「たいせいちょう１ちょうめ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

エピタキシャル層２が十分厚く成長して、トレンチ底部がｎ型半導体基板１の表面より高くなれば成長を終了する。例文帳に追加

When the epitaxial layer 2 is grown to be sufficiently thick, and a trench bottom part becomes higher than the surface of the substrate 1, the growth is ended. - 特許庁

サファイア基板１の最表面にシリコン層２を成長し、その上に窒化物半導体層３を成長する。例文帳に追加

The method of manufacturing the nitride semiconductor is so carried out that a silicon layer 2 is formed on the outermost surface of the sapphire substrate 1, and then a nitride semiconductor layer 3 is grown thereon. - 特許庁

半導体結晶２は所謂ドーム型の断面形状を有するＥＬＯマスク３がマスキングされた結晶成長基板１の結晶成長面１ａ上に成長したものであり、転位４はＥＬＯマスク３の上面略中央から半導体結晶２の結晶成長面２ａまで伸びている。例文帳に追加

The semiconductor crystal 2 is a crystal grown on the crystal growth surface 1a of a crystal growth substrate 1 masked with an ELO mask 3 having so-called dome shaped cross section, and transition 4 extends from about the center of the top of the ELO mask 3 to a crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2. - 特許庁

半導体素子が、部分的に内部に後退した凹部８が表面に形成された結晶成長面を有する基板１と、上記結晶成長面上に成長された、窒化物半導体からなる単層または複数層の半導体層２とを備えてなり、上記結晶成長面において、上記結晶成長面の原子配列構造と上記半導体層２の原子配列構造が同じである。例文帳に追加

The semiconductor element comprises a substrate 1 having a crystal grown face in which partial setback recesses 8 are formed, and a single or a plurality of nitride semiconductor layers 2 grown on the crystal grown face wherein the atomic arrangement structure is identical to that of the semiconductor layer 2 on the crystal grown face. - 特許庁

これは、半導体結晶２の成長に伴って半導体結晶２の結晶成長面２ａが結晶成長基板１の結晶成長面１ａ付近から上方に移動する間にも、半導体結晶２はＥＬＯマスク３の傾斜面付近でこの傾斜面に沿って横方向にも成長できるためである。例文帳に追加

This is because the semiconductor crystal 2 also can grow laterally along the tilted surface of the ELO mask 3 near the surface, while, as the semiconductor crystal 2 increases, the crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2 moves upward from the vicinity of the crystal growth surface 1a of the crystal growth substrate 1. - 特許庁

窒化物半導体結晶２は、ＳｉＣ基板１の非極性面上に、結晶成長させる。例文帳に追加

A nitride semiconductor crystal 2 is grown on a non-polar surface of an SiC substrate 1. - 特許庁

基板１０２の成長面１０２ａに窒化物半導体層がエピタキシャル成長される発光素子１００において、基板１０２は窒化物半導体層と熱膨張係数が異なり、基板１０２の成長面１０２ａは１μｍ以下の周期で形成された複数の凹部１０２ｃを有し、窒化物半導体層は横方向成長を利用して成長される。例文帳に追加

In the light emitting device 100 where the nitride semiconductor layer is grown epitaxially on the growth side 102a of a substrate 102, the substrate 102 has a thermal expansion coefficient different from that of the nitride semiconductor layer, a plurality of recesses 102c are formed in the growth side 102a of a substrate 102 with a period of ≤1 μm, and the nitride semiconductor layer is grown using lateral overgrowth. - 特許庁

チョクラルスキー法により炭素をドープしてシリコン単結晶１を製造する方法において、結晶成長時に、結晶成長方向に対して垂直面内の結晶中心部１５が成長する平均速度と結晶周辺部１６が成長する平均速度との差を±０．１ｍｍ／ｍｉｎ以内となるようにして結晶１を成長する。例文帳に追加

The production method of a silicon single crystal 1 by Czochralski method by doping with carbon is disclosed, wherein the crystal 1 is grown by controlling the difference between an average growing rate of the crystal center portion 15 within a plane perpendicular to the crystal growth direction and an average growing rate of the crystal peripheral portion 16 to be within ±0.1 mm/min during growing the crystal. - 特許庁

