エピ目の英語

エピタキシャル成長中における基板からエピタキシャル層へのオートドープ量を抑制し、抵抗分布及び膜厚分布の良好なエピタキシャルウェーハを得ることができるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a silicon epitaxial wafer, which can provide an epitaxial wafer with excellent resistance distribution and film thickness distribution by suppressing the auto-doping amount from a substrate to an epitaxial layer during the epitaxial growth. - 特許庁

本発明の目的は、ウイルス病原体に対する有効なＴ細胞エピトープを提供することである。例文帳に追加

To provide an effective T cell epitope to pathogenic virus. - 特許庁

エピクロスの主要な目的は世界を迷信や死の恐怖から解放することでした。例文帳に追加

One main object of Epicurus was to free the world from superstition and the fear of death.発音を聞く  - John Tyndall『英国科学協会ベルファースト総会での演説』

シリコン単結晶基板主表面に、ドーパント濃度が１×１０^１９／ｃｍ^３以上であるエピタキシャル層が形成されたエピタキシャルウェーハにおいても、エピタキシャル層表面の縞状の凹凸が抑制されたエピタキシャルウェーハ及び製造方法、該シリコンエピタキシャルウェーハを使用した貼り合わせＳＯＩウェーハ及び製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an epitaxial wafer and a method for producing the same with which striated irregularities at the epitaxial layer surface are suppressed, even in an epitaxial wafer wherein an epitaxial layer having a dopant concentration of 1×10^19/cm^3 or greater is formed on the primary surface of a silicon single-crystal substrate, and to provide a bonded SOI wafer and a method for producing the same that use the silicon epitaxial wafer. - 特許庁

本発明は、エピ後の酸素析出が充分起こり、かつ、デバイス工程中の酸化熱処理においても、ＯＳＦがエピ層に転写することがない、エピ層の結晶品質に優れた窒素添加シリコン半導体基板及びその製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a nitrogen added silicon semiconductor substrate which is excellent in quality and sufficient in oxygen precipitation after epitaxy, OSF is never transferred to epitaxial layer even at the oxidizing heat treatment in the process, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

エポキシ化合物をエピスルフィド化し、得られるエピスルフィド化合物を製造するに際し、目的とするエピスルフィド化合物のタール化防止、収率向上、重合して得られた樹脂の耐候性を改良する製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing an episulfide compound by episulfidation of the corresponding epoxy compound in raised yield in such a way that the product episulfide compound does not run to tar and the corresponding polymerized resin is improved in weatherability. - 特許庁

基板にエピタキシャル成長させる際に、供給される原料ガスの基板面内でのガス流速ムラを効果的に抑制でき、高品質のエピタキシャル層を形成できるエピタキシャル成長装置及びその製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an epitaxial growth device capable of effectively preventing an uneven gas flow rate of supplied raw gas within a substrate surface for epitaxial growth on the substrate to form a high quality epitaxial layer, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

多層のエピタキシャルシリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、少なくともチョクラルスキー法によって窒素をドープしたシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウェーハに加工した後、該シリコン単結晶ウェーハの表層部に一層目のエピタキシャル層を形成し、その後、少なくとも、該一層目のエピタキシャル層の表層部に二層目のエピタキシャル層を形成する多層のエピタキシャルシリコン単結晶ウェーハの製造方法。例文帳に追加

The method includes the steps of raising the silicon single crystal rod which doped a nitrogen by a Czochralski method at least, after slicing this silicon single crystal rod and processing it into a silicon single crystal wafer, forming a first epitaxial layer in the surface part of this silicon single crystal wafer, and then forming a second epitaxial layer to the surface layer part of the first layer epitaxial layer. - 特許庁