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たいせいちょう１ちょうめの英語
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「たいせいちょう１ちょうめ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 453件
上記半導体基板１のエピタキシャル成長面が上下方向に向くように、半導体基板１を成長室３内に保持する。例文帳に追加
The semiconductor substrate 1 is held in each growth chamber 3 so as to direct the epitaxial growth surface of the semiconductor substrate 1 upward. - 特許庁
これは、半導体結晶２の成長に伴って半導体結晶２の結晶成長面２ａが結晶成長基板１の結晶成長面１ａ付近から上方に移動する間にも、半導体結晶２はＥＬＯマスク３の傾斜面付近でこの傾斜面に沿って横方向にも成長できるためである。例文帳に追加
This is because the semiconductor crystal 2 also can grow laterally along the tilted surface of the ELO mask 3 near the surface, while, as the semiconductor crystal 2 increases, the crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2 moves upward from the vicinity of the crystal growth surface 1a of the crystal growth substrate 1. - 特許庁
サファイヤ基板1は、半導体をエピタキシャル成長させる際に用いるサファイヤ基板であって、エピタキシャル成長させる面をｑ面2とする。例文帳に追加
This sapphire substrate is used for subjecting the semiconductor to epitaxial growth and a face for carrying out epitaxial growth is used as q face 2. - 特許庁
サファイア基板１の最表面にシリコン層２を成長し、その上に窒化物半導体層３を成長する。例文帳に追加
The method of manufacturing the nitride semiconductor is so carried out that a silicon layer 2 is formed on the outermost surface of the sapphire substrate 1, and then a nitride semiconductor layer 3 is grown thereon. - 特許庁
エピタキシャル成長用の基板１であって、エピタキシャル成長を行う基板１の表面１ａとは反対の裏面１ｂ側に、部分的に面取り部３がある。例文帳に追加
The substrate is a substrate for epitaxial growth 1 in which a chamfering part 3 is partially on the rear face 1b side opposite to a front face 1a of the substrate 1 which is subjected to epitaxial growth. - 特許庁
そして、半導体基板１にダメージが与えられた状態で、半導体基板１に対してエピタキシャル成長処理を実施する。例文帳に追加
Epitaxial growth treatment is carried out for the semiconductor substrate 1 in a state that the damage is given to the semiconductor substrate 1. - 特許庁
ボート１（液相成長用治具）は、半導体基板２の主表面に成長溶液５を接触させ半導体基板２の主表面にエピタキシャル層を形成する液相エピタキシャル成長に用いられ、基体１ａが主にグラファイトにてなる液相成長用治具である。例文帳に追加
A boat 1 (the holder for liquid phase growth) is used for in a liquid phase epitaxial growth process comprising bringing a growth liquid 5 into contact with the main surface of a semiconductor substrate 2 and forming an epitaxial layer on the main surface of the semiconductor substrate 2, and the base body 1a of the boat 1 is made of graphite. - 特許庁
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「たいせいちょう１ちょうめ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 453件
また、整腸作用を有する細菌の体内活性を維持し、整腸作用を増強させるために、当該細菌と食物繊維を共存させることが公知であるから、整腸作用を有する YY菌 1×106～1×108個を、同じく整腸作用を有する食物繊維 1～30gと組み合わせて 1つの整腸剤とすることは当業者が容易になし得たことである。例文帳に追加
Furthermore it is publicly known to make the bacterium and the dietary fiber co-exist, in order to maintain the activity of the bacterium having the intestine regulating function and to fortify the intestine regulating function, it would have been easily arrived at by a person skilled in the art to formulate medicine for intestinal disorder by combining 1 x 106 to 1 x 108 cells of the YY bacteria having the intestine regulating function with 1 to 30g of the dietary fiber also having the intestine regulating function.発音を聞く - 特許庁
成長用基板１上に配置した無機粒子２が、３−５族窒化物半導体層の成長時においてマスクとして作用し、成長用基板１の表面１Ａにおいて無機粒子２の無いところが成長領域１Ｂとなる。例文帳に追加
Wherein the inorganic particles 2 disposed on the substrate 1 for growing act as a mask at a growing time of a 3-5 group nitride semiconductor layer and areas where the inorganic particles 2 do not exist on the surface 1A of the substrate 1 for growing become growing areas 1B. - 特許庁
このリチウム電池1は、固体電解質層15の表面におけるリチウム結晶の成長ルートを遮断する位置に、リチウム結晶の成長を物理的に塞き止める遮断層16を有する。例文帳に追加
The lithium battery 1 has a blocking layer 16 physically blocking the growth of lithium crystals in a position blocking a growing route of lithium crystals on the surface of the solid electrolyte layer 15. - 特許庁
エピタキシャル層２が十分厚く成長して、トレンチ底部がｎ型半導体基板１の表面より高くなれば成長を終了する。例文帳に追加
When the epitaxial layer 2 is grown to be sufficiently thick, and a trench bottom part becomes higher than the surface of the substrate 1, the growth is ended. - 特許庁
窒化物半導体結晶２は、ＳｉＣ基板１の非極性面上に、結晶成長させる。例文帳に追加
A nitride semiconductor crystal 2 is grown on a non-polar surface of an SiC substrate 1. - 特許庁
窒化物半導体結晶７は、ＳｉＣ基板１のＭ面（１０−１０）上に、ＭＯＣＶＤ法等によって形成され、その成長表面がＭ面で成長する。例文帳に追加
A nitride semiconductor crystal 7 is formed on an M plane (10-10) of the SiC substrate 1 by the MOCVD method or the like, and the growth surface is grown on the M plane. - 特許庁
半導体基板の主表面に薄膜を気相成長させる気相成長装置１００は、コールドウォール型の反応炉１の中にサセプタ２を備えている。例文帳に追加
A vapor phase growth apparatus 100 for vapor-growing the thin film on the principal surface of the semiconductor substrate comprises a susceptor 2 in a cold wall type reactor 1. - 特許庁
窒化物半導体結晶２は、ＳｉＣ基板１の非極性面又は半極性面上に、結晶成長させる。例文帳に追加
A nitride semiconductor crystal 2 is grown on a non- or semi-polar surface of an SiC substrate 1. - 特許庁
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