「たいせいちょう１ちょうめ」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体基板１を下地として結晶成長させた突起（プローブ）２を複数有するマルチプローブタイプのセンサであって、プローブ２の表面にアミノ基が固定され、試料中の水素イオン濃度（ｐＨ）に感応する機能を有することを特徴とする。例文帳に追加

In a multi probe-type sensor having a plurality of projections (probe) 2 formed by crystal growth on a semiconductor substrate 1 as a base, an amino group is fixed to surfaces of the probes 2 to have a function sensing hydrogen ion concentration (pH) in the sample. - 特許庁

単結晶の絶縁性基板１上に、Ｓｉ濃度が４×１０^１９ｃｍ^−３以上である高濃度ＳｉドープＧａＮバッファ層２をエピタキシャル成長し、このＳｉドープＧａＮバッファ層２上に、エピタキシャル成長法により単結晶の結晶構造を有する窒化物半導体層３を形成する。例文帳に追加

A high density Si-doped GaN buffer layer 2 having an Si concentration of 4×10^19cm^-3 or higher is epitaxially grown on a single crystal insulating substrate 1, and the nitride semiconductor layer 3, having a crystal structure of a single crystal is formed by an epitaxially growing method. - 特許庁

基板上に予形成された窒化ガリウム（０００１）表面上に、ガリウム金属クラスタが成長阻害要因として生成されない比率以下で、窒素原子Ｎとガリウム原子Ｇａとの供給比を１：２以上としたガリウム原子供給過多状態において窒素原子Ｎとガリウム原子Ｇａとを供給することにより、分子線エピタキシャル法で窒化ガリウムを成長させる。例文帳に追加

Gallium nitride is grown by the molecular beam epitaxial method by supplying nitrogen atoms N and gallium atoms Ga under a gallium atom oversupply condition under which the supply ratio of nitrogen atoms N and gallium atoms Ga is set at 1:2 or above at a ratio at which gallium clusters are not formed as a factor to hinder their growth or below onto a gallium nitride (0001) surface preformed on a substrate. - 特許庁

ＨＢＴ２０は、（１００）面を主面とする半絶縁性Ｇa Ａs 基板１上に、エピタキシャル成長法により、順次、エピタキシャル成長させた、ｎ^+−ＧａＡｓサブコレクタ層２、ｎ^- −ＧａＡｓコレクタ層３、傾斜型ＧａＡｓ_1-___X Ｎ_X ベース層４、及びｎ−ＩｎＧａＰエミッタ層５からなるヘテロ接合の半導体積層構造を備えている。例文帳に追加

An HBT(heterojunction bipolar transistor) 20 is equipped with a heterojunction of semiconductor stack structure consisting of an n+-GaAs sub collector layer 2, an n-GaAs collector layer 3, a tilting type GaAs1-XNX base layer 4, and an n-InGaP emitter layer 5, epitaxially grown in order by epitaxial growth layer on an semiinsulating GaAs substrate 1 whose main face is (i00) face. - 特許庁

(1) 指定官庁又は選択官庁としてのハンガリー特許庁は，出願人の特別の請求により，国際特許出願の実体審査を行う。請求は，第84/S条(3)に定める行為と同時に又は新規性調査の実行に関する公式情報の日から遅くとも6月以内に提出しなければならない。例文帳に追加

(1) The Hungarian Patent Office as a designated or an elected Office shall carry out the substantive examination of the international patent application at the special request of the applicant. The request may be filed simultaneously with the acts prescribed in Article 84/S(3), or within six months at the latest after the date of the official information on the performance of novelty search. - 特許庁

半導体素子１と金属板２との間において、突起３を中心に放射状にメッキ４が成長する構成としたことにより、半導体素子１と金属板２との接合部分にボイドが発生することがなく、確実に接合することができる。例文帳に追加

Plating 4 is radially grown at the center of a projection 3 between the semiconductor element 1 and a metal plate 2, so that the semiconductor element 1 and the metal plate 2 can be surely bonded without void in the bonding section therebetween. - 特許庁

