ひらかたりょうりょうけの英語

建暦3年（1213年）比叡山の母方の叔父良顕を訪ねる。例文帳に追加

Kenryaku 3 (1213) - Visited his maternal uncle Ryoken at Mt. Hiei.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

射出成形機の型開き完了位置の制御方法例文帳に追加

METHOD FOR CONTROLLING MOLD OPENING COMPLETING POSITION OF INJECTION MOLDING MACHINE - 特許庁

仰向けになり両足を肩巾に開脚し両膝１２，１３を４５度位に曲げる。例文帳に追加

A patient lies on one's back, and opens both legs at a shoulder width, and bends both knees 12 and 13 at 45 degree. - 特許庁

表示領域は、最遠方点を含む一の部分表示領域と、他の部分表示領域とに分けられる。例文帳に追加

The display area is divided into one part display area including the most distant point and the other part display area. - 特許庁

N形及びP形ラッチアップ防止領域８、１２は前記P形ソ−ス領域及びドレイン領域とN形ソ−ス領域及びドレイン領域との間にそれぞれ配置され且つゲ−ト接続導体層の下にも形成されている。例文帳に追加

The N-type and P-type latchup prevention regions 8, 12 are arranged between the P-type source region and drain region and the N-type source region and drain region respectively, and formed also under a gate connection conductor layer. - 特許庁

Ｐ^−型領域１２における最上面から溝部１３に沿うようにチャネル領域を隔ててＮ^−型領域１６１及びそれより高濃度のＮ^＋型領域１６２でなるソース・ドレイン領域１６が構成される。例文帳に追加

A source/drain region 16 composed of an n^- type region 161 and an n^+ type region 162 having concentration higher than the region 161 is constituted at a distance of the channel region, along the trench 13 from the uppermost surface in the p^- type region 12. - 特許庁

半導体ウェハ１４が、外縁部に設けられる低抵抗領域１４Ｂと、外縁部の内側に設けられ固溶酸素量が低抵抗領域１４Ｂの固溶酸素量より低い高抵抗領域１４Ａとを有する。例文帳に追加

The semiconductor wafer 14 has a low-resistance region 14B prepared at its outer edge, and a high-resistance region 14A which is prepared inside the outer edge, and in which the content of solid solution oxygen is lower than the content of the solid solution oxygen of the low-resistance region 14B. - 特許庁

蛍光材料が正方晶系の構造である場合、赤光蛍光材料であり、六方晶系の構造である場合、緑光蛍光材料である。例文帳に追加

The fluorescent material is a red light fluorescent material when having a structure of a tetragonal system, and is a green light fluorescent material when having a structure of a hexagonal system. - 特許庁