無機粒子２を媒体に分散させたスラリーを用いて、該スラリー中へ成長用基板１を浸漬させるか、または該スラリーを成長用基板１上に塗布や噴霧した後、乾燥させることにより、成長用基板１の表面１Ａ上に無機粒子２を配置する。例文帳に追加

The method comprises disposing inorganic particles 2 on a surface 1A of a substrate 1 for growing by using a slurry obtained by dispersing the inorganic particles 2 in a medium, and by dipping the substrate 1 for growing into the slurry or by coating or spraying the slurry onto the substrate 1 for growing and drying it. - 特許庁

成長用基板１の第一主表面上に化合物半導体層２４をエピタキシャル成長した後、化合物半導体層２４の第一主表面に仮支持基板１１０を、高分子結合材１１１を介して貼り合わせ、さらに、成長用基板１を化学エッチング等により除去する。例文帳に追加

After the compound semiconductor layer 24 is epitaxially grown on the first principal surface of the substrate 1 for growth, a temporary supporting substrate 110 is stuck to the first principal surface of the compound semiconductor layer 24 through a polymer binding material 111 and, in addition, the substrate 1 for growth is removed by chemical etching etc. - 特許庁

同年8月29日、国民政府主席の蒋介石は陳儀を台湾省行政長官に任命、9月1日には重慶市にて台湾行政長官公署及び台湾警備総部が設置され、陳儀は台湾警備司令を兼任することとなった。例文帳に追加

On August 29 of the same year, Kai Shek CHIANG, the head of the nationalist government, appointed Yi CHEN as governor of Taiwan province, and with the establishment of Taiwan Security Bureau on September 1, Chen served concurrently as Commander of Taiwan Security.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

そして、半導体基板１にダメージが与えられた状態で、半導体基板１に対してエピタキシャル成長処理を実施する。例文帳に追加

Epitaxial growth treatment is carried out for the semiconductor substrate 1 in a state that the damage is given to the semiconductor substrate 1. - 特許庁

半導体基板１上に半導体層２を介して、磁性混晶半導体３をエピタキシャル成長させ、前記エピタキシャル成長中または成長後に熱処理することにより、半導体中に強磁性微粒子が埋め込まれた磁性体微粒子／半導体複合材料４を形成する。例文帳に追加

On a semiconductor substrate 1, a magnetic mixed crystal semiconductor 3 is formed through epitaxial growth across a semiconductor layer 2, and a heat treatment is carried out in or after the epitaxial growth to form a magnetic body particulate/semiconductor compound material 4, having ferromagnetic particulates embedded in the semiconductor. - 特許庁

オプトエレクトロニクス半導体チップにおいて、 − 多数の凸部（４）および凹部（３）を有する構造化された成長面（２）を備えた成長基板（１）と、 − この成長面（２）にデポジットされるアクティブ層列（５）と有することを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体チップを構成する。例文帳に追加

The electronics semiconductor chip is formed of a growth substrate (1) equipped with a structured growing surface (2) having a lot of protrudes (4) and recesses (3), and an array of active layers (5) deposited on the growing surface (2). - 特許庁

このリチウム電池1は、固体電解質層15の表面におけるリチウム結晶の成長ルートを遮断する位置に、リチウム結晶の成長を物理的に塞き止める遮断層16を有する。例文帳に追加

The lithium battery 1 has a blocking layer 16 physically blocking the growth of lithium crystals in a position blocking a growing route of lithium crystals on the surface of the solid electrolyte layer 15. - 特許庁

エピタキシャル成長用の基板１であって、エピタキシャル成長を行う基板１の表面１ａとは反対の裏面１ｂ側に、部分的に面取り部３がある。例文帳に追加

The substrate is a substrate for epitaxial growth 1 in which a chamfering part 3 is partially on the rear face 1b side opposite to a front face 1a of the substrate 1 which is subjected to epitaxial growth. - 特許庁

ＧａＮ系単結晶基板１の成長主面はｍ面となっており、ＧａＮ系単結晶基板１上に形成されたＧａＮ系半導体層２の成長主面もｍ面となる。例文帳に追加

A growth main surface of the GaN-based single crystal substrate 1 is an (m) plane and a growth main surface of the GaN-based semiconductor layer 2 formed on the GaN-based single crystal substrate 1 is also an (m) plane. - 特許庁

