「アニーリング温度」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

基板がアニーリングチャンバーに完全に挿入されると、温度勾配が依然存在し得る。例文帳に追加

Even if the substrate is completely inserted in the annealing chamber, the temperature gradient may be generated. - 特許庁

組み立てられた構造を４５０℃未満の結合界面強化温度（Ｔｒ）でアニーリングする。例文帳に追加

The assembled structure is annealed at the bonded interface strengthening temperature (Tr) less than 450°C. - 特許庁

アニーリングの間に、部品はガラス転移温度と結晶溶融温度間の中間の結晶化温度まで加熱される。例文帳に追加

During the annealing, the component is heated to a crystallizing temperature being at the middle of its glass transition temperature and its crystal melting temperature. - 特許庁

前記セルフアニーリングを生じる温度よりも高い温度で、前記セルフアニーリングを形成する相補配列のいずれか一方にハイブリダイズする阻害用ポリヌクレオチドを含むセルフアニーリング形成阻害剤を、セルフアニーリングを形成する二本鎖ＤＮＡを含有する試料に添し、加熱により前記二本鎖ＤＮＡを解離させる。例文帳に追加

A self-annealing formation inhibitor comprising an inhibiting polynucleotide hybridizing with any one of complementary sequences forming the self-annealing at a higher temperature than a temperature causing the self-annealing is added to a sample containing a double-stranded DNA forming the self-annealing to dissociate the double-stranded DNA by heating. - 特許庁

ケミカルメカニカル研磨パッドを形成する方法であって、研磨パッド材料とは別に窓を一次アニーリングすることと、一次アニーリングした窓を所定の温度に急冷する前に一次アニーリングした窓の外周に研磨パッド材料を供給することとを含む方法を提供する。例文帳に追加

The manufacturing method is for forming a chemical mechanical polishing pad which includes the performing a primary annealing on the window independent of a polishing pad material and the supplying of the polishing pad material to the periphery of the primarily annealed window before quenching the primarily annealed window to a predetermined temperature. - 特許庁

結晶を第１の温度から最終温度まで実質的に一定の冷却速度で冷却することにより、アニール室中で結晶をアニーリングする。例文帳に追加

The crystal is annealed in the anneal chamber by cooling the crystal at a substantially constant cooling rate from the first temperature to the final temperature. - 特許庁

次に、その後の結合界面強化温度（Ｔｒ）に少なくとも等しいが４５０℃未満の温度でアニーリングする。例文帳に追加

Then, annealing is conducted at a temperature at least equal to a bonded interface strengthening temperature (Tr) used in a following process but less than 450°C. - 特許庁

次に、当該イオン注入後の熱処理（アニーリング）をソース領域・ドレイン領域の際の熱処理よりも低い温度で行う。例文帳に追加

Then, thermal treatment (annealing) after ion implantation is executed at a temperature lower than the temperature for thermal treatment for the source region and the drain region. - 特許庁

導電性の接続線がＢＰＳＧ層に形成された後、ドーパント領域の再活性化のため急速な温度アニーリングが使用される。例文帳に追加

After forming a conductive connection line on the BPSG layer, rapid temperature annealing is performed to reactivate the dopant area. - 特許庁

処理基板から集光レンズに向かう輻射熱を遮ることでその温度上昇を抑制し、もって、アニーリング精度の向上を図る。例文帳に追加

To improve annealing accuracy of a laser annealer through suppressing the temperature rise of a condenser lens by interrupting the radiation heat from a substrate to toward the lens. - 特許庁

上記シリコンゲルマニウム層をアニーリングする工程は、少なくとも１１００℃の温度で１〜１０秒の範囲の時間行われる。例文帳に追加

The process in which the silicon germanium layer is annealed is conducted for the time within a range of 1 to 10 sec at the temperature of at least 1,100°C. - 特許庁

アニーリング温度に結晶中の欠陥を除去するために十分な時間保持した後、徐冷する。例文帳に追加

After the crystal is held at the annealing temperature for sufficient time to remove defects in the crystal, the crystal is gradually cooled. - 特許庁

