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多原子層の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 128



例文

原子堆積法による光学膜の製造方法例文帳に追加

METHOD OF PRODUCING OPTICAL MULTILAYER FILM BY ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD - 特許庁

部にフッ素原子く含む樹脂成形体例文帳に追加

RESIN MOLDED ARTICLE CONTAINING MORE FLUORINE ATOM IN ITS SURFACE LAYER PART - 特許庁

原子構造は半導体構造結合体の被照面を覆う。例文帳に追加

The atomic layer multilayer structure covers the light receiving surface of the semiconductor structure coupling body. - 特許庁

最表面のGe原子にH原子が付着すると、そのGe原子と、その下に存在するSi原子とが入れ替わる現象がおこるので、原子状水素を暴露しない従来の製造方法よりも、よりくの割合のGe原子がSi原子と入れ替わることになる。例文帳に追加

When H atoms are attached to Ge atoms on the outermost surface, the phenomenon occurs, in which the Ge atoms are interchanged with Si atoms present in the underlying layer, so that a higher proportion of Ge atoms are interchanged with Si atoms than in the conventional production methods, which does not involve the exposure to the atomic hydrogen. - 特許庁

例文

金属基板1上に、基板表面の金属原子をアルカリ金属原子で一原子以上置換した埋込み2を介して、前記アルカリ金属原子が1原子以上積された表面3を備えて、仕事関数φを3eV以下とした構造体。例文帳に追加

On a substrate 1, the multilayer structure comprises a surface layer 3 wherein at least one atom layer of alkaline metal atom is laminated via a buried layer 2 wherein at least one atom layer of alkaline metal atom on the substrate is substituted, and its work function ϕ is set at 3 eV or less. - 特許庁


例文

また、重障壁200は、AlN9原子からなる障壁201、GaN2原子からなる井戸206、及びAlN9原子からなる障壁202が順に積された構造を有する。例文帳に追加

The multilayered barrier layer 200 has a structure constructed by successively laminating a barrier layer 201 composed of AlN9 atomic layer, a well layer 206 composed of a GaN2 atomic layer, and another barrier layer 202 composed of an AlN9 atomic layer upon another in this order. - 特許庁

また、上記孔質が含有する酸素原子数に対して、窒素原子数の比率は0.2〜100%であることが好ましい。例文帳に追加

Further, the ratio of the number of nitrogen atoms is preferably 0.2-100%, with respect to the number of oxygen atoms contained in the porous layer. - 特許庁

構造体1は、金属酸化物基板2の表面に、該表面の金属原子をアルカリ金属原子が置換して成るか、または該表面にアルカリ金属原子が担持されて成る、少なくとも1原子のアルカリ金属3を備えている。例文帳に追加

This multilayered structure 1 is furnished with an alkali metal layer 3 of at least one atomic layer constituted by substituting a metal atom on a surface by an alkali metal atom on the surface of a metallic oxide substrate 2 or constituted by bearing the alkali metal atom on the surface. - 特許庁

こうして、p型クラッド25の不純物原子のドープ量をくしてキャリア濃度を高くする。例文帳に追加

this causes the amount of impurity atoms in the p-type clad layer 25 to be increased, making the carrier concentration high. - 特許庁

例文

特に、原子構造は表面パッシベーション、透明導電、さらには反射防止として機能する。例文帳に追加

In particular, the atomic layer multilayer structure functions as a surface passivation layer, a transparent conducting layer and an antireflection layer. - 特許庁

例文

上記孔質22に窒素原子を含むプラズマジェットを吹き付けることで、上記孔質22に窒化物を含有させる。例文帳に追加

The nitride is added to the porous layer 22, by blowing a plasma jet containing a nitrogen atom against the porous layer 22. - 特許庁

