「phosphorus doping」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a process for overcoming an adverse hydrogen aging limitation caused by phosphorus and/or aluminum doping for low cost and high performance of multimode optical fiber.例文帳に追加

マルチモード光ファイバの低コスト化、高性能化のためにリンおよび／あるいはアルミニウムをドープすることにより生じる水素による不都合なエージングの制約を克服する方法を提供する。 - 特許庁

Doping of phosphorus is performed in growing the ZnO-based oxide semiconductor using a material having a bond of Zn and P, e.g. Zn3P2.例文帳に追加

このようなリンをドーピングするには、たとえばＺｎＯ系酸化物半導体を成長する際に、Ｚｎ_3Ｐ_2などのＺｎとＰの結合を有する材料を用いて行う。 - 特許庁

A second gas supply system 4 supplies oxygen gas to the wafer W, for oxydizing the phosphorus absorbed by a surface of the film to be processed by doping.例文帳に追加

第２ガス供給系４は、ドープによって被処理膜の表面に吸着した燐を酸化させるためにウエハＷに対して酸素ガスを供給する。 - 特許庁

An N-type high-concentration region is formed by doping impurities such as phosphorus or arsenic into a part or the entire surface of the extension drain region through an ion-implantation method or a POCl3 diffusion method.例文帳に追加

Ｎ型高濃度領域１は、イオン注入法またはＰＯＣｌ_3拡散法によって延長ドレイン領域表面の一部ないしは全面にリンまたはヒ素等の不純物をドープすることによって形成される。 - 特許庁

To provide a heat treatment method, with which the generation of a depletion layer can be suppressed by efficiently doping phosphorus atoms on a poly-crystalline silicon film having a rugged surface.例文帳に追加

表面凹凸形状のポリシリコン膜にリン原子を効率的にドーピングして空乏層の発生を抑制することができる熱処理方法を提供する。 - 特許庁

The heater 36 and the polysilicon thin wires 41 of the thermopiles 37, 38 are doped with P (phosphorus) by an ion implantation operation or the like, and the doping amount of the heater 36 is set to be larger than that of the polysilicon thin wires 41.例文帳に追加

ここで、ヒータ３６とサーモパイル３７、３８のポリシリコン細線４１には、Ｐ（燐）がイオン注入等によってドーピングされており、ヒータ３６のドーピング量がポリシリコン細線４１よりも大きくなっている。 - 特許庁

Concerning the heat treatment method, an object W to be treated selectively formed with a silicon film having the finely rugged surface is loaded into the treatment vessel of a heat treatment device, and phosphorus atoms are led into the silicon film as impurities, a PH3 gas is used as a doping gas for the said phosphorus atoms, and a heat treatment temperature is set within the range of from 550 to 750°C.例文帳に追加

表面が微細な凹凸形状になされたシリコン膜が選択的に形成されている被処理体Ｗを熱処理装置の処理容器内へロードして、前記シリコン膜中に不純物としてリン原子を導入する熱処理方法において、前記リン原子のドーピングガスとしてＰＨ_3 ガスを用い、熱処理温度を５５０〜７５０℃の範囲内に設定する。 - 特許庁

A large quantity of hydrogen ions is implanted into the gate electrode 15 becoming a mask and the gate insulation film 14 by acceleration implanting plasma decomposed ions of phosphorus diluted with hydrogen by a ion doping method without performing mass separation.例文帳に追加

このときイオンドーピング法を用い、燐の水素希釈ガスをプラズマ分解したイオンを質量分離を行わずに加速注入することで、マスクとなるゲート電極１５とゲート絶縁膜１４中に多量の水素イオンが注入される。 - 特許庁

In this regard, a large quantity of hydrogen ions are implanted into the gate electrode 15 and the gate insulation film 14 serving as a mask by implanting ions, produced by plasma decomposing hydrogen diluted gas of phosphorus, while accelerating using an ion doping method without separating mass.例文帳に追加

このとき、イオンドーピング法を用い、燐の水素希釈ガスをプラズマ分解したイオンを、質量分離を行わずに加速して注入することにより、マスクとなるゲート電極１５とゲート絶縁膜１４中に多量の水素イオンが注入される。 - 特許庁

By doping the silicon used as evaporation material with boron, aluminum or phosphorus to provide electrical conductivity, discharge plasma can be stably maintained and a film free from pinholes can be deposited, by which a film having higher resistance to ion and gas can be obtained.例文帳に追加

蒸着材料に用いるシリコンに硼素、アルミニウムまたはリンをドープして導電性とすることにより放電プラズマを安定持続させ、ピンホールのない膜とすることにより一層イオン阻止性およびガス阻止性の大きな膜とすることができる。 - 特許庁

The impurity element, such as a 3d transition metal, can be moved into a region far from the junction regions of a channel-forming region and a drain region by doping the element represented by P(phosphorus) in a region, in which source/drain are formed, and forming a gradient to the concentration distribution.例文帳に追加

