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りんドーピングの英語
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英訳・英語 phosphorus doping
「りんドーピング」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 102件
基板上に、第１電極、有機ＥＬ層および第２電極を含む有機ＥＬ素子であって、有機ＥＬ層が隣接して配置される第１および第２ドーピング層を含み、第１および第２ドーピング層は有機ホスト材料とドーパントとを含み、第１ドーピング層におけるドーパントのドーピング濃度は、第２ドーピング層におけるドーパントのドーピング濃度とは異なることを特徴とする有機ＥＬ素子。例文帳に追加
The organic EL element includes a primary electrode, an organic EL layer, and a secondary electrode on a substrate, wherein the organic EL layer includes a primary and a secondary doping layer arranged adjacently, the primary and the secondary doping layer include an organic host material and dopant, and the doping concentration of the dopant in the primary doping layer is different than that of the dopant in the secondary doping layer. - 特許庁
各フィールドリングのドーピング第２輪郭線をもって第２ドーピングを有するフィールドリング構造も配置される。例文帳に追加
A field ring structure having a second doping with a second doping profile of the respective field ring is likewise arranged. - 特許庁
リンによるドーピングに代えて、リンを含む層を用いることもできる。例文帳に追加
In place of the doping with phosphor, a layer including phosphor can be used. - 特許庁
第２コレクタ層４０は、第１コレクタ層３０に隣接し、且つ第１コレクタ層のドーピング濃度よりも低いドーピング濃度を有している。例文帳に追加
The second collector layer 40 is provided contiguously to the first collector layer 30 and doped lighter than the first collector layer. - 特許庁
第１ドーピングを有するベース体に、ｐｎ接合が、ドーピング第１輪郭線をもって第２ドーピングを有する接触領域により形成される。例文帳に追加
In the base body having the first doping, a pn junction is formed by means of a contact region having a second doping with a first doping profile. - 特許庁
コンポーネントは、半導体ベース体を有し、この半導体ベース体は、第１ドーピングと、接触領域によって形成されたｐｎ接合とを有し、この接触領域は、ベース体にドーピング輪郭線を伴った第２ドーピングを有する。例文帳に追加
The component has a semiconductor base body having a first doping and a pn junction formed by a contact region having a second doping with a doping profile in the base body. - 特許庁
リンがドーピングされたアモルファスシリコン膜及びシリコン窒化膜を順次成長させる。例文帳に追加
An amorphous silicon film doped with phosphorus and a silicon nitride film are sequentially grown. - 特許庁
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「りんドーピング」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 102件
有機発光デバイスにおいて、リン光発光ドーパントのドーピング濃度を低減させること。例文帳に追加
To reduce the doping concentration of a phosphorescent dopant in an organic light emitting device. - 特許庁
高性能縦型ＰＮＰトランジスタのためにカーボン同時ドーピングによるリンプロフィールの制御例文帳に追加
CONTROL OF PHOSPHOROUS PROFILE THROUGH SIMULTANEOUS DOPING OF CARBON FOR HIGH-PERFORMANCE VERTICAL PNP TRANSISTOR - 特許庁
高い電気伝導率を有し、ドーピング状態で溶剤に可溶なポリアニリン類を提供する。例文帳に追加
To provide a polyaniline which has a high electro-conductivity and is soluble in a solvent at its doped state. - 特許庁
これにより、膜厚均一性と共に、リンのドーピング量均一性を向上させることができる。例文帳に追加
According to the arrangement, film thickness can be made uniform while enhancing uniformity in the dosage of phosphorus. - 特許庁
USADAの規定の下では，２回目のドーピング違反は永久追放処分に値するが，ガトリン選手はUSADAの反ドーピングの取り組みに協力することを約束し，それを回避した。例文帳に追加
Under USADA rules, a second doping offense deserves a lifetime ban, but Gatlin avoided it by promising to cooperate with USADA in its efforts against doping.発音を聞く - 浜島書店 Catch a Wave
ここで、ヒータ３６とサーモパイル３７、３８のポリシリコン細線４１には、Ｐ（燐）がイオン注入等によってドーピングされており、ヒータ３６のドーピング量がポリシリコン細線４１よりも大きくなっている。例文帳に追加
The heater 36 and the polysilicon thin wires 41 of the thermopiles 37, 38 are doped with P (phosphorus) by an ion implantation operation or the like, and the doping amount of the heater 36 is set to be larger than that of the polysilicon thin wires 41. - 特許庁
該井戸層は該第一の障壁層と該第二の障壁層との間に形成され、そのうち、該第一の障壁層は該井戸層に隣接する領域に第一のドーピング領域を有し、該井戸層から離れる領域に第一の非ドーピング領域を有し、該第二の障壁層は該井戸層に隣接する領域に第二の非ドーピング領域を有する。例文帳に追加
The well layer is formed between the first and second barrier layers, where the first barrier layer has a first doping region in a region adjacent to the well layer and a first nondoping region in a region separated from the well layer, and the second barrier layer has a second nondoping region in a region adjacent to the well layer. - 特許庁
本発明は、半導体製造装置１ａ〜１ｃにドーピングガスを供給するガス供給装置２であって、シリンダ３ａからの濃度１００％のドーピングガスと、シリンダ７からの希釈ガスの流量比を調整して混合し、個々の半導体製造装置ごとに異なる濃度のドーピングガスを供給可能な流量調整手段５ａ〜５ｃを備える。例文帳に追加
This gas supply device 2 is used to supply a doping gas to semiconductor manufacturing devices 1a to 1c, and provided with flow rate adjusting means 5a to 5c that adjust the flow ratio of the doping gas of 100% in concentration from a gas cylinder 3a to a diluted gas from a gas cylinder 7 and mix them and supply the doping gases of different concentrations to each of the semiconductor manufacturing devices. - 特許庁
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phosphorus doping
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