a HSGとは 意味・読み方・使い方

To allow an electrode short circuit to occur by cutting the surface of an HSG silicon layer together with a natural oxidation film and producing HSG grain peeling due to lack of mechanical strength of a lower electrode when a wet etching process is performed before formation of a dielectric film in a manufacturing method of a capacitor utilizing HSG formation.例文帳に追加

ＨＳＧ形成を利用したキャパシタの製造方法で、誘電体薄膜の形成前にウェットエッチング工程を行うと自然酸化膜と一緒にＨＳＧシリコン層の表面も削られて、下部電極の機械的強度不足によりＨＳＧ粒剥がれが発生して電極短絡が起こる。 - 特許庁

An HSG silicon 18 is selectively formed in a side wall part 17a of an amorphous silicon.例文帳に追加

非晶質シリコンのサイドウォール部分１７ａには、選択的にＨＳＧシリコン１８が形成される。 - 特許庁

To stably form an HSG-Si on the surface of the lower electrode of a capacitor.例文帳に追加

キャパシタの下部電極の表面に安定的にＨＳＧ−Ｓｉを形成できるようにする。 - 特許庁

To apply an HSG technology to a trench capacitor with excellent process matching performance.例文帳に追加

プロセス整合性良くトレンチキャパシタにＨＳＧ技術の適用を図る。 - 特許庁

To obtain an HSG having a desired grain size, without having to expose an oxide film in contact with a sidewall of a cylinder, when forming a blanket HSG on a lower electrode in a DRAM capacitor section having a cylindrical structure.例文帳に追加

シリンダー構造を有するＤＲＡＭキャパシタ部において、下部電極上にブランケットＨＳＧを形成する際、シリンダー側壁に接する酸化膜を露出させることなく、所望のグレインサイズを持つＨＳＧを得る。 - 特許庁

Subsequently, the a-Si film is so subjected to a heat treatment in a high-vacuum reaction furnace that an HSG-Si comprising a plurality of irregular crystal grains is formed based on HSG nuclei on the surface of the non-doped a-Si film.例文帳に追加

次に、高真空の反応炉中で熱処理が施され、ノンドープａ−Ｓｉ膜表面にＨＳＧ核をもとに複数の凹凸状の結晶粒であるＨＳＧ−Ｓｉが形成される。 - 特許庁

To provide a selective semispherical silicon grain(HSG) charge storing electrode formation of semiconductor device, capable of satisfactorily securing capacitor effective surface area by attaining a specific grain size when forming a selective HSG.例文帳に追加

選択的ＨＳＧ形成時に所望のグレーンサイズを得ることにより、キャパシタ有効表面積を充分確保することができる半導体装置の選択的半球形シリコングレーン電荷貯蔵電極形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can prevent HSG-Si (hemispherical grained silicon nuclei) from being depleted by the doping of an impurity and, at the same time, can suppress the scale-down of the HSG-Si.例文帳に追加

不純物ドーピングによりＨＳＧ−Ｓｉの空乏化を防ぐとともに、ＨＳＧ−Ｓｉの縮小化を抑えることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