処理対象の皮膚の体毛の成長を調節するための光を発する発光部１と、発光部１が発する光を透過させて外部に照射する光学パネル２と、開閉自在に設けられ閉塞時には光学パネル２の外側面を覆うシャッター３とを備える発毛調節光照射装置である。例文帳に追加

This light irradiation apparatus for controlling hair growth includes: a light emitting section 1 emitting a light for controlling the growth of body hair of a treated skin; an optical panel 2 transmitting the light emitted by the light emitting section 1 and irradiating the outside; and a shutter 3 openably/closably provided and covering the outside surface of the optical panel 2 in closure. - 特許庁

軽油が添加されても燃焼熱が前段触媒１にこもることなく排ガスを介してフィルタ触媒２に伝達されるため、前段触媒１のPtの粒成長が抑制され、フィルタ触媒２に堆積したPMが効率よく燃焼する。例文帳に追加

Even if gas oil is added, combustion heat is transmitted to the filter catalyst 2 through exhaust gas without being kept in the prior-stage catalyst 1, so that the particle growth of Pt in the prior-stage catalyst 1 is suppressed, and PM deposited on the filter catalyst 2 is efficiently burnt. - 特許庁

この窒化物系半導体の形成方法は、Ｓｉ基板１の上面を加工することによって、Ｓｉ基板１の上面に、Ｓｉからなる複数の円柱状部１ａを形成する工程と、その複数の円柱状部１ａ上に、ｎ型ＧａＮ層５を成長させる工程とを備えている。例文帳に追加

A method of forming a nitride system semiconductor device includes a step in which a plurality of columns 1a made of Si are formed on an upper surface of an Si substrate 1 by machining the upper surface of the Si substrate 1, and a step in which an n-type GaN layer 5 is made to grow on the plurality of columns 1a. - 特許庁

国内市場が縮小傾向にある一方で、高い経済成長を続けるアジア等新興国では、本章第1節でも議論したとおり、「都市部中間層」を含めて、購買力を有し、かつ、我が国消費者と共通志向を有する消費者群が台頭している。例文帳に追加

While domestic markets are contracting, as discussed in Section 1 of this chapter, in rapidly growing countries in Asia and other emerging countries, there are an increasing number of consumers, primarily in the “urban middle class,” both with buying power and with a consumption orientation similar to that of Japanese consumers. - 経済産業省

治具本体２の表面に基板３を保持し、治具本体２の裏面からヒーター４で加熱して基板３に結晶をエピタキシャル成長させる治具１において、治具本体２の裏面に多数の凹凸部５を形成したものである。例文帳に追加

In a tool 1, a substrate 3 is held on the surface of a tool body 2, the substrate 3 is heated by a heater 4 from the rear surface of the tool body 2 for epitaxial growth of crystal, and uneven sections 5 are formed on the rear surface of the tool body 2. - 特許庁

この保持部材４を、その両面のうち凹状をなす側の面部４ａが湾曲部Ｒにおいて外側となる形態で移動体１に連結し、可撓性長尺物２を、保持部材４の外側となる面部４ａに非接着状態に添設している。例文帳に追加

The holding member 4 is connected to the moving body 1 in a form that a face 4a of a side making a recess out of both faces is located outside on a bent part R, and the flexible lengthy object 2 is attached while a face 4a which is located outside the holding member 4 is in a non-contact state. - 特許庁

車両のシート本体１およびブレーキペダル３を制御手段２５によって各別に前後方向に移動させて運転者の運転姿勢を調節可能な運転姿勢調節装置Ｙにおいて、エンジン始動の際に、シート本体１を通常の運転位置よりも後方に位置させ、ブレーキペダル３をシート本体１から予め設定した距離Ｄだけ離間した乗車位置に設定する。例文帳に追加