その後、得られた構造体を、約７００℃〜９００℃の温度で、約５分〜６０分間、アニーリングして、歪ＳｉＧｅ層１６を緩和させる。例文帳に追加

The resulting structure is annealed at about 700°C-900°C for about 5-60 min in order to relax the strained SiGe layer 16. - 特許庁

前記ポストアニーリング条件として、酸素を含まない不活性ガス雰囲気中例えば窒素ガスまたはアルゴンガスの雰囲気中で１００−４００℃の温度範囲内のいずれかの温度で、少なくとも３時間以上のいずれかの時間の間ポストアニーリングを行うことが望ましい。例文帳に追加

The post-annealing condition is preferably such that post annealing be carried out in an inert gas atmosphere not containing oxygen, such as a nitrogen gas or an argon gas atmosphere, at any temperature in the range 100 to 400°C for any duration of time of at least 3 hours or more. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体材層１４とその上に配置されるコンタクト領域２０との間に実質的なオーミックコンタクト領域を形成するための半導体デバイスをアニーリングする方法は、約２時間以上のアニーリング時間に亘って約９００℃以下のアニーリング温度に半導体デバイスをさらす工程を含む。例文帳に追加

A method of annealing a semiconductor device so as to form a substantially ohmic contact region between a wide band gap semiconductor layer 14, and a contact region 20 positioned thereon includes a process of subjecting the semiconductor device to an annealing temperature of ≤approximately 900°C extending over an annealing time of approximately two hours or longer. - 特許庁

一実施形態において、本方法はイットリアサンプルを焼結し、焼結させた部品を機械加工して部品を形成し、部品を既定の加熱速度で加熱してアニーリングし、部品を一定のアニーリング温度で維持し、部品を既定の冷却速度で冷却することを含む。例文帳に追加

In one embodiment, this method comprises sintering a yttria sample, machining a sintered sample to form a part, heating and annealing the part at a predetermined heating rate, maintaining the part at a constant annealing temperature, and cooling the part at a predetermined cooling rate. - 特許庁

また、フラッシュメモリ１０は、フラッシュメモリ回路の温度を計測する温度センサ１１と、温度センサの検出値に基づいて所定のアニーリング条件に従ってヒータを制御する制御部１５と、を備えてもよい。例文帳に追加

Also, the flash memory 10 can be alternatively provided with a temperature sensor 11 for measuring a temperature of the flash memory circuit and a controller 15 for controlling the heater according to a predetermined annealing condition on the basis of a detection value of the temperature sensor. - 特許庁

半導体基板、金属／セラミック型、あるいは脱気またはアニーリングのように温度調整を必要とする他の工業的プロセスのような、加熱ターゲットの温度を調整し加熱ターゲットを支持するアセンブリーを提供する。例文帳に追加

To provide an assembly for adjusting a temperature of a heating target such as a semiconductor substrate, a metal/ceramic mold or other heating targets such as degassing and annealing which needs a temperature adjustment and for supporting the heating target. - 特許庁

ここで、チップ２の流路４１は、チップ２に発生する温度勾配におけるＤＮＡの解離工程、アニーリング工程および複製工程に基づいてそれぞれ選択された温度領域に形成されている。例文帳に追加

The flow path 41 of the chip 2 is formed in the temperature range selected, based on the DNA dissociation process, the annealing process, and the replication process in the temperature gradient occurring in the chip 2, respectively. - 特許庁

長さが３２塩基以上のプライマーを使用することと、前記プライマーのTm値よりも低い温度でアニーリングさせることと、1分〜１０分間の長時間伸長反応を行い、各プライマーによる均一な増幅が行なわれるのに十分な時間でもってアニーリング・伸長反応を行うこととを特徴とするＰＣＲ増幅方法による、マルチプレックスな核酸増幅方法。例文帳に追加