SiO_2膜16は、樹脂基板に接する部分にC原子の含有量がい最下16aと、流路表面に露出する部分にC原子が殆ど存在しない表16bの2からなる。例文帳に追加

The SiO_2 film 16 is formed of two layers, namely, a bottom layer 16a that contains a high content of carbon atom in a part having contact with a resin substrate, and a surface layer 16b that contains nearly zero content of carbon atoms, in a part that is exposed on the surface of a channel. - 特許庁

装置全体を小型化可能として、の成膜を形成できる原子堆積法成膜装置における回転ドラムおよび原子堆積法成膜装置を提供する。例文帳に追加

To provide a rotary drum in a film deposition apparatus for an atomic layer chemical vapor deposition, which is capable of depositing a multi-layered film, wherein the size of the entire apparatus can be reduced, and to provide the film deposition apparatus for the atomic layer chemical vapor deposition. - 特許庁

ホイスラー合金332,52は、いずれも、Mnの含有率が25原子%よりく40原子%以下であるCoMnSi合金よりなり、且つ単位格子の体心位置にCo原子が配置され、単位格子の頂点位置にMn原子またはSi原子が不規則に配置されたB2構造の主成分を含んでいる。例文帳に追加

Both the Heusler alloy layers 332, 52 are composed of a CoMnSi alloy with the content rate of Mn larger than 25 atm% and not more than 40 atm%, including a main component with a B2 structure where a Co atom is arranged at the body-centered position of a unit grid and Mn atoms or Si atoms are irregularly arranged at the vertex positions of the unit grid. - 特許庁

ケイ素原子−酸素原子結合を有する特定構造を側鎖に有する繰り返し単位を含む重合体(A成分)を含有することを特徴とするレジストプロセス用中間材料組成物及びそれを用いたパターン形成方法。例文帳に追加

The composition contains a polymer (component A) containing a repeating unit which has a specified structure having a silicon atom-oxygen atom coupling in a side chain. - 特許庁

孔質膜2中の細孔21内にカーボンナノチューブが形成されており、当該カーボンナノチューブは、その直径が5〜30nm、その数が2〜20である超伝導素子であって、前記カーボンナノチューブが、カーボンナノチューブを構成する炭素原子の一部がホウ素原子で置換されたホウ素置換型カーボンナノチューブ3である。例文帳に追加

The multilayer carbon nanotube is formed in a pore 21 in a porous membrane 2, the multilayer carbon nanotube is the superconductive element whose diameter is 5-30 nm, and whose number of layers is 2-20, and the multilayer carbon nanotube is a boron substituted multilayer carbon nanotube 3 in which a part of carbon atoms constituting the multilayer carbon nanotube is substituted by boron atoms. - 特許庁

半導体構造結合体および少なくとも1つの酸化物で形成される原子構造を含む。例文帳に追加

The solar cell includes a semiconductor structure coupling body and the atomic layer multilayer structure formed of at least one oxide. - 特許庁

次に、原子堆積ベースのプロセスにより、発光領域を含むZnOベースの構造を基板上に形成する。例文帳に追加

Then, by a process, based on atomic layer deposition, a ZnO base multilayer structure that includes luminescent region on the substrate is formed. - 特許庁

本発明は、フッ素原子含有ポリイミドを含む成分のポリイミドからなり、緻密におけるフッ素原子含有ポリイミドの割合を制御したポリイミド非対称膜の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method of producing a polyimide asymmetric membrane which comprises a multi-component polyimide including fluorine atom-containing polyimide and is acquired by controlling a proportion of fluorine atom-containing polyimide in a dense layer. - 特許庁

半導体装置100では、配線溝12の底面において、絶縁膜11の内部よりも単位体積あたりの炭素原子数、又は/及び、窒素原子数がい改質13が形成されている。例文帳に追加

In the semiconductor device 100, a modified layer 13 with a larger number of carbon or/and nitrogen atoms per unit volume than in the inside of the insulating film 11 is formed on the bottom surface of the wiring groove 12. - 特許庁

