スパッタ合成の英語

二酸化ケイ素：１０〜３０原子％、アルゴン、窒素、またはアルゴンおよび窒素の混合成分：０．０１〜１０原子％を含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有する焼結体からなることを特徴とする高速スパッタリングが可能な光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット。例文帳に追加

The sputtering target for forming the protective film of the optical recording medium is the sintered compact which has a composition comprising 10-30 atomic% silicon dioxide, 0.01-10 atomic% argon, nitrogen or a mixture thereof and the balance being zinc sulfide. - 特許庁

導電性糸４は，合成樹脂糸４２と，合成樹脂糸４２の表面４２１にスパッタリングにより形成した金属又は金属酸化物の導電薄膜４３とからなる。例文帳に追加

The conductive threads 4 consist of synthetic resin threads 42 and conductive thin films 43 of metal or metal oxide formed by sputtering on the surface 421 of the synthetic resin threads 42. - 特許庁

合成半導体４０２Ａの内部にも第１種雑質及び第２種雑質が混入され、合成水晶半導体４０２Ａ上の局部に第２良導体４０５Ａをスパッター加工する。例文帳に追加

The first different material and second different material are mixed inside the synthetic semiconductor 402A too, and the second conductor 405A is sputtered on the part on the synthetic crystal semiconductor 402A. - 特許庁

導電性糸４は，合成樹脂糸４２と，該合成樹脂糸４２の表面４２１にスパッタリングにより形成した金属又は金属酸化物の導電薄膜４３とからなる。例文帳に追加

The conductive yarns 4 are woven together with the synthetic resin yarns in a manner to be inserted between the fiber yarns 3. - 特許庁

合成樹脂又はガラスで形成された基材上に、スパッタリングにより形成された炭化ケイ素質被覆層を有し、該炭化ケイ素質被覆層の光透過率が８０％以下であることを特徴とする積層構造体である。例文帳に追加

A laminated structure has a silicon carbide coating layer formed on a substrate formed from a synthetic resin or glass by sputtering and the light transmissivity of the silicon carbide coating layer is set to 80% or less. - 特許庁

アーク蒸発源とマグネトロンスパッタ蒸発源との磁界の相互干渉を抑制し、それぞれの蒸発源が具備する機能を十分に発揮させることができる複合成膜装置を提供する。例文帳に追加

To provide a composite film deposition system which suppresses interference between an arc evaporation source and a magnetron sputtering evaporation source, and allows the respective evaporation sources to sufficiently exhibit each function. - 特許庁

第１良導体４０６Ａと第１種雑質の半導体材料区域４０３Ａとを接続させ、合成半導体４０２Ａは第１種雑質を混入した半導体材料区域４０３Ａにスパッター加工する。例文帳に追加

The first good conductor 406A and the semiconductor material area 403A of the first different material are connected, and the synthetic semiconductor 402A is sputtered on the semiconductor material area 403A with the first different material mixed. - 特許庁

スパッタターゲットに用いられる酸化錫焼結体の原料等として好適に用いることができ、一次粒子の凝集が少なく、粒度分布の狭い酸化錫粉末が合成可能な方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for synthesizing tin oxide powder which can be suitably used as the source material of a tin oxide sintered body used as a sputtering target and which has little aggregation of primary particles and narrow distribution of the particle size. - 特許庁