親水性長繊維は１０〜６０％の捲縮率を有し、且つ該長繊維のウエブ２が吸収体１の平面方向に高度に配向している。例文帳に追加

The hydrophilic long fiber has a crimp percentage of 10-60%, and the web 2 of the long fiber is highly oriented in the planar direction of the absorber 1. - 特許庁

そして、一定温度に昇温された電気炉内で、上部部材６の融液溜め８に貯溜されている融液を成長室３内に注入した後、電気炉内を降温することによって半導体基板１のエピタキシャル成長面に結晶を成長させる。例文帳に追加

The melt stored in the melt reservoir 8 of the upper member 6 is injected into the growth chambers 3 in an electric furnace heated up to a prescribed temperature and the temperature of the interior of the electric furnace is reduced to thereby grow the crystal on the epitaxial growth surface of the semiconductor substrate 1. - 特許庁

成長用基板の第一主表面上に化合物半導体層５０をエピタキシャル成長した後、化合物半導体層５０の第一主表面に仮支持基板１１０を、仮支持結合層１１１を介して貼り合わせ、さらに、成長用基板を化学エッチング等により除去する。例文帳に追加

After the compound semiconductor layer 50 is epitaxially formed on the first principal surface of the substrate 1 for growth, a temporary supporting substrate 110 is stuck to the first principal surface of the compound semiconductor layer 50 through a temporary supporting binding layer 111; and in addition, the substrate for growth is removed by chemical etching or the like. - 特許庁

本発明は、透光性材料からなる結晶成長用基板１ａ，２ａ，３ａ，４ａに気相成長によりシンチレータ１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂを堆積したパネル１，２，３，４を、複数積層したことを特徴とするシンチレータパネルを提供する。例文帳に追加

This scintillator panel is constituted by laminating a plurality of panels 1, 2, 3, 4 where the scintillators 1b, 2b, 3b, 4b are deposited by vapor phase growth on crystal growth substrates 1a, 2a, 3a, 4a comprising a translucent material. - 特許庁

その際、成長させる基板１２の厚さを、２００μｍ以上でかつ成長用基体１１と基板１２との熱膨張率の差により生じる基板１２の曲率が０．０３ｃｍ^-1以下となるようにする。例文帳に追加

Thickness of the substrate 12 to be grown is set at 200 μm or above and the curvature of the substrate 12 caused by the difference of coefficient of thermal expansion between the growth substrate 11 and the substrate 12 is set at 0.03 cm-1 or less. - 特許庁

しかし清朝の重臣李鴻章らの反対により調印には至らず、明治14年（1881年）1月には交渉を打ち切って帰国した。例文帳に追加

However due to opposition by Hung Chang LI, senior vassal in the Qing dynasty, the agreement was not sealed and Tamaki broke off the negotiations and returned to Japan in January 1881.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

GaAs基板１上に半導体層２を成長させ、半導体層２を耐熱性紫外光剥離テープ５を介して透明支持体４に貼り付ける。例文帳に追加

A semiconductor layer 2 is grown on a GaAs substrate 1 and the semiconductor layer 2 is stuck to a transparent support 4 by means of a heat-resisting ultraviolet-light peeling tape 5. - 特許庁

窒化物半導体結晶７は、ＳｉＣ基板１のＭ面（１０−１０）上に、ＭＯＣＶＤ法等によって形成され、その成長表面がＭ面で成長する。例文帳に追加

A nitride semiconductor crystal 7 is formed on an M plane (10-10) of the SiC substrate 1 by the MOCVD method or the like, and the growth surface is grown on the M plane. - 特許庁

原料溶液１に満たされた成長容器２内で半導体ウェハー３上に結晶薄膜を成長させる液相エピタキシャル成長方法において、半導体ウェハー３表面に付着してエピタキシャル成長を阻害する大きさの多結晶体が入り込まないように、半導体ウェハー３を平行に間隔をおいて配置する。例文帳に追加

In a liquid phase epitaxial growth method for growing the crystal thin film on a semiconductor wafer 3 inside a growth container 2 filled with a raw material solution 1, the semiconductor wafers 3 are arranged in parallel with one another at intervals so as to eliminate the incorporation of polycrystals which have dimensions to adhere to the surface of the semiconductor wafer 3 and inhibit epitaxial growth. - 特許庁