14においては、ケイ素原子及び/又は鉄原子のダングリングボンドが水素で終端され、非晶質の鉄シリサイド膜中に生じ得る数のトラップ準位が解消される。例文帳に追加

In the i-layer 14, dangling bond of a silicon atom and/or an iron atom is terminated by hydrogen and thus a number of trap levels that could occur in the amorphous iron silicide film is eliminated. - 特許庁

酸またはアルカリ処理した金属基板表面上に、金属酸化物の粒子が金属原子とリン原子を含む化合物によって結着してなる孔質を有する平版印刷版用支持体。例文帳に追加

The substrate for the lithographic printing plate has the porous layer in which particles of a metal oxide are bound with a compound containing a metal atom and a phosphorous atom on the surface of the metal base treated with the acid or the alkali. - 特許庁

このようにして形成されるプライマーは、酸素原子の含有量よりも硫黄原子の含有量の方がい部分を、前記導体との界面側に有している。例文帳に追加

The primer layer so formed has a portion having a more content of sulfur atoms than the content of oxygen atoms on the interface side with the conductor. - 特許庁

第1の(51)は、10^19atoms/cm^3又はそれよりいドーパント原子濃度までn型ドーパント種でドーピングされる。例文帳に追加

The first layer 51 is doped with n type dopant species up to more dopant atom concentration than 10^19 atoms/cm^3 or it. - 特許庁

Al_2O_3膜30a及びAl_2O_3/TiO_2膜30bのガス元素の含量は、2原子%以下である。例文帳に追加

The Al_2O_3 film 30a and the multilayer film 30b of Al_2O_3/TiO_2 have a content of gas element not higher than 2 atm.%. - 特許庁

平滑化プロセスには、体形成法における堆積後の原子スケールでの平滑化工程(例えば平滑化支援工程)も含まれるようにしてもよい。例文帳に追加

The smoothing process may comprise a post-deposition atomic smoothing step (e.g., an assist smoothing step) in a multilayer fabrication procedure. - 特許庁

マルチチャンバ型の枚葉式スパッタリング装置の膜成膜における膜界面の原子レベルの汚染を安価かつ効果的に防止する。例文帳に追加

To inexpensively and effectively prevent any contamination on the atom level of a film interface in a multi-layered film deposition of a multi- chamber type piece-like sputtering apparatus. - 特許庁

従って、本発明によれば、使用可能な前駆体の様化と低温で優れた金属酸化物の原子を形成させることの両立が図られる。例文帳に追加

Thereby, the method makes diversifisication of usable precursors compatible with forming the superior atomic layer of metal oxide at a low temperature. - 特許庁

原子炉のための実施例に従った燃料チャネル(400)は、構造の細長い空洞のボディを有する。例文帳に追加

To provide a fuel channel (400) for a nuclear reactor having an elongated and hollow body with a multi-layer structure. - 特許庁

無機物および/または耐熱性有機物からなる1と樹脂を含む4とが、少なくともケイ素原子と酸素原子との結合を有する化合物からなる孔質体3、または樹脂4と該化合物3とからなる孔質体を介して接着されてなることを特徴とする。例文帳に追加

A layer 1 made of an inorganic substance and/or a heat-resistant organic substance, and a layer 4 containing resin, are bonded through a porous body 3 made of a compound having a bond of a silicon atom and an oxygen atom at least or through a porous body made of the resin 4 and the compound 3. - 特許庁

本発明に係る気相成長法による炭素繊維は、底の無いカップ形状をなす炭素六角網数積した、気相成長法による炭素繊維であって、炭素六角網の端面が露出しており、炭素六角網の炭素原子の一部がホウ素原子に置換されて、該ホウ素原子を頂点とする突起が形成されていることを特徴とする。例文帳に追加

The carbon fiber produced by vapor growth method is the one with laminated many bottomless cup-shaped carbon hexagonal net layers, and is characterized in that the end faces of the carbon hexagonal net layers are exposed, a part of carbon atoms of the carbon hexagonal net layers is substituted with boron atom and projections having a vertex of the boron atoms are formed. - 特許庁