上記問題点を解決するために、ソース／ドレインが形成される領域に、P（リン）に代表される元素をドープし、その濃度分布に勾配をつけることで、３ｄ遷移金属などの不純物元素を、チャネル形成領域とドレイン領域との接合領域から遠い領域に移動させることができる。 - 特許庁

Herein, the doping quantity of phosphorus is set so that the temperature characteristics of the thermopiles 37 and 38 are almost equal to temperature characteristics due to a factor other than the thermopiles 37 and 38 in absolute value and become reverse in positive and negative and the temperature characteristics due to the factor other than the thermopiles 37 and 38 are negated by the temperature characteristics of the thermopiles 37 and 38.例文帳に追加

ここで、燐のドーピング量は、サーモパイル３７、３８の温度特性が、サーモパイル３７、３８以外の要因による温度特性と絶対値がほぼ等しく、正負が逆となるようにしてあり、サーモパイル３７、３８の温度特性によりサーモパイル３７、３８以外の要因による温度特性を打ち消している。 - 特許庁

Furthermore, doped polysilicone doping phosphorus is grown at the same concentration as that of the polysilicone lower layer 19 by an epitaxial device to add a polysilicone upper layer 20 having a thickness of 12 μm to the polysilicone lower layer 19 in order to form the polysilicone layer S by the polysilicone lower layer 19 and the polysilicone upper layer 20.例文帳に追加

さらに、リンをドープしたドープドポリシリコンをポリシリコンの下層１９と同じ濃度でエピタキシャル装置により成長させて、１２μｍの厚さのポリシリコンの上層２０をポリシリコンの下層１９に付加させることにより、ポリシリコンの下層１９とポリシリコンの上層２０とでポリシリコン層Ｓを成膜する。 - 特許庁

The present invention includes at least one kind of hydrogenation-dehydrogenation element selected from a group of elements of the groups VIB and VIII of the periodical table; the oxide of a doping element of 0.01-5.5 wt.% selected from phosphorus, boron and silicon; and silica-alumina-based non-zeolite support containing silica (SiO_2) of 15-95 wt.%.例文帳に追加

本発明は、周期表のＶＩＢ族及びＶＩＩＩ族の元素からなる群から選択される少なくとも１種の水素化−脱水素化元素と、リン、ホウ素及びケイ素から選択される０．０１〜５．５重量％のドーピング元素酸化物と、１５重量％を超え、かつ９５重量％以下の量のシリカ（ＳｉＯ_２）を含むシリカ−アルミナをベースとする非ゼオライト担体を含む。 - 特許庁

Upon manufacturing the element substrate 10 of the electro-optic device, thin film transistors 80, 90 are formed, a first interlayer insulating film 4, consisting of silicon oxide film, and a second interlayer insulating film 7, consisting of silicon nitride film, are formed and then, hydrogen ion and phosphorus ion are introduced through ion shower doping method under this condition.例文帳に追加

電気光学装置の素子基板１０を製造するにあたって、薄膜トランジスタ８０、９０を形成した後、シリコン酸化膜からなる第１層間絶縁膜４、およびシリコン窒化膜からなる第２層間絶縁膜７を形成し、この状態で、イオンシャワードーピング法により、水素イオンおよびリンイオンを導入する。 - 特許庁

When forming, for example, the surface of a lower electrode for a capacitor on the surface of a semiconductor wafer W which is an object to be processed, a process of depositing a HSG polysilicon film (rugged polysilicon film) 16 non-selectively and a process of doping an impurity such as phosphorus into the polysilicon film are conducted continuously in one and the same processing container 28.例文帳に追加

被処理体である半導体ウエハＷの表面に例えばキャパシタ用の下部電極の表面を形成する場合、非選択でＨＳＧポリシリコン膜（ラグドポリシリコン膜）１６を堆積させる工程と、このポリシリコン膜中に不純物、例えばリンをドープさせる工程とを、同一の処理容器２８内で連続的に行なう。 - 特許庁

To provide a contact plug forming method of a semiconductor element, which thermally dopes the impurity of phosphorus P in-situ during the formation of a contact plug by an SEG method and after formation, and increases impurity concentration for preventing the increase in the resistance due to the reduction in the impurity concentration of the contact plug formed by the SEG method.例文帳に追加

ＳＥＧ法によって形成されたコンタクトプラグの不純物濃度減少による抵抗の増加を防止するために、コンタクトプラグをＳＥＧ法によって形成する途中と形成後に、インサイツ(in-situ)でリンＰなどの不純物をサーマルドーピング(Thermal Doping)して不純物濃度を増加させることにより、抵抗を減少させて素子の電気的特性を向上させることができる半導体素子のコンタクトプラグ形成方法を提供すること。 - 特許庁