アニーリング温度の英語

アニーリングの間に、部品はガラス転移温度と結晶溶融温度間の中間の結晶化温度まで加熱される。例文帳に追加

During the annealing, the component is heated to a crystallizing temperature being at the middle of its glass transition temperature and its crystal melting temperature. - 特許庁

前記セルフアニーリングを生じる温度よりも高い温度で、前記セルフアニーリングを形成する相補配列のいずれか一方にハイブリダイズする阻害用ポリヌクレオチドを含むセルフアニーリング形成阻害剤を、セルフアニーリングを形成する二本鎖ＤＮＡを含有する試料に添し、加熱により前記二本鎖ＤＮＡを解離させる。例文帳に追加

A self-annealing formation inhibitor comprising an inhibiting polynucleotide hybridizing with any one of complementary sequences forming the self-annealing at a higher temperature than a temperature causing the self-annealing is added to a sample containing a double-stranded DNA forming the self-annealing to dissociate the double-stranded DNA by heating. - 特許庁

ケミカルメカニカル研磨パッドを形成する方法であって、研磨パッド材料とは別に窓を一次アニーリングすることと、一次アニーリングした窓を所定の温度に急冷する前に一次アニーリングした窓の外周に研磨パッド材料を供給することとを含む方法を提供する。例文帳に追加

The manufacturing method is for forming a chemical mechanical polishing pad which includes the performing a primary annealing on the window independent of a polishing pad material and the supplying of the polishing pad material to the periphery of the primarily annealed window before quenching the primarily annealed window to a predetermined temperature. - 特許庁

結晶を第１の温度から最終温度まで実質的に一定の冷却速度で冷却することにより、アニール室中で結晶をアニーリングする。例文帳に追加

The crystal is annealed in the anneal chamber by cooling the crystal at a substantially constant cooling rate from the first temperature to the final temperature. - 特許庁

次に、その後の結合界面強化温度（Ｔｒ）に少なくとも等しいが４５０℃未満の温度でアニーリングする。例文帳に追加

Then, annealing is conducted at a temperature at least equal to a bonded interface strengthening temperature (Tr) used in a following process but less than 450°C. - 特許庁

次に、当該イオン注入後の熱処理（アニーリング）をソース領域・ドレイン領域の際の熱処理よりも低い温度で行う。例文帳に追加

Then, thermal treatment (annealing) after ion implantation is executed at a temperature lower than the temperature for thermal treatment for the source region and the drain region. - 特許庁

導電性の接続線がＢＰＳＧ層に形成された後、ドーパント領域の再活性化のため急速な温度アニーリングが使用される。例文帳に追加

After forming a conductive connection line on the BPSG layer, rapid temperature annealing is performed to reactivate the dopant area. - 特許庁

処理基板から集光レンズに向かう輻射熱を遮ることでその温度上昇を抑制し、もって、アニーリング精度の向上を図る。例文帳に追加

To improve annealing accuracy of a laser annealer through suppressing the temperature rise of a condenser lens by interrupting the radiation heat from a substrate to toward the lens. - 特許庁