ちんえっくすせんかんの英語

反応性イオンエッチングにおける水素ガスの流量とサイドエッチング量との相関を示す相関データを取得する。例文帳に追加

Correlation data corresponding to correlation between a flow of a hydrogen gas and an amount of side etching in reactive ion etching is obtained. - 特許庁

光相互接続装置（ＯＸＣ）のチャネルスペーシング及びスイッチングのフレキシビリティを制限せず、簡易且つ安価なＯＸＣを提供すること。例文帳に追加

To provide a simple and inexpensive an optical interconnection device (OXC) without limiting channel spacing and the switching flexibility of the OXC. - 特許庁

このため、有機物除去処理の完了からエッチング処理開始までの時間が短く、優れた均一性をエッチング処理を行うことができる。例文帳に追加

Consequently, the time to be elapsed after completing removal of organic substances before starting etching is shortened and etching can be carried out with excellent uniformity. - 特許庁

プラズマエッチング装置を用いて被エッチング膜に対して所定時間のエッチングを行なって、異なる開口径を持つ複数の開口部を形成することにより、各開口部におけるエッチング深さの逆数と開口径の逆数との間の線形的な第１の相関関係を求める。例文帳に追加

The first correlation relationship between the reciprocal numbers of etching depth H and opening diameter ϕ at each opening part with each different opening diameter of ϕ that is formed by etching for specific time, and that of the opening diameter ϕ is obtained. - 特許庁

酸化シリコンのエッチング処理、特に、複数の被処理基板のエッチング処理における被処理基板内のエッチング速度の均一性及び被処理基板間のエッチング速度の均一性の向上を図る。例文帳に追加

To enhance the uniformity of etching speed of a processed substrate and between the processed substrates in the etching of silicon oxide, especially, of a plurality of processed substrates. - 特許庁

形成しようとするパターンに関係なく、寸法シフト量を抑制でき且つ所望のエッチング形状が得られるドライエッチングを可能とする。例文帳に追加

To permit dry etching inhibiting the amount of pattern shift and obtaining desired etching shapes regardless of the pattern to be formed. - 特許庁

エッチング中のプラズマからの発光を分光し、エッチング反応に関わる化学種の発光強度の変化を感度よくモニターすることで、エッチング面積が微少な場合でも、エッチングの開始点、終点を高精度に検出し、Ｘ線マスクの作製プロセスにおけるエッチングの再現性を高め、高精度のパターン形成を実現するＸ線マスクの製造方法と装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and device for producing an X-ray mask by which the starting point and end point of etching are detected with high precision even in the case the etching area is very small, the reproducibility of the etching in the producing process of the X-ray mask is enhanced, and the formation of patterns high in precision is realized. - 特許庁

イオン注入により不要パターン４ｂのエッチングレートを向上させることで、エッチング時間を短くすることができエッチングマスク６の開口部６ａの広がり量αを抑制することができる。例文帳に追加

An etching time is shortened and a spreading amount α of an opening 6a of an etching mask 6 is suppressed by improving the etching rate of the unnecessary pattern 4b by the ion implantation. - 特許庁