べんぺりどーるの英語

２．導電性金属酸化物粒子で基材を被覆した顔料（ｄ）において、導電性金属酸化物粒子が酸化錫、アンチモンドープ酸化錫（ＡＴＯ）、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）のいずれかで被覆した鱗片状のマイカである１項に記載の白色導電性プライマー塗料。例文帳に追加

This white conductive primer coating comprises scaly mica coated with any one of tin oxide, an antimony doped tin oxide (ATO), and a tin doped indium oxide (ITO) as the conductive oxide particles in the pigment (d) obtained by coating the base material with the conductive metal oxide particles. - 特許庁

表面シート２２と、導光部材としてのスペーサ２３と、メンブレンシート２４と、第二スペーサ２５と、発光素子２６を実装した回路体２７と、を外側から順に備えてスイッチとしてのポリドームスイッチ２１を構成する。例文帳に追加

A polydome switch 21 as a switch comprises, in order from the exterior, a surface sheet 22, a spacer 23 as a light guide member, a membrane sheet 24, a second spacer 25, and a circuit 27 mounted with a light emitting device 26. - 特許庁

その後、このトレンチ内に第２ドープ濃度の第２材料を設けて、突出外因性ベース縁部がダミー・ペデスタル縁部に自己整合する別個の外因性ベース内部延長領域を形成する。例文帳に追加

Thereafter, the second material of a second dope density is provided within this trench, and another exogenous base internal extension region is formed whose projecting external base marginal part self-adjusts to a dummy pedestal marginal part. - 特許庁

半導体からなるベース層６と、ベース層６よりバンドギャップが大きい半導体からなるコレクタ層４の間に、ベース層６と同じ半導体のスペーサ層５が挿入されたへテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、前記スペーサ層５はベース層６のドーピング濃度より低濃度にドープされていることを特徴とする。例文帳に追加

In the heterojunction bipolar transistor, to which a spacer layer 5 of the same semiconductor as a base layer is inserted between a base layer 6, consisting of a semiconductor and a collector layer 4 consisting of the semiconductor whose band gap is larger than the base layer 6, the spacer layer 5 is doped to concentration lower than the doping concentration of the base layer 6. - 特許庁

エミッタ及び導電性のスペーサをマスクとして、第１絶縁層の一部分を除去し、エミッタ及び導電性のスペーサをマスクとして用いて、他のドーピングを実行して、エピタキシャル層の一部分をベース接触領域２１８として形成する。例文帳に追加

Using the emitter and the conductive spacer as a mask, one portion of the first insulating layer is removed, and using the emitter and conductive spacer as a mask, the epitaxial layer is subjected to different doping to change one portion of the layer into a base contact region 218. - 特許庁

インドール−３−アルデヒドを水溶液中、酸化銀(I) 及びアルカリの存在下で酸化してインドール−３−カルボン酸を製造回収する方法において、反応生成物を一旦ｐＨ９〜１１に保ち、未反応のインドール−３−アルデヒドを濾別回収した後、ｐＨ６以下とし、インドール−３−カルボン酸を回収する。例文帳に追加

This method for producing the objective indole-3-carboxylic acid comprises the oxidation of the corresponding indole-3-aldehyde in an aqueous solution in the presence of silver (I) oxide and an alkali; wherein the reaction product is kept at pH 9-11 once to filter and recover unreacted indole-3- aldehyde followed by bringing the reaction product to ≤ pH 6 to recover the aimed indole-3-carboxylic acid. - 特許庁

第１の伝導型のドーピングペーストが、該第１の伝導型でドープされる領域（１６）の要求される分布と一致したパターンに従って、半導体ベースの基板（２）の後部表面上に堆積される。例文帳に追加

Doping paste with a first conductivity is deposited on the rear surface of a semiconductor-based substrate (2), according to a pattern consistent with the desired distribution of the region (16) doped with a first conductive type. - 特許庁

ＦＺ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、ドープガスとしてＡｒベースのＰＨ_３ガスとＡｒベースのＢ_２Ｈ_６ガスとを用いてドープすることによりＮ型のシリコン単結晶を製造することを特徴とするＮ型シリコン単結晶の製造方法。例文帳に追加

The method for producing the silicon single crystal by the FZ method produces the N-type silicon single crystal by doping using, as a doping gas, Ar-based PH_3 gas and Ar-based B_2H_6 gas. - 特許庁