ポリイミド樹脂膜３をマスクとして、ストライプ状の開口部４から露出したＧａＡｓ基板１の表面に、有機金属気相成長法もしくは分子線成長法によって、基板と同一材料のリッジ部となる半導体層であるＧａＡｓ層５を成長させる。例文帳に追加

Then, a GaAs layer 5 being a semiconductor layer as the ridge constituted of the same materials as those of the substrate is grown by a metal organic vapor phase growing method or a molecular beam growing method on the surface of the GaAs substrate 1 exposed from the stripe-shaped opening 4 by using the polyimide resin film 3 as a mask. - 特許庁

このようなオフ面を有するｎ−ＧａＮオフ基板１上に窒化物系半導体層を成長させる場合、窒化物系半導体層の結晶成長が主としてステップフローモードで起こる。例文帳に追加

When a nitride semiconductor layer is grown on the n-GaN off substrate 1 comprising the off surface, the crystal growth of the nitride semiconductor layer takes place mainly in step flow mode. - 特許庁

本発明では、ＧａＡｓ基板上に、Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_1-x-yＮ層(０≦x,y≦１)を成長させる化合物半導体の成長方法において、該Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_1-x-_yＮ層に、原子半径がＮよりも大きいＶ族元素を1×１０^17ｃｍ^-3から１×１０^23ｃｍ^-3までの濃度範囲だけ添加する工程を含む化合物半導体の成長方法を提供する。例文帳に追加

The method of growing a compound semiconductor, in which an InxGayAl1-x-yN layer (0≤x, y≤1) is grown on a GaAs substrate includes a process of adding group V elements, having an atomic radius larger than that of N, in a density that ranges from 1×1017 to 1×1023 cm-3, to the InxGayAl1-x-yN layer. - 特許庁

サファイア基板１上にＧａＮ層２を成長させ、その表面に無機マスク３をＧａＮ層表面が実質平坦になるよう形成し、半導体成長用基板とする。例文帳に追加

A GaN layer 2 is grown on a sapphire substrate 1, an inorganic mask 3 is formed on the GaN layer so that a surface of the GaN layer becomes substantially flat, thereby obtaining a semiconductor growth substrate. - 特許庁

本発明の真空処理装置１を用いれば、大面積の処理対象物７にも、面内膜厚分布の均一性が高い薄膜が成長される。例文帳に追加

A thin film exhibiting high uniformity in in-plane film thickness distribution even for the treatment object 7 of a large area can be grown by using the inventive vacuum treatment apparatus 1. - 特許庁

第十一条　処分又は裁決をした行政庁（処分又は裁決があつた後に当該行政庁の権限が他の行政庁に承継されたときは、当該他の行政庁。以下同じ。）が国又は公共団体に所属する場合には、取消訴訟は、次の各号に掲げる訴えの区分に応じてそれぞれ当該各号に定める者を被告として提起しなければならない。例文帳に追加

Article 11 (1) Where an administrative agency that has made an original administrative disposition or administrative disposition on appeal (in cases where the authority of the administrative agency that made the original administrative disposition or administrative disposition on appeal has later been succeeded to by another administrative agency, such other administrative agency; the same shall apply hereinafter) is affiliated with the State or a public entity, any action for the revocation of said administrative disposition shall be filed against the person specified in each of the following items according to the categories of actions listed in the respective items:  - 日本法令外国語訳データベースシステム

半導体基板の主表面に薄膜を気相成長させる気相成長装置１００は、コールドウォール型の反応炉１の中にサセプタ２を備えている。例文帳に追加

A vapor phase growth apparatus 100 for vapor-growing the thin film on the principal surface of the semiconductor substrate comprises a susceptor 2 in a cold wall type reactor 1. - 特許庁

（ａ）半導体基板１の主表面に、液相エピタキシャル成長用溶液に反応溶解し、かつ、エピタキシャル成長層の一部を構成する金属層１ａを形成する。例文帳に追加

A metal layer 1a, which is molten by reacting to a solution for liquid phase epitaxial growth, comprising one part of the epitaxial growing layer is formed on the principal surface of a semiconductor wafer 1 (a). - 特許庁

