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りんタングステン酸の英語
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英訳・英語 phosphotungstic acid
「りんタングステン酸」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 80件
前記ヘテロポリ酸として、リンタングステン酸、ケイタングステン酸、リンモリブデン酸、ケイモリブデン酸などが挙げられる。例文帳に追加
The heteropoly acid is examplified by a phosphotungstic acid, a silicotungstic acid, a phosphomolybdic acid, and a silicomolybdic acid. - 特許庁
上記ヘテロポリ酸としては、けいモリブデン酸、りんタングステン酸、けいタングステン酸、りんモリブデン酸、およびけいタングステンモリブデン酸のうちから選ばれる少なくとも一種が好ましい。例文帳に追加
The above heteropolyacid is preferably one kind to be selected from molybdosilicic acid, tungstophosphoric acid, tungstosilicic acid, molybdophosphoric acid, and tungstomolybdosilicic acid. - 特許庁
例えば、酸触媒が、ブレンステッド酸性を示す酸触媒である、ヘテロポリ酸、具体的にはリンタングステン酸、ケイタングステン酸及びホウタングステン酸から選ばれた少なくとも1種を好適に用いる。例文帳に追加
For instance, a heteropoly acid which is an acid catalyst showing Bronsted acidity, or specifically at least one of a phosphotungstic acid, tungstosilicic acid, and borotungstic acid is suitably used as the acid catalyst. - 特許庁
コントロールゲート用タングステン膜(W)110aの側壁にタングステン窒化膜(WN)114を形成し、後続のアニーリング工程時にタングステン膜110aの異常酸化(abnormal oxidation)を防止しながらタングステン膜110aの断面積を増加させる。例文帳に追加
A tungsten nitride (WN) layer 114 is formed on sidewalls of a tungsten (W) layer 110a for a control gate, and the cross section of the tungsten layer 110a is increased while preventing abnormal oxidization of the tungsten layer 110a in a subsequent annealing process. - 特許庁
タングステン又はモリブデンを含むヘテロポリ酸として12タングストリン酸が挙げられる。例文帳に追加
As the heteropolyacid including tungsten or molybdenum, 12-tungstophosphoric acid is cited. - 特許庁
ヘテロポリ酸としては、例えばリンモリブデン酸、リンタングステン酸、ケイモリブデン酸およびケイタングステン酸の少なくとも一種を用いることができる。例文帳に追加
As the heteropoly acid, at least a kind out of phosphomolybdic acid, phosphotungstic acid, silicomolybdic acid, and silicotungstic acid, for example, can be used. - 特許庁
ガスフロースパッタリングにより、加熱基板16上に成膜された光触媒酸化タングステン薄膜と成膜後に焼成されてなる酸化タングステン薄膜は、優れた可視光応答光触媒活性を示す。例文帳に追加
A photocatalytic tungsten oxide thin film deposited on a heated substrate 16 by gas flow sputtering and a tungsten oxide thin film fired after the film deposition exhibit excellent visible light response photocatalytic activity. - 特許庁
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「りんタングステン酸」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 80件
被研磨膜が銅膜等の金属膜である場合は、ケイタングステン酸、リンタングステン酸等のヘテロポリ酸またはその塩、あるいはキナルジン酸、キノリン酸等の複素芳香環を備える有機酸またはその塩を発色剤として含有させることができる。例文帳に追加
When the polished film is a metallic film such as a Cu film, as a coupler, the aqueous dispersion can contain heteropolyacid or its salt that includes silicotungstic acid and phosphotungstic acid, or an organic acid or its salt that has a complex aromatic ring such as quinaldic acid and quinolinic acid. - 特許庁
タングステン化合物と過酸化水素とを反応せしめてなるタングステン酸化物、相間移動触媒およびリン酸三アルカリ金属塩もしくはリン酸アルカリ土類金属塩の存在下に、オレフィン類と過酸化水素とを反応させることを特徴とするエポキシド類の製造方法。例文帳に追加
This method for producing the epoxide comprises reacting an olefin with hydrogen peroxide in the presence of a tungsten oxide that is obtained by reacting a tungsten compound with hydrogen peroxide, a phase transfer catalyst and a tribasic alkali metal phosphate or an alkali earth phosphate. - 特許庁