This driving position adjusting device Y free to adjust a driving position of a driver by moving a seat body 1 and a brake pedal 3 of a vehicle separately in the longitudinal direction by a control means 25 is devised to position the seat body 1 in the rear of a normal driving position and to set the brake pedal 3 at a riding position separated from the seat body 1 by a previously set distance D. - 特許庁

また、抗火石の板１には予め生分解材料や炭粉、廃材粉、肥料等が含侵され、このような抗火石の板１を使用することによって、セダム類の成長を早め、炭粉や廃材粉の含侵によって雨水等の浄化を行うことができる。例文帳に追加

The Kokaseki plate 1 is impregnated with a biodegradable material, charcoal powder, waste wood powder, fertilizer, or the like, before use to promote the growth of sedums and to clean rainwater by the impregnated charcoal powder and waste wood powder. - 特許庁

決して水が豊富にあるとは言えない我が国は、過去の高度経済成長期には、急速な人口成長と経済成長による環境変化に直面し、工業用水のリサイクル促進（現在、工業用水回収率は約8割）や生活用水の漏水率の低減（現在、漏水率は1割以下）等、効率的な節水技術及び水管理システムの確立によって、水問題に対応してきたところであり、こうした技術やノウハウをいかせば、世界の水問題の解決に向けた貢献が可能である。例文帳に追加

Japan, which was never a water-rich nation, faced environmental changes caused by a rapid population increase and economic growth during a sharp economic growth period. It has tackled the problems by establishing efficient water-saving technologies and water management systems, which include the promotion of recycling industrial water (approximately 80 percent of industrial water is recovered) and lowering the leakage rate of water for domestic use (the leakage rate is below 10 percent). Such technologies and know-how can contribute to the solution of global water problems. - 経済産業省

本発明の半導体装置は、第1導電型の半導体層に所定の離間間隔を有して形成した溝に、前記第1導電型と反対の導電型を示す第２導電型の半導体材料をエピタキシャル成長によって埋設形成した溝埋設層を有しており、該溝埋設層によって前記半導体層に繰返しＰＮ構造を備えており、前記溝埋設層内に、間隙を有することを特徴とする。例文帳に追加

This semiconductor device is provided with: a groove-embedded layer in which a second conductivity-type semiconductor material indicating conductivity type opposite to a first conductivity type is embedded and formed by epitaxial growth in grooves each formed on a first conductivity-type semiconductor layer at a predetermined spaced distance; a repetitive PN structure on the semiconductor layer by the groove-embedded layer; and a gap in the groove-embedded layer. - 特許庁

第十八条　当事者及び当該不利益処分がされた場合に自己の利益を害されることとなる参加人（以下この条及び第二十四条第三項において「当事者等」という。）は、聴聞の通知があった時から聴聞が終結する時までの間、行政庁に対し、当該事案についてした調査の結果に係る調書その他の当該不利益処分の原因となる事実を証する資料の閲覧を求めることができる。この場合において、行政庁は、第三者の利益を害するおそれがあるときその他正当な理由があるときでなければ、その閲覧を拒むことができない。例文帳に追加

Article 18 (1) Parties and intervenors whose interests would be harmed by a particular Adverse Disposition (referred to in this Article and in Article 24, paragraph 3 as "parties, etc.") may, between the time when notice of a hearing is given and the time when the hearing is concluded, request from the administrative agency concerned the inspection of records indicating the results of investigations on the matter in question and other materials which prove the facts upon which the anticipated Adverse Disposition will be based. In this case, administrative agencies may not reject inspection requests unless there is a risk that the interests of third parties would be harmed or unless there is some other justifiable grounds.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

もやしの製造方法においては、この栽培床を用いて水耕栽培する場合に、栽培用土の中に播種して種子を発芽させ、収穫時までその芽が栽培用土に覆われた状態で成長させてもやしとすることを特徴とする。例文帳に追加

In the method, bean sprouts are made through sowing seeds 5 on the cultivation soil 1 followed by sprouting and growing the sprouts in a condition of being covered with the cultivation soil until harvest time in the case of performing hydroponics using the cultivation bed. - 特許庁