基板１に対してダイヤモンド結晶粒の（００１）面を選択的に残す成長条件の化学気相成長法により結晶方位が配向した高配向性ダイヤモンド膜を形成する。例文帳に追加

The highly oriented diamond film in which the crystal orientation exists is formed by a chemical vapor deposition method adopting a deposition condition such that the (001) plane of the diamond crystal grains is selectively left to the substrate 1. - 特許庁

2010 年第1 四半期のGDPは13.1％増と高成長を実現したが、シンガポール政府によると、製造業では半導体、バイオメディカル産業が成長に寄与したと発表されている。例文帳に追加

Singapore achieved high economic growth of 13.1% in the first quarter of 2010 and the government announced that its major contributors were semiconductor of manufacturing industry and biomedical industry. - 経済産業省

半導体レーザダイオード７０において、非極性面を主面とする基板１の主面にｐ型半導体層１２を成長させる。例文帳に追加

A semiconductor laser diode 70 has a p-type semiconductor layer 12 grown on a principal surface of a substrate 1 having a nonpolar surface as the principal surface. - 特許庁

窒化物半導体結晶２は、ＳｉＣ基板１の非極性面又は半極性面上に、結晶成長させる。例文帳に追加

A nitride semiconductor crystal 2 is grown on a non- or semi-polar surface of an SiC substrate 1. - 特許庁

半導体基板１の表面の一部をマスクし、選択エピタキシャル成長により櫛形の断面形状を有する凹凸構造を形成する。例文帳に追加

A part of the surface of a semiconductor substrate 1 is masked, and an uneven structure which has a comb-shaped cross section is made by selective epitaxial growth. - 特許庁

持続可能な成長のために世界が解決すべき大きな課題の1 つが地球温暖化、エネルギー対策である。例文帳に追加

One of big problems that the world should solve for sustainable growth is global warming and energy measures. - 経済産業省

ＳｉＣ単結晶からなるＳｉＣ基板１の主表面直上に、ハイドライド気相成長法にてＳｉＣエピタキシャル層９をホモエピタキシャル成長させ、該ＳｉＣエピタキシャル層９の上に、有機金属気相成長法にてＧａＮ系化合物半導体層３をヘテロエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

The method of manufacturing the heteroepitaxial wafer includes the steps of homoepitaxially growing an SiC epitaxial layer 9 by a hydride vapor deposition directly on the main surface of the SiC substrate 1 made of an SiC single crystal, and heteroepitaxially growing the GaN compound semiconductor layer 3 by an organic metal vapor deposition on the SiC epitaxial layer 9. - 特許庁

第１の窒化物半導体１１表面に、選択的に第１の表面１と、該第１の表面１よりも窒化物半導体の成長速度の大きい第２の表面２とを形成する工程と、該工程の後、第１の窒化物半導体１１の第１の表面１及び第２の表面２に第２の窒化物半導体１２を成長させる工程とを具備してなることを特徴とする。例文帳に追加

This growth method possesses a process of selectively forming a first surface 1 on the surface of a first nitride semiconductor 1 and a second surface 2 larger in the growth speed of a nitride semiconductor than that first surface, and a process of growing the a second nitride semiconductor 12 on the first surface 1 and the second surface of the first nitride semiconductor 1. - 特許庁

しかる後、３−５族窒化物半導体３と成長基板１との界面付近に光を照射して３−５族窒化物半導体３の上記界面近くの領域を分解し、３−５族窒化物半導体３を成長基板１から分離する。例文帳に追加

Then, around the interface between the group III-V nitride semiconductor 3 and the growth substrate 1, light is projected to decompose the region near the interface of the group III-V nitride semiconductor 3, separating the group III-V nitride semiconductor 3 from the growth substrate 1. - 特許庁

半導体基板１の上面にはｎ型エピタキシャル層４が選択的にエピタキシャル成長されている。例文帳に追加

N-type epitaxial layers 4 are epitaxially grown selectively on the surface of the semiconductor substrate 1. - 特許庁

ついで、ｎ型半導体基板１およびｐ型エピタキシャル層３の露出面上にｎ型エピタキシャル層４をエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

Then an n-type epitaxial layer 4 is grown on the exposed surfaces of the semiconductor substrate 1 and p-type epitaxial layer 3. - 特許庁