The multiplex method of nucleic acid amplification by a PCR amplification process includes using primers each 32 bases or more in length, making an annealing at a temperature lower than the respective Tms of the primers, and conducting an extension reaction for 1-10 min, i.e. annealing/extension reaction for a long period of time enough to accomplish the aimed uniform nucleic acid amplification by the respective primers. - 特許庁

中央部にスペーサー領域を有し両端につり上げようとする遺伝子に対して相補性を有するアニーリング領域を設け、両端のアニーリング領域は少なくとも１０度のテイーエム値の差を設けたパドロックプローブを用いて一定温度で遺伝子増幅を行い、本方法を用いて突然変異遺伝子の検出を行う。例文帳に追加

This gene amplification is performed at a constant temperature using a padlock probe having a spacer region in the middle part and providing at both end terminals annealing regions which have complementarity to a gene intended for being picked up and provide at least 10 degrees of difference of TM value, and the detection of mutation gene is performed by using the method. - 特許庁

第２のエネルギー源からの高出力レーザー光は、それからプレヒートされた局所領域上へと導かれアニーリングのために温度をさらに上昇させる。例文帳に追加

High output laser light from a second energy source is introduced onto a preheated local region, and the temperature is raised furthermore for annealing. - 特許庁

坩堝２および種結晶ユニット４を溶融区画７からアニーリング区画９に移動させ、温度を計画した様式で室温まで低下させる。例文帳に追加

The crucible 2 and the seed crystal unit 4 are moved from the melting section 7 to the annealing section 9 and the temperature is decreased to a room temperature according to a planned form. - 特許庁

安定な金属ナノ粒子組成物を用いて、数μｍの厚みを有し、高いアスペクト比と、低いアニーリング温度を有するような導電性構造を調製するのに適した方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method suitable for preparing a conductive structure using a stable metal nanoparticle composition, the conductive structure having a thickness of several μm, a high aspect ratio and a low annealing temperature. - 特許庁

アニーリング処理は、不活性ガス中で有機光学単結晶の融点以下かつ結晶分子の自由度が高まる温度以上の範囲で処理する。例文帳に追加

The annealing treatment is carried out in an inert gas in a temperature range from the melting temperature of the organic optical single crystal down to a temperature where the degree of freedom of crystal molecules is increased. - 特許庁

絶縁層上部に露出したストレージノードの表面上にＨＳＧ膜を形成した後、ストレージノードを結晶化温度でアニーリングすることによりストレージノード表面層の結晶状態を安定化させる。例文帳に追加

After forming an HSG film on the surface of a storage node exposed at the upper part of an insulation layer, by annealing the storage node at a crystallization temperature, the crystal state of a storage node surface layer is stabilized. - 特許庁

銅電解質溶液の温度を２５度Ｃより下に低くすることにより、自己アニーリングによる結晶粒の成長速度を増加して、銅線の最終的抵抗率を低下させる。例文帳に追加

By reducing the temperature of the copper electrolyte solution below 25°C, the rate of self annealing grain growth increases reducing the final resistivity of the copper lines. - 特許庁

誘電体層は、ＢＳＴ等の高誘電率の誘電体物質膜であって、赤外線ランプを用いて、誘電体物質膜の塗膜に６００℃以上の温度で高速アニーリング（ＲＴＡ）を施し、結晶化させる。例文帳に追加

The dielectric layer is formed of a dielectric substance film with a high permittivity such as BST, etc., and the coating film of the dielectric substance film is annealed at 600°C or higher at a high speed (RTA) for crystalization. - 特許庁

次にＰＳＧ膜３５がアニーリングされかつ堆積される予め定める第２の温度Ｔ２において、酸化膜２２の表面と電極部３４の表面とにＰＳＧ膜３５を堆積して形成する。例文帳に追加

Then, a PSG film 35 is stacked and formed on the surfaces of an oxide film 22 and the electrode 34 at a predetermined second temperature T2 for stacking, and annealing the PSG film 35. - 特許庁

