ゲート制御ダイオードの英語

トランスファゲートトランジスタ１２は、フォトダイオード１１とトランジスタ１３間の信号電荷の移送を制御する。例文帳に追加

A transfer gate transistor 12 controls the transfer of the signal electric charge between the photodiode 11 and the transistor 13. - 特許庁

入力端子７の保護トランジスタ部３のダイオード機能を有するトランジスタ１、２のゲートを制御配線５、６に接続している。例文帳に追加

The gates of transistors 1 and 2 having the diode function of a protective transistor part 3 of the input terminals 7 are connected to control wirings 5 and 6. - 特許庁

本発明のガスセンサは、半導体基板を用いたFET、ゲート制御型ｐｎ接合ダイオード、あるいはショットキーダイオードのゲート領域あるいは整流障壁電極上に導電性酸素酸塩と集電体、あるいは固体電解質と導電性酸素酸塩と集電体を形成することからなる。例文帳に追加

The gas sensors are each formed by forming FET using a semiconductor substrate, a gate-control-type p-n junction diode, or the gate area of a Schottky diode or a conductive oxyacid salt and collector or a solid electrolyte, conductive oxyacid salt, and collector on a rectification barrier electrode. - 特許庁

ｐｉｎ型の光センサ用ダイオードのｉ領域１１２に絶縁膜を介してゲート電極１１４を設けることにより、光センサ用ダイオードに電流が流れ始めるときのバイアス電圧の閾値をゲート電圧によって制御可能とする。例文帳に追加

By providing a gate electrode 114 to an i region 112 of a pin type optical sensor diode, the threshold of a bias voltage when a current starts flowing in the optical sensor diode can be controlled with a gate voltage. - 特許庁

クランプ動作制御回路４４は、クランプコンデンサ３４，３６の中点からクランプ素子３２のゲートに向かう第１ダイオード４６、クランプ素子３２のソース端子からクランプコンデンサ３４，３６の中点に向かう第２ダイオード４８、及びクランプ素子３２のゲートから主スイッチング素子１６のドレインに向かう第３ダイオードを備える。例文帳に追加

The clamp operation control circuit 44 includes: a first diode 46 directed from a middle point between the clamp capacitors 34, 36 to a gate of the clamp element 32; a second diode 48 directed from a source terminal of the clamp element 32 to the middle point between the clamp capacitors 34, 36; and a third diode directed from the gate of the clamp element 32 to a drain of the main switching element 16. - 特許庁

パワーＭＯＳＦＥＴと駆動ＩＣを使用したブラシレスモータのモータ制御回路において、外付けのダイオード７、８、９を、上側パワーＭＯＳＦＥＴ２９、３０、３１のゲート２、ソース１間に内装することによって、外付けのダイオード１０７、１０８、１０９および配線を不要にする。例文帳に追加

In the motor controlling circuit of the brushless motor using the power MOSFETs and the drive IC, external diodes 107, 108, 109 and the wires are eliminated by internally and respectively packaging external diodes 7, 8, 9 between gates 2 and sources 1 of upper power MOSFETs 29, 30, 31. - 特許庁

ＡＦモジュールの焦点検出部の基板表面に配置されるラインセンサを、複数のフォトダイオードおよびラインセンサ用画素信号読み出し回路によって構成し、余剰電荷を切替制御によって排出するアンチブルーミングゲート（ＡＢＧ）をフォトダイオードの傍に設ける。例文帳に追加

A line sensor disposed on the surface of the substrate of the focus detecting part of an AF module is formed of a plurality of photo-diodes and a pixel signal-reading circuit for the line sensor, and an anti-blooming gate (ABG) for ejecting extra charges through switching control is provided near the photodiodes. - 特許庁

ｐ型シリコン基板１上に転送トランジスタのゲート電極３を形成後に、フォトダイオードのｐ型イオン注入層４を形成し、さらにフォトダイオードのｎ型イオン注入層５と転送トランジスタのしきい値制御イオン注入層６とを同時にイオン注入により形成する。例文帳に追加

After the gate electrode 3 of the transfer transistor is formed on a p-type silicon substrate 1, the p-type ion-implanted layer 4 of the photodiode is formed and, in addition, the n-type ion-implanted layer 5 of the photodiode and the threshold controlling ion-implanted layer 6 of the transfer transistor are formed simultaneously. - 特許庁