ギャップ状態特性の英語

容易かつ低コストで、種々のギャップの状態に調整できて所望特性に設定することが可能な電磁誘導器およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an electromagnetic induction device which can be adjusted to various gap states and can be set to desired characteristics easily at a low cost, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

モータを小型化させたとしても、極歯リングと極歯との間でギャップのない接触状態を保ち、安定したモータ特性を得ることができる回転電機を提供することである。例文帳に追加

To provide a rotatary electric machine capable of maintaining a contact state having no gap between a pole tooth ring and pole tooth and obtaining stable motor characteristics, even when a motor is miniaturized. - 特許庁

液晶セルの背面に配する光吸収層の平滑性を規定することで、例えば表示特性を測定する場合など背面を支持した状態においてセルギャップむらが生じるのを防止する。例文帳に追加

To prevent the occurrence of cell gap unevenness in the state that the rear surface is supported, such as when display characteristics are measured, by regulating the smoothness of a light absorption layer arranged on the rear surface of a liquid crystal cell. - 特許庁

遮断器ケースのカバーを取り外した状態でも継鉄の側板と可動鉄片の引き外し側との磁気ギャップを確認することができ、遮断特性の安定した回路遮断器の電磁装置を提供する。例文帳に追加

To provide an electromagnetic device for a circuit breaker which can identify a magnetic gap between a side panel of a core and a trip coil of a movable piece even in a state that the cover of a breaker case is come off, and has a stable breaking property. - 特許庁

異常な設置状態における長時間の使用によりボビンにクラックが生じても、高圧巻線とコア間にスパークの発生を防止し、ＵコアＩコア間のギャップのばらつきを抑え、トランス特性の安定化を図る。例文帳に追加

To prevent spark from occurring between a high-voltage winding and cores, restrain fluctuation of gaps between U-cores and I-cores, and aim at stabilization of transformer characteristics, even if cracks may be generated at a bobbin due to long-hour use in an abnormal installation state. - 特許庁

例えば、ギャップ電圧よりも高い電圧および低い電圧におけるジョセフソン素子のコンダクタンスをそれぞれ考慮することにより、ジョセフソン素子の超伝導状態と常伝導状態のそれぞれにおける電流電圧特性を正確に計算することができる。例文帳に追加

For example, by considering conductance of the Josephson element at a voltage higher than a gap voltage and a voltage lower than the gap voltage, voltage current characteristics of the Josephson element in the superconducting state and the normal conducting state can be accurately calculated. - 特許庁

価電子帯と伝導帯との間に２ｅＶを超えるエネルギーギャップを有する半導体材料のジャンクション・バリア・ショットキ・ダイオードの温度依存性を制御する方法は、このダイオードの製造中に、意図された使用に適合するダイオードの特性の温度依存性を得るように、ダイオードのグリッド部のオン状態抵抗を調節することを含む。例文帳に追加

The method of regulating the temperature dependence of the junction barrier Schottky diode of a semiconductor material, having an energy band gap exceeding 2eV between a valence band and a conductive band includes a step of regulating an on-state resistance of the grid of a diode so as to obtain the temperature dependence of the diode characteristics that are suitable for the intended use, during the manufacturing of the diode. - 特許庁