るつぼ形蒸発源の英語

有機薄膜形成装置は、複数の有機材料を個別に充填する複数のルツボ１２を用意し、ルツボのいずれかを選択し、真空室１１内で有機材料を蒸発源２１の熱で蒸発させ、基板２０に蒸着して膜を形成し膜を積層して有機ＥＬ表示素子を作る。例文帳に追加

In this device, an organic EL display element is manufactured by preparing multiple crucibles 12 to be individually filled with multiple organic materials, by selecting any one of the crucibles 12, by vaporizing the organic material by the use of heat of a corresponding evaporation source 21 in a vacuum chamber 11 to deposit it on a substrate 20 so as to form each film and by laminating the films. - 特許庁

内部に少なくとも２以上のセルを有する蒸発源ルツボに、温度特性の異なる２種以上の蒸着材料を充填し、加熱することにより溶解、蒸発させて、支持体上に蛍光体層を形成することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing the radiation image conversion panel is characterized in that a phosphor layer is formed on a support by filling an evaporation source crucible which has at least two or more cells inside it with vapor deposition materials of two or more kinds which are different in temperature characteristics and dissolving and vaporizing the materials by heating them. - 特許庁

蒸発源を、板状固体試料を充填したルツボとこれを加熱する面状の発熱体とから構成し、該面状発熱体は前記ルツボの底面に形成した抵抗体とすることを特徴とする。例文帳に追加

The planar heat generator consists of a resistor formed on the bottom face of the crucible. - 特許庁

膜形成を停止する際に、排除管７の超微粒子排出管５に通ずる開口部の蓋８が閉じ、蒸発源るつぼ３の開口部に対向する排出管５の開口部の蓋６が開く。例文帳に追加

At the time of stopping the formation of a film, a cover 8 of the opening part leading to a hyper-fine particle exhausting tube 5 in an exhausting tube 7 is closed, and a cover 6 of the opening part of the exhausting tube 5 confronted with the opening part of an evaporating source crucible 3 is opened. - 特許庁

スパッタリングターゲット５によって剥離層を形成し、反応性ガスを導入しながらアーク蒸発源４による成膜とルツボ３からの蒸着成膜によって誘電体積層膜を形成する。例文帳に追加

A peeling layer is formed by the sputtering target 5, and by film deposition by an arc evaporation source 4 while introducing reactive gas and film deposition by vapor deposition from the crucible 3, a dielectric stacked film is formed. - 特許庁

スパッタリングターゲット５によって剥離層を形成し、反応性ガスを導入しながらアーク蒸発源４による成膜とルツボ３からの蒸着成膜によって誘電体積層膜を形成する。例文帳に追加

A release layer is formed by the sputtering target 5, and, while introducing a reactive gas, a dielectric laminated film is formed by film deposition by the arc evaporation source 4 and film deposition by vapor deposition from the crucible 3. - 特許庁

真空蒸着法は、蒸発源（坩堝）５１の上端からＬｉ膜を形成する基材（積層体９）表面までの距離を５０〜８０ｍｍとした近接蒸着である。例文帳に追加

The vacuum deposition is of proximity vapor deposition with a distance between a top end of an evaporation source (crucible) 51 and a surface of a base material (laminated body 9) formed with the Li film of 50∼80 mm. - 特許庁

本発明の成膜装置Ａは、円筒形の成膜対象物２の下方にルツボ３が配置され、上方にアーク蒸発源４とスパッタリングターゲット５が配置されている。例文帳に追加

In the film deposition system A, a crucible 3 is arranged at the lower part of a cylindrical object 2 for film deposition, and an arc evaporation source 4 and a sputtering target 5 are arranged at the upper part. - 特許庁