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多原子層の英語

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英訳・英語 multilayer


JST科学技術用語日英対訳辞書での「多原子層」の英訳

多原子層


「多原子層」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 128



例文

原子堆積法による光学膜の製造方法例文帳に追加

METHOD OF PRODUCING OPTICAL MULTILAYER FILM BY ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD - 特許庁

部にフッ素原子く含む樹脂成形体例文帳に追加

RESIN MOLDED ARTICLE CONTAINING MORE FLUORINE ATOM IN ITS SURFACE LAYER PART - 特許庁

原子構造は半導体構造結合体の被照面を覆う。例文帳に追加

The atomic layer multilayer structure covers the light receiving surface of the semiconductor structure coupling body. - 特許庁

最表面のGe原子にH原子が付着すると、そのGe原子と、その下に存在するSi原子とが入れ替わる現象がおこるので、原子状水素を暴露しない従来の製造方法よりも、よりくの割合のGe原子がSi原子と入れ替わることになる。例文帳に追加

When H atoms are attached to Ge atoms on the outermost surface, the phenomenon occurs, in which the Ge atoms are interchanged with Si atoms present in the underlying layer, so that a higher proportion of Ge atoms are interchanged with Si atoms than in the conventional production methods, which does not involve the exposure to the atomic hydrogen. - 特許庁

金属基板1上に、基板表面の金属原子をアルカリ金属原子で一原子以上置換した埋込み2を介して、前記アルカリ金属原子が1原子以上積された表面3を備えて、仕事関数φを3eV以下とした構造体。例文帳に追加

On a substrate 1, the multilayer structure comprises a surface layer 3 wherein at least one atom layer of alkaline metal atom is laminated via a buried layer 2 wherein at least one atom layer of alkaline metal atom on the substrate is substituted, and its work function ϕ is set at 3 eV or less. - 特許庁

また、重障壁200は、AlN9原子からなる障壁201、GaN2原子からなる井戸206、及びAlN9原子からなる障壁202が順に積された構造を有する。例文帳に追加

The multilayered barrier layer 200 has a structure constructed by successively laminating a barrier layer 201 composed of AlN9 atomic layer, a well layer 206 composed of a GaN2 atomic layer, and another barrier layer 202 composed of an AlN9 atomic layer upon another in this order. - 特許庁

例文

また、上記孔質が含有する酸素原子数に対して、窒素原子数の比率は0.2〜100%であることが好ましい。例文帳に追加

Further, the ratio of the number of nitrogen atoms is preferably 0.2-100%, with respect to the number of oxygen atoms contained in the porous layer. - 特許庁

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「多原子層」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 128



例文

構造体1は、金属酸化物基板2の表面に、該表面の金属原子をアルカリ金属原子が置換して成るか、または該表面にアルカリ金属原子が担持されて成る、少なくとも1原子のアルカリ金属3を備えている。例文帳に追加

This multilayered structure 1 is furnished with an alkali metal layer 3 of at least one atomic layer constituted by substituting a metal atom on a surface by an alkali metal atom on the surface of a metallic oxide substrate 2 or constituted by bearing the alkali metal atom on the surface. - 特許庁

こうして、p型クラッド25の不純物原子のドープ量をくしてキャリア濃度を高くする。例文帳に追加

this causes the amount of impurity atoms in the p-type clad layer 25 to be increased, making the carrier concentration high. - 特許庁

特に、原子構造は表面パッシベーション、透明導電、さらには反射防止として機能する。例文帳に追加

In particular, the atomic layer multilayer structure functions as a surface passivation layer, a transparent conducting layer and an antireflection layer. - 特許庁

上記孔質22に窒素原子を含むプラズマジェットを吹き付けることで、上記孔質22に窒化物を含有させる。例文帳に追加

The nitride is added to the porous layer 22, by blowing a plasma jet containing a nitrogen atom against the porous layer 22. - 特許庁

SiO_2膜16は、樹脂基板に接する部分にC原子の含有量がい最下16aと、流路表面に露出する部分にC原子が殆ど存在しない表16bの2からなる。例文帳に追加

The SiO_2 film 16 is formed of two layers, namely, a bottom layer 16a that contains a high content of carbon atom in a part having contact with a resin substrate, and a surface layer 16b that contains nearly zero content of carbon atoms, in a part that is exposed on the surface of a channel. - 特許庁

装置全体を小型化可能として、の成膜を形成できる原子堆積法成膜装置における回転ドラムおよび原子堆積法成膜装置を提供する。例文帳に追加

To provide a rotary drum in a film deposition apparatus for an atomic layer chemical vapor deposition, which is capable of depositing a multi-layered film, wherein the size of the entire apparatus can be reduced, and to provide the film deposition apparatus for the atomic layer chemical vapor deposition. - 特許庁

ホイスラー合金332,52は、いずれも、Mnの含有率が25原子%よりく40原子%以下であるCoMnSi合金よりなり、且つ単位格子の体心位置にCo原子が配置され、単位格子の頂点位置にMn原子またはSi原子が不規則に配置されたB2構造の主成分を含んでいる。例文帳に追加

Both the Heusler alloy layers 332, 52 are composed of a CoMnSi alloy with the content rate of Mn larger than 25 atm% and not more than 40 atm%, including a main component with a B2 structure where a Co atom is arranged at the body-centered position of a unit grid and Mn atoms or Si atoms are irregularly arranged at the vertex positions of the unit grid. - 特許庁

例文

ケイ素原子−酸素原子結合を有する特定構造を側鎖に有する繰り返し単位を含む重合体(A成分)を含有することを特徴とするレジストプロセス用中間材料組成物及びそれを用いたパターン形成方法。例文帳に追加

The composition contains a polymer (component A) containing a repeating unit which has a specified structure having a silicon atom-oxygen atom coupling in a side chain. - 特許庁

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