酸化タングステン(WO_3又はWO_2.9)粉末及び酸化銅(CuO又はCu_2O)粉末をタービュラーミキシングやボールミーリングを使用して混合、粉砕させる段階と、その混合、粉砕された前記酸化粉末を水素雰囲気、または水素を含む還元性ガス雰囲気で還元熱処理させる段階と、を施行してタングステンがコーティングされたタングステン-銅複合粉末を製造する。例文帳に追加
The tungsten - copper composite powder coated with tungsten is produced by executing a step in which a tungsten oxide (WO_3 or WO_2.9) powder and a copper oxide (CuO or Cu_2O) powder are mixed and pulverized by turbular mixing or ball milling and a step in which the mixed and pulverized oxide powder is brought into reductive heat treatment by hydrogen atmosphere or a reducing gas atmosphere containing hydrogen. - 特許庁
トルエン溶媒中、タングステン化合物と過酸化水素とを反応せしめてなるタングステン酸化物、第四級アンモニウム硫酸水素塩およびリン酸類の存在下、オレフィン類と過酸化水素とを反応させることを特徴とするエポキシ化合物の製造方法。例文帳に追加
This method for producing the epoxy compound comprises reacting olefins with hydrogen peroxide in the presence of a tungsten oxide, a quaternary ammonium hydrogensulfate salt, and phosphates in a toluene solvent, wherein the tungsten oxide is obtained by reacting a tungsten compound with hydrogen peroxide. - 特許庁
結晶性の低い基板の表面に結晶配向した酸化タングステン薄膜を作製する方法であって、タングステンを含むスパッタリングターゲットを結晶性の低い基板の表面にスパッタリングすることを含み、スパッタリングを行う際の基板温度及び堆積速度を制御することにより、単斜晶(001)面に強く結晶配向した酸化タングステン薄膜を作製することを特徴とする前記方法。例文帳に追加
The method for producing the thin film formed of oriented crystals of tungsten oxide on the surface of the substrate having low crystallinity includes sputtering a target containing tungsten while controlling a substrate temperature and a deposition rate to form tungsten oxide film with strongly oriented crystals on the (001) surface of monoclinic crystals. - 特許庁
あるいは、スパッタリングによる成膜で形成され、結晶質の酸化インジウムを主成分とし、タングステンを含む酸化物透明導電膜において、実質的に全てのタングステンが酸化インジウムのインジウムに対し置換されている。例文帳に追加
In the other way, film-formation is formed by spattering, and crystallized indium oxide is contained as essential component and in the oxide transparent conductive film containing the tungsten, substantially the whole tungsten is substituted to the indium in the indium oxide. - 特許庁
ダスト(パーティクル)や異常放電の発生を低減し高品質の酸化タングステン膜を安定してスパッタリング法や電子ビーム蒸着法により製膜できる酸化タングステンスパッタリングターゲット材および蒸着材ならびにその製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a tungsten-oxide sputtering-target material and a vapor- deposition material with which the occurrence of dust (particle) and abnormal electric discharge can be decreased and a high-quality tungsten-carbide film can be stably deposited by a sputtering method or an electron beam evaporation method, and also to provide a manufacturing method for the vapor-deposition material. - 特許庁
コバルトのポルフィリン錯体と、炭素系材料と、タングステンのポリ酸(ポリタングステン酸)とを混合して前駆体を作製し、得られた前駆体を、500℃〜600℃の温度範囲内で熱処理することにより、電極触媒として、燃料電池用電極触媒を製造する。例文帳に追加
A porphyrin complex of cobalt, a carbon-based material and polyacid of tungsten (polytungstic acid) are mixed to prepare a precursor, and the resultant precursor is subjected to heat treatment within the range of temperatures of 500 to 600°C, to manufacture the electrode catalyst for the fuel cell as an electrode catalyst. - 特許庁
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