濃度２０％以上のＨＣｌガスを用いて、１０００℃以上１２００℃以下でパージ処理し、表面粗さＲ_ｍｓを０．１８ｎｍ以上としたシリコン基板１上に、ＳｉＧｅ層２をエピタキシャル成長させることを特徴とする半導体基板の製造方法を用いる。例文帳に追加

The method of producing a semiconductor substrate characterised in that an SiGe layer 2 is grown epitaxially on the silicon substrate 1 subjected to purging at a temperature of 1,000-1,200°C using HCl gas having a concentration of 20% or above to have a surface roughness R_ms of 0.18 nm or above, is used. - 特許庁

５　第一項又は第三項の規定により国又は公共団体を被告として取消訴訟が提起された場合には、被告は、遅滞なく、裁判所に対し、前項各号に掲げる訴えの区分に応じてそれぞれ当該各号に定める行政庁を明らかにしなければならない。例文帳に追加

(5) Where an action for the revocation of an administrative disposition is filed against the State or a public entity pursuant to the provisions of paragraph (1) or paragraph (3), the defendant shall clearly indicate to the court, without delay, the administrative agency specified in each of the following items according to the categories of actions listed in the respective items.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

ｐ^＋形半導体基板１の表面にｎ^−形半導体層２が、たとえばエピタキシャル成長により設けられ、そのｎ形半導体層２表面に所定間隔でｐ形の第１拡散領域３および第２拡散領域４が設けられている。例文帳に追加

An n-type semiconductor layer 2 is provided on the surface of a p^+-type semiconductor substrate 1 by, for example, epitaxial growth, and a first diffused layer 3 and a second diffused layer 4 of p-type are provided at a specified interval at the surface of the n-type semiconductor layer 2. - 特許庁

第四十一条　法務大臣は、更生保護法人が、法令、法令に基づいてする行政庁の処分若しくは定款に違反し、又はその運営が著しく適正を欠くと認めるときは、当該更生保護法人に対し、期限を定めて必要な措置をとるべきことを命ずることができる。例文帳に追加

Article 41 (1) When the Minister of Justice finds that a juridical person for offenders rehabilitation has violated laws and regulations or a decision of the administrative agency rendered pursuant to laws and regulations or the articles of incorporation, or operation thereof is seriously inappropriate, he/she may order the juridical person for offenders rehabilitation to take necessary measures within a period which the Minister of Justice shall specify.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

第四十六条　行政庁は、厚生労働省令で定めるところにより、労働者を使用する者、労働保険事務組合又は第三十五条第一項に規定する団体に対して、この法律の施行に関し必要な報告、文書の提出又は出頭を命ずることができる。例文帳に追加

Article 46 An administrative agency may, pursuant to the provisions of an Ordinance of the Ministry of Health, Labour and Welfare, order a person who employs worker(s), a labor insurance affairs association or an association prescribed in Article 35, paragraph (1) to make a report, submit a document or make an appearance as necessary for the enforcement of this Act.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

芳香族系テトラカルボン酸と芳香族系テトラアミンを縮合して得られる複素環状高分子からなるグラファイト層２と、当該グラファイト層２の表面上に設けられ、当該グラファイト層２の表面を成長面とする半導体層４とを備えた半導体基板１。例文帳に追加

The semiconductor substrate 1 includes a graphite layer 2 which is composed of a heterocyclic polymer obtained by condensing an aromatic tetracarboxylic acid and an aromatic tetraamine, and a semiconductor layer 4 provided on the surface of the graphite layer 2 and using the surface of the graphite layer 2 as a growth surface. - 特許庁

この保持部材４を、その両面のうち凹状をなす側の面部４ａが湾曲部Ｒにおいて外側となる形態で移動体１に連結し、可撓性長尺物２を、保持部材４の外側となる面部４ａに摺動可能に添設している。例文帳に追加

The holding member 4 is connected to the moving body 1 in such a fashion that its face 4a on the concave side out of both faces is situated outside of a curved portion R, and the flexible long object 2 is slidably attached to the face 4a situated outside of the holding member 4. - 特許庁