本発明は、シリコン(001)基板上に形成され、前記シリコン(001)基板の方線方向に結晶面又は軸が配向した単結晶もしくは結晶の金属酸化物の絶縁と、前記シリコン(001)基板と絶縁との界面に前記シリコン(001)基板のシリコン原子と前記金属酸化物の金属原子の両方に結合する1原子の窒素とを備える半導体装置である。例文帳に追加

The semiconductor device comprises the single crystal or polycrystal metal oxide insulating layer which is formed on the silicon substrate (001) and in which a crystal plane or axis is oriented in the normal direction of the substrate (001), and a nitride layer of a monoatomic layer coupled to both a silicon atom of the substrate (001) and a metal atom of the metal oxide in an interface between the substrate and the insulating layer. - 特許庁

従来の光学膜の成膜装置に比べて安価な成膜装置で従来の光学膜では設計できない所望の光学特性を有する高品質の光学膜を大面積の基板に成膜できる原子堆積法による光学膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing an optical multilayer membrane by an atomic layer deposition method by which an optical multilayer film of high quality having desired optical properties which can not be designed in the conventional optical multilayer membrane can be deposited on a substrate with a large area using a membrane deposition system more inexpensive than the conventional membrane deposition system for an optical multilayer membrane. - 特許庁

正12面体の頂点に炭素原子20個が置かれたナノ炭素C20のクラスタの空洞の内面体の頂点に炭素原子30個が置かれたナノ炭素C30のクラスタを内蔵し、さらに内に前記正12面体のC20のクラスタを内蔵した3の炭素原子クラスタからなるたまねぎ状構造であるナノ炭素構造体。例文帳に追加

The invention discloses the nanocarbon structure having an onion-like structure comprising a three-layer carbon atom cluster which consists of a C20 nanocarbon cluster having twenty carbon atoms at vertexes of a dodecahedron, a C30 nanocarbon cluster having 30 carbon atoms at vertexes of a polyhedron housed in the cavity of the C20 cluster, and further a C20 cluster of a dodecahedron housed in the C30 cluster. - 特許庁

14においては、そこに含まれる水素原子の少なくとも一部がケイ素原子及び/又は鉄原子のダングリングボンドを終端することにより、非晶質の鉄シリサイド膜中に生じ得る数のトラップ準位を解消でき、これによりi14が真性半導体としての特性を発現する。例文帳に追加

Since at least part of the hydrogen atoms contained in the i-layer 14 terminates the dangling bond of silicon atoms and/or iron atoms in the i-layer 14, many trap levels which may occur in the amorphous iron silicide film can be dissolved and, accordingly, the i-layer 14 reveals the characteristics of an intrinsic semiconductor layer. - 特許庁

ハロゲン原子を含まず、熱膨張係数が低く、且つ、難燃性を有するプリント配線板の材料として信頼性を有するプリント配線板用接着フィルムを提供する。例文帳に追加

To provide an adhesive film for a multilayer printed wiring board, which contains no halogen atom, has a low thermal expansion coefficient and flame resistance and has reliability as a material of the multilayer printed wiring board. - 特許庁

有機薄膜材料を構成する原子と入射電子線の相互作用を増大させることにより有機薄膜材料中における入射電子線の散乱効果を大きくする。例文帳に追加

By increasing interaction of an atom constituting the organic multi-layered thin film material and an incident electron beam, a scattering effect of the incident electron beam in the organic multi-layered thin film material is increased. - 特許庁

基板上に導体回路と樹脂絶縁とが順次形成され、最外にソルダーレジストが形成されたプリント配線板であって、上記ソルダーレジストは、P原子含有エポキシ樹脂を含むことを特徴とするプリント配線板。例文帳に追加