このような酸素析出物濃度プロファイルのために、ウェーハはＮＨ_3及びＡｒを含むガス混合物雰囲気で約１２００℃以下の温度で急速熱的アニーリング工程に提供される。例文帳に追加

For such as oxygen precipitate concentration profile, the wafer is exposed to rapid heat annealing in a gas mixture atmosphere comprising NH_3 and Ar at about 1200°C or below. - 特許庁

このような酸素析出物濃度プロファイルのために、ウェーハはＮＨ_３及びＡｒを含むガス混合物雰囲気で約１２００℃以下の温度で急速熱的アニーリング工程に提供される。例文帳に追加

With such an oxygen precipitate concentration profile, the wafer is provided to a rapid thermal annealing step of about 1200°C or below in a gas mixture atmosphere containing NH_3 and Ar. - 特許庁

アニーリング温度が８５０℃であったとしても、シリサイドの低シート抵抗によって、超浅接合形成部の低接合リーク電流が実現される。例文帳に追加

Even if the annealing temperature is 850°C, the low junction leakage current at an ultrathin junction formation part is materialized by the low sheet resistance of the silicide. - 特許庁

ＨｉＣＥＰ法のＰＣＲ工程において、プライマーの鋳型へのアニーリングをプライマーのＴｍＭＡＸ＋６℃〜ＴｍＭＡＸ＋１４℃の温度で行う。例文帳に追加

The method for making the gene expression profile comprises annealing a primer to a template at a temperature of TmMAX+6°C to TmMAX+14°C in the PCR process of a HiCEF method. - 特許庁

水素注入ドーズおよび／またはアニーリング温度および時間を低減させることによって、費用を削減し、かつ、膜の性質を向上させることができる緩和Ｓｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ（０＜ｘ＜１）層の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a relaxation Si_1-XGe_X (0<x<1) layer, capable of reducing a cost and improving the properties of a film by reducing the hydrogen injection dose and/or the annealing temperature and the time. - 特許庁

劈開アニーリングを実行するための水平炉の独特の形状は、炉の上部と下部の間の、炉内の温度勾配の影響を排除することを可能にする。例文帳に追加

The original shape of a horizontal furnace for cleavage-annealing enables the elimination of the influence of a temperature grade inside the furnace between upper and lower parts of the furnace. - 特許庁

強誘電体素子を過大な温度にさらしたり、紫外光にさらしたり、あるいはポストアニーリング処理を行ったりすることなく、容量素子やメモリセルなどの強誘電体素子におけるインプリント効果を少なくしあるいはなくす。例文帳に追加

To reduce or eliminate the inprint effect of ferroelectric devices such as capacitive elements and memory cells without exposing the devices to a too high temperature and ultraviolet light or without conducting a post-annealing process. - 特許庁

また、樹脂を冷却させる過程においては、冷却媒体の供給停止、加熱媒体の供給および停止により、固定側金型、可動側金型の温度が樹脂のアニーリングに有効な温度領域の上限ＴＵａと下限ＴＬａとの間に維持されるよう、温度制御を行うようにした。例文帳に追加

In the course of cooling the resin, the temperature control is performed so that the temperatures of the fixed mold and the movable mold are maintained between upper limit TUa and lower limit TLa of temperature area effective for annealing of the resin by supply stop of the cooling medium, and supply and supply stop of the heating medium. - 特許庁

この制約は、温度パラメータＴにより制御されており、温度パラメータＴを高い値から低い値の減少させるための手順を定めるアニーリングスケジュールに従って温度を徐々に減少させる（Ｓ１１５）と、最終的には各フレームが粒子画像位置へと高い精度で配置される。例文帳に追加

The restrictions are controlled with a temperature parameter T and the respective frames are arranged at particle image positions eventually with high precision as the temperature is gradually lowered according to an annealing schedule determining a procedure for decreasing the temperature parameter T from a high value to a low value (S115). - 特許庁