本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板に溝部を形成し、第1の開口部の底面と溝部の底面に酸化膜を成長させて第１の分離膜及び第２の分離膜を形成し、第２の分離膜上にＰｉＰ容量素子を形成する工程を含む。例文帳に追加

A method of manufacturing the semiconductor device of the present invention includes the steps of: forming the groove portion on the semiconductor substrate; forming a first separation film and a second separation film by growing the oxide film on a bottom surface of a first opening and a bottom surface of the groove portion; and forming the PiP capacitive element on the second separation film. - 特許庁

気相成長装置は、処理面をガス流路に配置するように被処理基板３１を支持するための基板支持部材２３ａと、第１ヒータ１と、被処理基板３１に対して第１ヒータよりも離れて配置された第２ヒータ３ａとを含む。例文帳に追加

The vapor phase growth apparatus includes a substrate supporting member 23a for supporting a substrate 31 so as to arrange a processing surface in a gas flow passage, a first heater 1, and a second heater 3a arranged separate from the first heater with respect to the substrate 31. - 特許庁

おもて面の面方位を（０００−１）面とする半導体基板１上に、エピタキシャル成長法によってｎ^-ドリフト領域２、ｐベース領域３およびｎ^+ソース領域４をこの順に積層した炭化珪素半導体を形成する。例文帳に追加

A silicon carbide semiconductor is formed, wherein an n^- drift region 2, a p-base region 3 and an n^+ source region 4 are laminated in this order by an epitaxial growth method on a semiconductor substrate 1 containing a plane orientation of a front surface as a (000-1) plane. - 特許庁

バリウムヘキサフェライトのコロイド状ナノ粒子の形成は、超臨界水(SCW)条件下に、(1)最初に、混合点で超臨界水と前駆体液が混ぜられ、単一のナノ結晶が形成され、(2)次に、有機分子が高温の水と混和せしめられ、(3)最後に、有機分子と特定の無機結晶の表面とが選択的に反応することによって、ナノ粒子の制御された成長が起こる。例文帳に追加

The formation and controlled growth of colloidal nanoparticle of barium hexaferrite occurs under a supercritical water (SCW) condition by (1) firstly, mixing supercritical water and a precursor liquid at a mixing point to form a single nanocrystal, (2) next, mixing an organic molecule with high temperature water, and (3) lastly, reacting selectively the organic molecule and the surface of a specific inorganic crystal. - 特許庁

1 - 構造的アプローチ：経済モデル及び経済理論に基づき、大規模な一次産品生産者を含む固有の状況（例：人口動態、石油収支、成長トレンド）を考慮する方法により、それぞれの項目に関して G20 メンバーを評価する。例文帳に追加

1 - A structural approach, which is based on economic models and grounded in economic theory, which benchmarks G20 members against each indicator in a way that takes into account specific circumstances including large commodity producers (e.g. its demographic profile, oil balance or trend growth).  - 財務省

ハロゲンランプ８を加熱源として有する、浮遊帯域溶解法によってシリコン単結晶の成長を行う赤外線イメージ炉２内のシリコン融液１の温度を、シリコン融液１の放射光から高精度に測定する。例文帳に追加

To measure the temperature of a silicon fused liquid 1 in an infrared image furnace 2 having a halogen lamp 8 as a heating source and growing a silicon single crystal by a floating zone fusing method from the irradiated light of the silicon fused liquid 1 with high precision. - 特許庁

あるいは、基板３上の触媒粒子を核として成長させたカーボンナノチューブ４を、エッチング箔１の表面に形製された凹凸部１ａを介してエッチング箔１と一体化して、電気二重層キャパシタ用電極を作成する。例文帳に追加

Alternatively, carbon nanotubes 4 grown using catalytic particles on a substrate 3 as cores is integrated with the etching foil 1 through the irregular part 1a formed on a surface of the etching foil 1, to manufacture the electrode for the electric double-layer electric capacitor. - 特許庁

