phosphorus dopingとは 意味・読み方・使い方

A second gas supply system 4 supplies oxygen gas to the wafer W, for oxydizing the phosphorus absorbed by a surface of the film to be processed by doping.例文帳に追加

第２ガス供給系４は、ドープによって被処理膜の表面に吸着した燐を酸化させるためにウエハＷに対して酸素ガスを供給する。 - 特許庁

An N-type high-concentration region is formed by doping impurities such as phosphorus or arsenic into a part or the entire surface of the extension drain region through an ion-implantation method or a POCl3 diffusion method.例文帳に追加

Ｎ型高濃度領域１は、イオン注入法またはＰＯＣｌ_3拡散法によって延長ドレイン領域表面の一部ないしは全面にリンまたはヒ素等の不純物をドープすることによって形成される。 - 特許庁

To provide a heat treatment method, with which the generation of a depletion layer can be suppressed by efficiently doping phosphorus atoms on a poly-crystalline silicon film having a rugged surface.例文帳に追加

表面凹凸形状のポリシリコン膜にリン原子を効率的にドーピングして空乏層の発生を抑制することができる熱処理方法を提供する。 - 特許庁

The heater 36 and the polysilicon thin wires 41 of the thermopiles 37, 38 are doped with P (phosphorus) by an ion implantation operation or the like, and the doping amount of the heater 36 is set to be larger than that of the polysilicon thin wires 41.例文帳に追加

ここで、ヒータ３６とサーモパイル３７、３８のポリシリコン細線４１には、Ｐ（燐）がイオン注入等によってドーピングされており、ヒータ３６のドーピング量がポリシリコン細線４１よりも大きくなっている。 - 特許庁

Concerning the heat treatment method, an object W to be treated selectively formed with a silicon film having the finely rugged surface is loaded into the treatment vessel of a heat treatment device, and phosphorus atoms are led into the silicon film as impurities, a PH3 gas is used as a doping gas for the said phosphorus atoms, and a heat treatment temperature is set within the range of from 550 to 750°C.例文帳に追加

表面が微細な凹凸形状になされたシリコン膜が選択的に形成されている被処理体Ｗを熱処理装置の処理容器内へロードして、前記シリコン膜中に不純物としてリン原子を導入する熱処理方法において、前記リン原子のドーピングガスとしてＰＨ_3 ガスを用い、熱処理温度を５５０〜７５０℃の範囲内に設定する。 - 特許庁

A large quantity of hydrogen ions is implanted into the gate electrode 15 becoming a mask and the gate insulation film 14 by acceleration implanting plasma decomposed ions of phosphorus diluted with hydrogen by a ion doping method without performing mass separation.例文帳に追加

このときイオンドーピング法を用い、燐の水素希釈ガスをプラズマ分解したイオンを質量分離を行わずに加速注入することで、マスクとなるゲート電極１５とゲート絶縁膜１４中に多量の水素イオンが注入される。 - 特許庁

In this regard, a large quantity of hydrogen ions are implanted into the gate electrode 15 and the gate insulation film 14 serving as a mask by implanting ions, produced by plasma decomposing hydrogen diluted gas of phosphorus, while accelerating using an ion doping method without separating mass.例文帳に追加

このとき、イオンドーピング法を用い、燐の水素希釈ガスをプラズマ分解したイオンを、質量分離を行わずに加速して注入することにより、マスクとなるゲート電極１５とゲート絶縁膜１４中に多量の水素イオンが注入される。 - 特許庁

By doping the silicon used as evaporation material with boron, aluminum or phosphorus to provide electrical conductivity, discharge plasma can be stably maintained and a film free from pinholes can be deposited, by which a film having higher resistance to ion and gas can be obtained.例文帳に追加

蒸着材料に用いるシリコンに硼素、アルミニウムまたはリンをドープして導電性とすることにより放電プラズマを安定持続させ、ピンホールのない膜とすることにより一層イオン阻止性およびガス阻止性の大きな膜とすることができる。 - 特許庁