ゲート制御ターンオンの英語

（ターンオン時の主電流上昇率ｄｉ／ｄｔ）÷（ターンオン時のオンゲート電流上昇率ｄｉＧ／ｄｔ）で以て与えられる比が１．２５以下となる様に、オンゲート電流上昇率ｄｉＧ／ｄｔを制御する。例文帳に追加

An on-gate current rising rate diG/dt is controlled so that a ratio of (a main current rate of rise di/dt at turn-on)÷(on-gate current rate of rise diG/dt at turn-on) is 1.25 or below. - 特許庁

上記各ゲートドライバは、ゲートライン制御信号を生成するためのラインデコーダ322と、ゲートラインが活性化される前にゲートドライバターンオン電圧をプリチャージするためのプリチャージ回路310を含む。例文帳に追加

Each gate driver comprises a line decoder 322 for generating a gate line control signal and a precharge circuit 310 for precharging a gate driver turn-on voltage before activating the gate line. - 特許庁

駆動区間においては、プリチャージされたゲートドライバターンオン電圧は、ゲートラインがデコーディングされたゲートライン制御信号に応答して活性化される時に放電され、反対にデコーディングされたゲートライン制御信号に応答してゲートラインが非活性化される時、プリチャージされたゲートドライバターンオン電圧は維持される。例文帳に追加

During a driving phase, the precharged gate driver turn-on voltage is discharged when the gate line is activated in response to the decoded gate line control signal, whereas the precharged gate driver turn-on voltage is maintained when the gate line is not activated in response to the decoded gate line control signal. - 特許庁

ＩＥＧＴのゲート近傍にキャリアが蓄積されることによって引き起こされるターンオン時のゲート電圧の振動を防止し、スイッチング速度をゲート電流により制御する。例文帳に追加

To control a switching speed with gate current by preventing oscillation of gate voltage at the time of turning-on caused by accumulating a carrier in the vicinity of a gate of IEGT. - 特許庁

ターンオン制御手段５は、スイッチ８がオンで且つターンオフサイリスタ１４のゲート・カソード電圧が負になったとき、スイッチ８、１０をオフさせるように制御する。例文帳に追加

The turn-on control means 5 exerts control so as to turn off the switches 8, 10 when the switch 8 is on and the gate-cathode voltage of the turn-off thyristor 14 is negative. - 特許庁

ゲート信号制御回路内で設定しないでもデッドタイムをゲートドライブ回路内で調整でき、デッドタイムの値をターンオフ、ターンオンの特性が変化した場合にも適正な値とすることができ、電源効率を向上させることのできるゲートドライブ回路を提供する。例文帳に追加

To provide a gate drive circuit that adjusts a dead time in the gate drive circuit even if the dead time is not set in a gate signal control circuit, and sets a value of the dead time to a proper value even if turn-off/turn-on characteristics are changed, thereby improving the efficiency of power supply. - 特許庁

半導体装置は、電圧駆動型素子のゲート端子にターンオンのための駆動信号を出力する駆動回路が、少なくとも２つのスイッチング素子の並列回路を有して構成され、制御回路が、ターンオン時のゲート電圧がミラー電圧に到達したとき並列回路のスイッチング素子を切り換えて、電圧駆動型素子の駆動能力を低くするよう構成されている。例文帳に追加

The semiconductor device is configured such that a drive circuit for outputting drive signals for turning-on to the gate terminal of the voltage-driven element is provided with a parallel circuit of at least two switching elements and a control circuit switches the switching elements of the parallel circuit when a gate voltage at the turn-on reaches a mirror voltage and lowers the driving ability of the voltage-driven element. - 特許庁