あるいは、基板３上の触媒粒子を核として成長させたカーボンナノチューブ４を、エッチング箔１の表面に形成された凹凸部１ａを介してエッチング箔１と一体化して、電気二重層キャパシタ用電極を作成する。例文帳に追加

Alternatively, the carbon nanotube 4 with a catalytic particle grown up on a substrate 3 as a core is integrated with the etching foil 1 through the irregularities 1a on the surface of the etching foil 1, to constitute the electrode for the double-layer electric capacitor. - 特許庁

（１１１）面を主面とし一般式（Ｌａ_ａＳｒ_１−ａ）（Ａｌ__ｂＴａ_１−ｂ）Ｏ_３（０＜ａ＜１、０＜ｂ＜１）で表わされる複合酸化物の単結晶から成り、主面を窒化処理して形成した窒化物膜あるいはＳｉＣ膜を有する窒化物半導体用成長基板を用いる。例文帳に追加

The nitride semiconductor growth substrate having (111) face as a main face, consisting of monocrystal of composite oxide expressed by a general expression (La_aSr_1-a)(Al_bTa_1-b)O_3 (0<a<1, 0<b<1), and having a nitride film or a SiC film formed by treating the main face with nitride is used. - 特許庁

半絶縁性ＧａＡｓ基板１上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体をエピタキシャル成長させた電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハの基板１に、酸素濃度が３．０×１０^１６／ｃｍ^３以下の基板を用いる。例文帳に追加

A substrate having an oxygen concentration not larger than 3.0 × 10^16/cm^3 is used as a substrate 1 of an epitaxial wafer for field effect transistors wherein a III-V group compound semiconductor is grown on the semi-insulating GaAs substrate 1. - 特許庁

若年者の定着率に差が出ている取組は、〔1〕意見交換や相談がしやすいなどの「風通しの良い職場づくり」、〔2〕キャリアパスの明示や目標管理制度、教育などの「若年従業員の成長を促進する取組」の2つにおおむね大別できる。例文帳に追加

The measures that are associated with differences in the retention rate can be broadly categorized into two groups: 1) measures to create a more “open” workplace in which views can be exchanged and advice more easily sought, and 2) measures to encourage the growth of younger workers’ development, such as by delineating clear career paths, adopting management by objective, and providing training. - 経済産業省

６００℃以上の温度で塩素系ガス雰囲気に対して曝露される耐蝕性部材１が、窒化アルミニウムからなる焼結体６、および焼結体６の表面を被覆する化学的気相成長法によって形成された炭化珪素膜５を備えている。例文帳に追加

This member 1 to be exposed in a chlorine based gas atmosphere at ≥600°C is provided with a sintered compact 6 consisting of aluminum nitride and a silicon carbide film 5 coated on the surface of the sintered compact 6 and formed by a chemical vapor deposition method. - 特許庁

第百六条　行政庁は、第百五条の三第二項の規定により報告を徴し、又は第百五条第二項若しくは前条第一項の規定により検査をした場合において、組合若しくは中央会の業務若しくは会計が法令若しくは法令に基づいてする行政庁の処分若しくは定款、規約、共済規程若しくは火災共済規程に違反し、又は組合若しくは中央会の運営が著しく不当であると認めるときは、その組合又は中央会に対し、期間を定めて必要な措置を採るべき旨を命ずることができる。例文帳に追加

Article 106 (1) In the case when an administrative agency has collected reports pursuant to the provisions of Article 105-3, paragraph (2) or has carried out an inspection pursuant to the provisions of Article 105, paragraph (2) or paragraph (1) of the preceding Article, if it finds that the operations or accounting of the cooperative or the FSBA violates a law or an ordinance, a disposition given by an administrative agency based on a law or an ordinance, the articles of association, the constitution, mutual aid rules or fire mutual aid rules, or that the administration of the cooperative or the FSBA is extremely unjust, it may order the cooperative or the FSBA to take necessary measures within a certain period.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

