ゲートバイアス電圧の英語

バイアス電圧変更制御部は、変更量に基づいて、ゲートバイアス電圧を変更するように、バイアス電圧供給部を制御する。例文帳に追加

A bias voltage change control section controls the bias voltage supply section to change the gate bias voltage according to the change. - 特許庁

この際、フラッシュメモリ素子のフローティングゲートバイアス電圧は、ホットホール注入条件の第２電圧ないし第３電圧が維持されるようにし、ゲートバイアス電圧は、カップリング比に応じて調節されることが望ましい。例文帳に追加

In this erasure, the bias voltage of the floating gate of a flash memory element is set so that second voltage or third voltage being an injecting condition of a hot hole is kept, and gate bias voltage is desirably controlled in accordance with a coupling ratio. - 特許庁

グランド電位の近くにゲートバイアス電圧を設定することができ、ＦＥＴ増幅素子を飽和領域近くで動作させた場合でも、ゲートバイアス電圧の変化を抑え、その出力電圧の低下を抑制することができるマイクロ波信号の増幅回路を提案する。例文帳に追加

To provide an amplifying circuit of a microwave signal capable of setting gate bias voltage near ground potential, preventing changes in the gate bias voltage even when FET amplifying elements are operated near a saturation region, and preventing lowering of output voltage. - 特許庁

バックゲートバイアス電圧のレベル及びインピーダンス調整量は、前記デジタル値によって決定される。例文帳に追加

The level of the back gate bias voltage and the impedance adjustment quantity are determined according to the digital value. - 特許庁

プルアップ電極は、これに所定電圧を印加するプルアップゲートバイアス回路１０２に接続されている。例文帳に追加

The pull-up electrode is connected with a pull-up gate biasing circuit 102 for applying a predetermined voltage to the pull-up electrode. - 特許庁

負の定電圧Ｖggを、トリマブル抵抗である抵抗Ｒ１と正の温度係数を有する固定抵抗である抵抗Ｒ２の直列回路からなるゲートバイアス回路３で分圧して、高周波増幅器をなすＧaＡs ＦＥＴ２のゲートにゲートバイアス電圧Ｖgqとして印加するようにした。例文帳に追加

A constant negative voltage Vgg is divided by a gate bias circuit 3 composed of a serial circuit of a resistor R1 which is a trimmable resistor and a resistor R2 which is a fixed resistor having a positive temperature coefficient, and applied to the gate of a GaAs FET 2 comprising the high frequency amplifier as a gate bias voltage Vgq. - 特許庁

さらに、バイアス回路１３は、熱電変換部１２によって生成された電圧信号を入力し、増幅器１１が有するＦＥＴに印加されるゲートバイアス電圧を電圧信号の大きさに応じて増減させる。例文帳に追加

Further, the bias circuit 13 inputs the voltage signal generated by the thermoelectric converter 12 and changes a gate bias voltage applied to the FET included in the amplifier 11 depending on an amplitude of a voltage signal. - 特許庁

入力された信号を増幅するトランジスタと、温度に対する抵抗値の変化量が異なる複数の抵抗器を直列に接続した分圧部からなり、この分圧部のいずれの端部も接地せず、少なくとも一端に印加される電圧を分圧してゲートバイアス電圧としてトランジスタに供給するゲートバイアス供給手段とを備えた。例文帳に追加

This device is provided with a transistor for amplifying an inputted signal and a gate bias supplying means, which is composed of a voltage dividing part serially connecting plural resistors with the different change amounts of resistance values with the temperature, for dividing a voltage impressed to at least one terminal and supplying it as a gate bias voltage to the transistor without grounding any terminal part of this voltage dividing part. - 特許庁