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Weblio専門用語対訳辞書での「イオンビーム合成」の英訳

イオンビーム合成

Weblio専門用語対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「イオンビーム合成」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 7



例文

イオンビームが磁性チップと絶縁材を含む合成面上にイオンを生成する。例文帳に追加

A main ion beam generates ions onto a composite surface including magnetic chips and insulator material. - 特許庁

このイオンビーム照射装置は、第1および第2の高周波電源34、36と、移相器38と、電力合成器40とを備えている。例文帳に追加

This device is provided with a first and second high-frequency power sources 34, 36, a phase shifter 38 and a power combiner 40. - 特許庁

すなわち、弗化物膜の形成に際し、クラスタイオンビーム源5から合成石英基板7にクラスタイオンビーム照射しながら、抵抗加熱ボード3から弗化物膜材料を真空蒸発させ、合成石英基板7上に弗化物膜を形成する。例文帳に追加

When depositing the fluoride film, a fluoride film material is vacuum evaporated from a resistance heating board 3 while a synthetic quartz substrate 7 is irradiated with the cluster ion beam from a cluster ion beam source 5 to thereby form the fluoride film on the synthetic quartz substrate 7. - 特許庁

また、平行化装置と、磁場型レンズ40、又は、静電レンズにより合成されるイオンビームの走査面に垂直な平面での入射側焦点に、その偏向中心を一致させるように第2の走査器を配置すると、イオンビームの二方向の平行化精度を一層向上させることができる。例文帳に追加

Additionally, by arranging a second scanner so that a deflection center coincides with an incident side focus on a plane vertical to the scanning surface of ion beams composited by the device for making parallelism, the magnetic field type lens 40, or the electrostatic lens, precision in the parallelism in two directions of the ion beams can be improved further. - 特許庁

従来は立方晶窒化ホウ素の気相合成では、基板負バイアスや加速したイオンビームを用いて45eV以上のイオン衝撃を用いることが必須条件であった。例文帳に追加

In a conventional vapor phase synthesis of cubic boron nitride, the essential condition is using ion impact at not lower than 45 eV by using a negative bias on a substrate or an accelerated ion beam. - 特許庁

気相合成ダイヤモンド表面は、通常、水素終端表面であるが、例えば酸素イオンビームを入射エネルギー100eV、ドーズ量10^12/cm^2で照射すると、酸素終端領域5を部分的に形成できる。例文帳に追加

The vapor phase composition surface of the diamond is normally a hydrogen terminated surface, however, when oxygen ion beam is irradiated with an entering energy of 100 eV and dose quantity 10^12/cm^2, the oxygen terminated region 5 can be partially formed. - 特許庁

例文

カーボンナノチューブの物理的、化学的及び/又は導電性特性を変更するために、イオンビーム2をカーボンナノチューブ4形成の前、間及び/又は後に用いる、気相からのカーボンの触媒蒸着により、支持体部材1上に形成された触媒層3にカーボンナノチューブ4を合成する方法とする。例文帳に追加

In the method for synthesizing carbon nanotubes 4 by catalytic vapor deposition of carbon from a vapor phase on a catalyst layer 3 formed on a support member 1, in order to alter the physical, chemical and/or electrically conductive properties of carbon nanotubes, ion beams 2 are used before, during and/or after formation of the carbon nanotubes 4. - 特許庁

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