第五十条　行政庁は、この法律を施行するために必要な限度において、厚生労働省令で定めるところにより、職業紹介事業、労働者の募集又は労働者供給事業を行う者に対し、必要な事項を報告させることができる。例文帳に追加

Article 50 (1) To the limit necessary for the implementation of this Act, administrative agencies may, pursuant to the provisions of an Ordinance of the Ministry of Health, Labour and Welfare, have persons who carry out employment placement businesses, labor recruitment or labor supply businesses report on necessary matters.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

第二十七条の二　発起人は、創立総会終了後遅滞なく、定款並びに事業計画、役員の氏名及び住所その他必要な事項を記載した書面を、主務省令で定めるところにより、行政庁に提出して、設立の認可を受けなければならない。例文帳に追加

Article 27-2 (1) The founders shall, without delay after the conclusion of the organizational meeting, submit the articles of association, activity plan, and documents stating the names and domiciles of the officers and other necessary matters to an administrative agency, pursuant to the provisions of an ordinance of the competent ministry, and obtain approval for the formation.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

次に、シリコン窒化膜からなる反射防止膜１７を気相成長法によりＰ型シリコン基板１全面に堆積し、メモリトランジスタのゲートの上面および両側面と第２活性領域５上の多結晶シリコン膜１０上を覆う。例文帳に追加

The method further comprises the steps of depositing an antireflection film 17 made of a silicon nitride film on an overall surface of the substrate 1 by a vapor phase growing method, and coating an upper surface of the gate of the transistor, on both side faces and a polycrystal silicon film 10 on a second active region 5. - 特許庁

このディザマトリクスは、縦横にそれぞれ４個ずつ（４列×４行）配置された１６個のサブマトリクスのうち、２列目又は４列目でかつ２行目又は４行目の４個のサブマトリクスについては、「１」〜「３２」のしきい値がドット２個分連続して成長するように設定されている。例文帳に追加

In the dither matrix, four sub-matrices in the second or fourth train and the second of fourth line among sixteen sub-matrices arranged four pieces each (4 trains×4 lines) crosswise, are respectively established so that the thresholds of "1" to "32" grow continuously for two dots. - 特許庁

析出用基板１は、進行方向の上流側から斜め方向に下降されて溶湯１５に浸漬された後、進行方向の下流側に斜め方向に上昇されて溶湯１５から引き上げられることによって、浸漬された部分に溶湯１５の凝固成長した半導体基板２を得る。例文帳に追加

A substrate for deposition 1 is lowered diagonally to be dipped in a molten metal 15 and then lifted up diagonally to a downstream side along its moving direction to be pulled up from the molten metal 15, where a semiconductive substrate 2 solidified and grown from the molten metal 15 is formed at the dipped part. - 特許庁

本発明のIII族窒化物半導体基板は、下地基板１上に無数の微細な貫通孔を設けた網目構造の金属膜又は金属窒化物膜２'を形成し、金属膜又は金属窒化物膜２'を介してIII族窒化物半導体結晶層３を成長させてなる。例文帳に追加

The group III nitride semiconductor substrate is prepared by forming on a substrate 1 a network-structure metallic film or metal nitride film 2' having innumerable fine through-holes and growing the group III nitride semiconductor crystal layer 3 through the metallic film or the metallic nitride film 2'. - 特許庁

コンタクトブロック１，２の対向面１ａ，２ａを起点として、互いの対向面に向かってそれぞれ複数本のＣＮＴ３ａ，３ｂを成長させてゆき、ＣＮＴ３ａ，３ｂを交差するように接触させて両者を電気的に接合してＣＮＴ束３を形成する。例文帳に追加

With counter surfaces 1a and 2a of contact blocks 1 and 2 as starting points, a plurality of CNT3a and 3b are made to grow toward the counter surface, respectively, so that the CNT 3a and 3b contact to cross each other, jointing both of them electrically, to form a CNT bundle 3. - 特許庁