アドレス指定領域の英語

動作モード指示信号がリフレッシュモードを指定するときにメモリアレイのリフレッシュを行なう領域を指定するリフレッシュ領域指定アドレスをアドレスレジスタ（８７）に格納する。例文帳に追加

When an operation mode specification signal specifies a refresh mode, a refresh region specification address specifying a region to be refreshed in a memory array is stored in an address register (87). - 特許庁

第１の物理アクセスアドレスは、第１の部分バーストアクセスのために第１のメモリバンクの第１のメモリ領域のアドレス指定を行い、第２の物理アクセスアドレスは第２の部分バーストアクセスのために第２のメモリバンクの第２のメモリ領域のアドレス指定を行う。例文帳に追加

The first physical access address addresses a first memory area of the first memory bank for the first partial burst access, and the second physical access address addresses a second memory area of the second memory bank for the second partial burst access. - 特許庁

書き込み開始アドレスにより指定される領域への画像データの書き込みが完了したとき、書き込み開始アドレスを更新すると共に、更新前の書き込み開始アドレスを読み出し開始アドレスレジスタ３０に設定する。例文帳に追加

When writing of the image data into a region designated by the writing start address is completed, the writing start address is updated, and also, the writing start address before the update is set to the reading-out start address register 30. - 特許庁

ユーザーが記録可能な第１の領域と情報記憶媒体上の欠陥領域に対する代替え領域とを設け、上記第１の領域内のアドレスを指定する第１のアドレス番号が付与されると共に少なくとも一箇所の欠陥領域および代替え領域が上記第１の領域内に含まれ、かつ少なくとも前記一箇所の欠陥領域および代替え領域にも上記アドレス番号が付与される。例文帳に追加

At least one defective region and the substitute region are included in the first region, and address numbers are applied to at least one defective region and the substitute region. - 特許庁

書き込み処理時においては、書き込みデータを予備ブロック領域２０２に格納し、アドレス管理領域２０３における予備ブロック領域２０２に対応するアドレス情報とコマンドで指定されたデータブロック領域２０１に対応するアドレス情報とを書き換えて更新する。例文帳に追加

At write-in processing time, writing data is stored in the preliminary block area 202, and the address information corresponding to the preliminary block area 202 in the address control area 203 and the address information corresponding to the data block area 202 designated by a command are rewritten and renewed. - 特許庁

リフレッシュアドレス発生回路（２０ｂ、８６，８８）は、動作モード指示信号がリフレッシュモードを指定するとき、リフレッシュ領域指定アドレスが指定する領域内のメモリセルのリフレッシュを行なうようにリフレッシュアドレスを発生する。例文帳に追加

A refresh address generation circuit (20b, 86 and 88) generates a refresh address so as to refresh a memory cell in the region specified by the refresh region specification address, when the operation mode specification signal specifies the refresh mode. - 特許庁

メモリコントロールチップは、アドレス情報に示される第１の記憶領域内の特定のアドレスに対してアクセス要求があった場合には、アドレス情報に示される対応関係に基づいて特定のアドレスをこれに対応する第２の記憶領域内のアドレスに変換してアドレス指定を行うアドレス変換部を有する。例文帳に追加

The memory control chip has an address conversion part for, if an access request to a specific address in the first storage area which is indicated in the address information is issued, specifying an address by converting the specific address into its corresponding address in the second storage area on the basis of the correspondence indicated in the address information. - 特許庁

従制御装置２０側の拡張アドレス生成部２４では、アドレス信号ＡＤ１を領域指定信号ＢＫに基づいて変換し、より大きなアドレス空間を有するアドレス信号ＡＤ２を生成して、ＥＥＰＲＯＭ２２のアドレス端子Ａに与える。例文帳に追加

The expansion address generating part 24 of the sub controller 20 side converts the signal AD1 on the basis of the signal BK, generates an address signal AD2 having an address space larger than that of the signal AD1 and gives the signal AD2 to an address terminal A of an EEPROM 22. - 特許庁