein the inorganic particles 2 disposed on the substrate 1 for growing act as a mask at a growing time of a 3-5 group nitride semiconductor layer and areas where the inorganic particles 2 do not exist on the surface 1A of the substrate 1 for growing become growing areas 1B. - 特許庁
上記半導体基板1のエピタキシャル成長面が上下方向に向くように、半導体基板1を成長室3内に保持する。例文帳に追加
The semiconductor substrate 1 is held in each growth chamber 3 so as to direct the epitaxial growth surface of the semiconductor substrate 1 upward. - 特許庁
サファイヤ基板1は、半導体をエピタキシャル成長させる際に用いるサファイヤ基板であって、エピタキシャル成長させる面をq面2とする。例文帳に追加
This sapphire substrate is used for subjecting the semiconductor to epitaxial growth and a face for carrying out epitaxial growth is used as q face 2. - 特許庁
また、整腸作用を有する細菌の体内活性を維持し、整腸作用を増強させるために、当該細菌と食物繊維を共存させることが公知であるから、整腸作用を有する YY菌 1×106~1×108個を、同じく整腸作用を有する食物繊維 1~30gと組み合わせて 1つの整腸剤とすることは当業者が容易になし得たことである。例文帳に追加
Furthermore it is publicly known to make the bacterium and the dietary fiber co-exist, in order to maintain the activity of the bacterium having the intestine regulating function and to fortify the intestine regulating function, it would have been easily arrived at by a person skilled in the art to formulate medicine for intestinal disorder by combining 1 x 106 to 1 x 108 cells of the YY bacteria having the intestine regulating function with 1 to 30g of the dietary fiber also having the intestine regulating function.発音を聞く - 特許庁
ボート1(液相成長用治具)は、半導体基板2の主表面に成長溶液5を接触させ半導体基板2の主表面にエピタキシャル層を形成する液相エピタキシャル成長に用いられ、基体1aが主にグラファイトにてなる液相成長用治具である。例文帳に追加
A boat 1 (the holder for liquid phase growth) is used for in a liquid phase epitaxial growth process comprising bringing a growth liquid 5 into contact with the main surface of a semiconductor substrate 2 and forming an epitaxial layer on the main surface of the semiconductor substrate 2, and the base body 1a of the boat 1 is made of graphite. - 特許庁
エピタキシャル層2が十分厚く成長して、トレンチ底部がn型半導体基板1の表面より高くなれば成長を終了する。例文帳に追加
When the epitaxial layer 2 is grown to be sufficiently thick, and a trench bottom part becomes higher than the surface of the substrate 1, the growth is ended. - 特許庁
サファイア基板1の最表面にシリコン層2を成長し、その上に窒化物半導体層3を成長する。例文帳に追加
The method of manufacturing the nitride semiconductor is so carried out that a silicon layer 2 is formed on the outermost surface of the sapphire substrate 1, and then a nitride semiconductor layer 3 is grown thereon. - 特許庁
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「たいせいちょう1ちょうめ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 403件
半導体結晶2は所謂ドーム型の断面形状を有するELOマスク3がマスキングされた結晶成長基板1の結晶成長面1a上に成長したものであり、転位4はELOマスク3の上面略中央から半導体結晶2の結晶成長面2aまで伸びている。例文帳に追加
The semiconductor crystal 2 is a crystal grown on the crystal growth surface 1a of a crystal growth substrate 1 masked with an ELO mask 3 having so-called dome shaped cross section, and transition 4 extends from about the center of the top of the ELO mask 3 to a crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2. - 特許庁
半導体素子が、部分的に内部に後退した凹部8が表面に形成された結晶成長面を有する基板1と、上記結晶成長面上に成長された、窒化物半導体からなる単層または複数層の半導体層2とを備えてなり、上記結晶成長面において、上記結晶成長面の原子配列構造と上記半導体層2の原子配列構造が同じである。例文帳に追加
The semiconductor element comprises a substrate 1 having a crystal grown face in which partial setback recesses 8 are formed, and a single or a plurality of nitride semiconductor layers 2 grown on the crystal grown face wherein the atomic arrangement structure is identical to that of the semiconductor layer 2 on the crystal grown face. - 特許庁
これは、半導体結晶2の成長に伴って半導体結晶2の結晶成長面2aが結晶成長基板1の結晶成長面1a付近から上方に移動する間にも、半導体結晶2はELOマスク3の傾斜面付近でこの傾斜面に沿って横方向にも成長できるためである。例文帳に追加
This is because the semiconductor crystal 2 also can grow laterally along the tilted surface of the ELO mask 3 near the surface, while, as the semiconductor crystal 2 increases, the crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2 moves upward from the vicinity of the crystal growth surface 1a of the crystal growth substrate 1. - 特許庁
窒化物半導体結晶2は、SiC基板1の非極性面上に、結晶成長させる。例文帳に追加
A nitride semiconductor crystal 2 is grown on a non-polar surface of an SiC substrate 1. - 特許庁
基板102の成長面102aに窒化物半導体層がエピタキシャル成長される発光素子100において、基板102は窒化物半導体層と熱膨張係数が異なり、基板102の成長面102aは1μm以下の周期で形成された複数の凹部102cを有し、窒化物半導体層は横方向成長を利用して成長される。例文帳に追加
In the light emitting device 100 where the nitride semiconductor layer is grown epitaxially on the growth side 102a of a substrate 102, the substrate 102 has a thermal expansion coefficient different from that of the nitride semiconductor layer, a plurality of recesses 102c are formed in the growth side 102a of a substrate 102 with a period of ≤1 μm, and the nitride semiconductor layer is grown using lateral overgrowth. - 特許庁
チョクラルスキー法により炭素をドープしてシリコン単結晶1を製造する方法において、結晶成長時に、結晶成長方向に対して垂直面内の結晶中心部15が成長する平均速度と結晶周辺部16が成長する平均速度との差を±0.1mm/min以内となるようにして結晶1を成長する。例文帳に追加
The production method of a silicon single crystal 1 by Czochralski method by doping with carbon is disclosed, wherein the crystal 1 is grown by controlling the difference between an average growing rate of the crystal center portion 15 within a plane perpendicular to the crystal growth direction and an average growing rate of the crystal peripheral portion 16 to be within ±0.1 mm/min during growing the crystal. - 特許庁
無機粒子2を媒体に分散させたスラリーを用いて、該スラリー中へ成長用基板1を浸漬させるか、または該スラリーを成長用基板1上に塗布や噴霧した後、乾燥させることにより、成長用基板1の表面1A上に無機粒子2を配置する。例文帳に追加
The method comprises disposing inorganic particles 2 on a surface 1A of a substrate 1 for growing by using a slurry obtained by dispersing the inorganic particles 2 in a medium, and by dipping the substrate 1 for growing into the slurry or by coating or spraying the slurry onto the substrate 1 for growing and drying it. - 特許庁
成長用基板1の第一主表面上に化合物半導体層24をエピタキシャル成長した後、化合物半導体層24の第一主表面に仮支持基板110を、高分子結合材111を介して貼り合わせ、さらに、成長用基板1を化学エッチング等により除去する。例文帳に追加
After the compound semiconductor layer 24 is epitaxially grown on the first principal surface of the substrate 1 for growth, a temporary supporting substrate 110 is stuck to the first principal surface of the compound semiconductor layer 24 through a polymer binding material 111 and, in addition, the substrate 1 for growth is removed by chemical etching etc. - 特許庁
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