形成されたバルーンは、第一の径よりも小さい第二の径まで収縮させるのに十分な時間にわたって前記第一の圧力よりも低くかつ大気圧よりも高い第二の圧力下、第一の温度よりも低い第二の温度でアニーリングされる。例文帳に追加

The formed balloon is annealed at a second temperature lower than the first temperature under a second pressure which is lower than the first pressure and higher than an atmosphere pressure over enough time to contract to a smaller second diameter than the first diameter. - 特許庁

ＧＭＲ読み取りセンサーのピンニング層材料としては、高い耐ブロック温度と低いアニーリング温度を有することが望ましくまた、種層材料としては、ピンニング層材料とともに用いられる場合には、高いピンニング強度を与えることが望ましい。例文帳に追加

To satisfy a need for a pinning layer material of a GMR read sensor with a high blocking temperature and a low annealing temperature, and for a seed layer material that, when used with the pinning layer material, produces a high pinning strength. - 特許庁

ポリエステル支持体上に重ねられた接着層及びその接着層上の、特定の構造のアミン変性ゼラチンの下塗層を含んでなる画像支持体であって、前記支持体がそのガラス転移温度より５０〜５℃低い温度で少なくとも６時間アニーリングされたものである画像支持体。例文帳に追加

In an image base including an adhesive layer laid on a polyester base and an undercoat layer of amine modified gelatin having a specified structure on the adhesive layer, the polyester base has been annealed at a temperature below its glass transition temperature by 50-5°C for at least 6 hr. - 特許庁

紫外線照射前は、その上に載置される液晶表示パネル用の透光性プラスチックフィルムと強固に接着する一方、紫外線照射後は、その接着力が低下し、前記透光性プラスチックフィルムから容易に剥離させることができる接着性シートと組み合わせて使用される前記透光性プラスチックフィルムであって、そのガラス転移点ＴｇをＡ（℃）、アニーリング温度をＢ（℃）としたとき、下記の式（１）で表される温度でアニーリング処理が行われていることを特徴とする透光性プラスチックフィルム。例文帳に追加

The light-transmissive plastic film 15 is used in combination with an adhesive sheet 13, which tightly adheres to the light-transmissive plastic film 15 for the liquid crystal display panel mounted on it before ultraviolet rays irradiation, and on the other hand, after the ultraviolet rays irradiation the adhesive power is weakened so as to easily be released from the light- transmissive plastic film 15. - 特許庁

その結果生じたスピンバルブ・センサは、導通電子の誘起された鏡面散乱によると思われるＧＭＲ係数の増加、及びアニーリング・プロセス時の界面混合及び酸素拡散からの基礎的な検出層の保護によることを主にして得られる温度安定度の改良を示す。例文帳に追加

A resulting spin valve sensor exhibits improvement of temperature stability principally attained through increase of GMR coefficient due to induced mirror face scattering of conduction electrons and protection of a fundamental detection layer against intefacial mixture or oxygen diffusion during annealing process. - 特許庁

本発明は、マルチプレックスPCR法であって、長さが32塩基以上のプライマーを使用することと、前記プライマーのTm値よりも低い温度でアニーリングさせることと、1分〜10分間の長時間伸長反応を行うこととを特徴とするPCR増幅方法を提供する。例文帳に追加

The PCR amplification method is a multiplex PCR to use a primer having ≥32 base length, perform the annealing at a temperature lower than the Tm of the primer and perform the long-time extension reaction for 1-10 min. - 特許庁

ＤＮＡの解離工程、アニーリング工程および複製工程を１サイクルとする複数サイクルの流路４１が形成されたチップ２と、高温側熱源３１および低温側熱源３２からなる温度制御装置３とから構成される。例文帳に追加

A device for controlling the temperature of block is constituted of a chip 2 with a flow path 41 of a plurality of cycles being formed with one cycle, consisting of a DNA dissociation process, an annealing process, and a replication process, and a device 3 for controlling the temperature including a high-temperature side heat source 31 and a low-temperature side heat source 32. - 特許庁