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ぬまくまちょうしもさんなの英語

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日英固有名詞辞典での「ぬまくまちょうしもさんな」の英訳

ぬまくまちょうしもさんな

地名

英語 Numakumachoshimosanna

沼隈下山


「ぬまくまちょうしもさんな」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 10



例文

電界放出膜13は、グラフェンシートからなるカーボンナノウォールCNW31と、微結晶ダイヤモンド膜32と、カーボンナノウォールCNW31から成長し微結晶ダイヤモンド膜32から突出するように形成されたスティック33とから構成されるを含む。例文帳に追加

The electron emission film 13 is structured of a carbon nano-wall CNW31 made of a graphene sheet, a microcrystal diamond film 32, and sticks 33 grown from the carbon nano-wall CNW 31 and formed so as to protrude from the microcrystal diamond film 32. - 特許庁

チャネル形成領域の形成に用いられるシリコン膜は、結晶成長の起点部から成長した略単結晶のシリコン結晶粒からなり、その膜厚を30nm乃至150nmとする。例文帳に追加

The silicon film used for forming the channel forming region 26 is composed of nearly single-crystal silicon crystal grains grown from a crystal growth starting point and has a film thickness of 30-150 nm. - 特許庁

330〜390nmの波長域の長波長紫外線を放射する光源と該アルカリ土類アルミン酸塩蛍光体を含む蛍光膜からなる発光面とを少なくとも具備した発光装置とする。例文帳に追加

The light emitter is at least equipped with a light source for emitting long-wavelength ultraviolet rays in a wavelength range of 330-390 nm and a light-emitting plane composed of a fluorescent film containing the alkaline earth aluminate phosphor. - 特許庁

PINダイオード31に対する外光L2の入射経路上であって、PINダイオード31よりも表示面側に、緑色の光を強調した上で外光L2をPINダイオード31に出射する誘電体多層膜からなる波長選択フィルタ50を設けた。例文帳に追加

A wavelength selection filter 50 made of a dielectric multilayer film which is set so as to emit external light L2 to the PIN diode 31 while enhancing green light is disposed on the incident course of external light L2 with respect the PIN diode 31 and on the side nearer to display surface side than the PIN diode. - 特許庁

水と混練し、塗工した後に得られる塗膜が空気中の有機溶剤を吸着することができ、その塗膜の強度が高いものであり、さらに、調湿性、断熱性を持ち、乾燥しながら空気中の炭酸ガスを有効に吸収することができる塗工作業性に優れた塗材用原料組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a raw material composition for a coating stuff excellent in coating workability, in which the coating film obtained by kneading with water and coating can adsorb an atmospheric organic solvent, has high strength as well as humidity controllability and heat insulation property, and also can effectively absorb an atmospheric carbon dioxide while desiccating itself. - 特許庁

炭化珪素系セラミック基材11の少なくともミラー面となる面に、化学気相成長(CVD)法によりSiC膜12を形成し、SiC膜12上にAl膜13を積層してHe−Neレーザ用光学反射ミラーを作製する。例文帳に追加

A SiC film 12 is formed by a chemical vapor deposition(CVD) method on a silicon carbide ceramic substrate 11 on at least the face to be used as a mirror face, and then an Al film 13 is deposited on the SiC film 12 to manufacture the optical reflection mirror for a He-Ne laser. - 特許庁

例文

「絹川はちふせ」「総国銚子市」(右の画像参照)「宮戸川長縄」「待チ網」「総州利根川」「甲斐国火振」「相模国浦賀」「五島鯨突」(「捕鯨文化」に画像あり)「下総国登戸」「蚊針流」例文帳に追加

Kinugawa Hachifuse' (Bowl-Trap Fishing on the Kinu River), 'Soshu Choshi' (Choshi in Fusa Province) (see the picture at right), 'Miyatogawa Naganawa' (Long-line Fishing on the Miyato River), 'Machi - ami' (Net Fishing), 'Soshu Tonegawa' (Tone River in Fusa Province), 'Koshu Hiburi' (Fishing by Torchlight in Kai Province), 'Uraga in Sagami Province,' 'Goto Kujira - tsuki' (Whaling off the Goto Islands) (as depicted in 'Whaling culture'), 'Noborito in Shimousa Province' and 'Kabarinagashi' (Fly-Hook Angling).発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

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「ぬまくまちょうしもさんな」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 10



例文

単繊維繊度が0.0001〜0.5dtexの不織布の少なくとも一方の表面に、シロキサン結合を有する樹脂Aが非膜状に存在することを特徴とする立毛調シート。例文帳に追加

This plush-like sheet is characterized in that a siloxane bond-having resin A exists in a non-filmy state on at least one side of a nonwoven fabric having a single fiber fineness of 0.0001 to 0.5 dtex. - 特許庁

R−Mn(RはIr、Rh、Pt、Au、Ag、Co、Pd、Ni、Cr、Ge、Ru、ReおよびCuから選ばれる少なくとも 1種の元素)を含み、かつ面心立方晶構造を有する反強磁性合金からなる反強磁性膜3と、これと交換結合された強磁性膜4とを具備する交換結合膜2であって、反強磁性膜3はその (111)面が膜面に平行に成長しており、かつX線回折による (111)ピークのロッキングカーブ半値幅が10.0度以下である。例文帳に追加

The antiferromagnetic film 3 has such a distinctive feature that its (111)-face is grown in parallel with the surface of the film and the half-value width of the locking curve at the (111)-peak by X-ray diffraction is ≤10.0°. - 特許庁

例文

メモリセルを覆う層間膜108に、駆動用トランジスタのゲート電極104abと、N型拡散層106bに達する接続孔109aを形成し、シリサイデーションを行って選択的にシリサイド層110を形成し、その上にポリシリコンを成長して高抵抗負荷を形成する。例文帳に追加

A gate electrode 104ab of a driving transistor and a contact hole 109a, reaching an N-type diffusion layer 106b are formed in an interlayer film 108 covering a memory cell and a silicide layer 110, are formed selectively by silicidation, prior of forming a high resistance load thereon by growing polysilicon. - 特許庁

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