Concerning the multilayer printed wiring board with which conductor circuits and resin insulating layers are formed successively on a substrate, the solder resist layer is formed on the outermost layer, and the solder resist layer contains P atom containing epoxy resins. - 特許庁

特定波長域を反射させる誘電体膜ミラーであって、基板1の両面に両面対称構造を有する一対の誘電体膜2が原子堆積(ALD)法により成膜された誘電体膜構造体10を2枚以上接合して成ることを特徴とする。例文帳に追加

The dielectric multilayer film mirror reflecting a specific wavelength region is made by joining at least two sheets of dielectric multilayer film structures 10 each of which is prepared by film-depositing a pair of dielectric multilayer films 2 having a both surfaces-symmetric structure on both surfaces of the substrate 1 according to an atomic layer deposition (ALD) method. - 特許庁

下部電極10、記憶20および上部電極30をこの順に積した記憶素子1において、記憶20はテルルを(Te)を最もく含むを有する抵抗変化22と、アルミニウム(Al)を27.7原子%以上47.4原子%以下の範囲内で含有するイオン源21とを有する。例文帳に追加

In the storage element 1 laminating a lower electrode 10, a memory layer 20 and an upper electrode 30 in this order, the memory layer 20 has a resistance change layer 22 including a layer containing the most tellurium (Te), and an ion source layer 21 containing aluminum (Al) within the range of 27.7-47.4 atom%. - 特許庁

本発明は、状ケイ酸塩、及び、該状ケイ酸塩の間に挿入された2以上のフッ素原子を分子内に有するフッ素界面活性剤からなる気体吸着材である。例文帳に追加

The gas adsorbent is compose of the sheet silicate and a multi- fluorine containing surfactant having more than 2 fluorines in the molecule intercalated between layers of the sheet silicate. - 特許庁

当該構造体は、金属基板1上に、アルカリ金属原子の化合物粒子を微細分散させた付着を形成した後、この付着に高エネルギービームを照射することにより製造することができる。例文帳に追加

After forming an adhesive layer where the compound particles of alkaline metal atom is finely dispersed on the metal substrate 1, the multilayer structure can be manufactured by irradiating high energy beam at this adhesion layer. - 特許庁

続く酸化ステップにより、この微細な埋め込み孔質は埋め込み酸化膜に変えられ、粗い上面は、Si原子の表面マイグレーションによって固体のSi含有オーバに融合する。例文帳に追加

According to the oxidation step, the fine buried porous layer is changed into a buried oxide layer, and the coarse upper surface layer is fused into a solid Si containing over-layer due to surface migration of Si atoms. - 特許庁

太陽電池内の各を形成するプロセスにおいて、太陽電池に対する熱的影響および熱亀裂の発生を抑制する原子構造を備えた太陽電池および太陽電池を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a solar cell which includes an atomic layer multilayer structure preventing thermal effect on the solar cell and heat crack occurrence in the solar cell in the process for forming respective layers in the solar cell, and to provide a method of manufacturing the solar cell. - 特許庁

ヤシ殻活性炭を4000ppmの一酸化窒素を含む不活性ガス雰囲気下で、800℃で3時間熱処理することにより、窒素を原子比で0.3〜0.6%、酸素を原子比で0.7〜1.2%含有する孔質炭素を製造し、電気二重キャパシタ用の電極材料とする。例文帳に追加

Porous carbon containing 0.3 to 0.6 atom% nitrogen and 0.7 to 1.2 atom% oxygen is manufactured by carrying out a heat treatment on palm shell activated carbon at 800°C for three hours in an inert gas atmosphere containing 4,000 ppm nitrogen monoxide to provide the electrode material for the electrode for electric double layer capacitor. - 特許庁

無機微粒子、親水性バインダー、分子内にジルコニウム原子またはアルミニウム原子を含む化合物A(但し、酸化ジルコニウム及び酸化アルミニウムを除く)、該化合物Aと異なる、価金属原子を分子内に含む化合物Bを該化合物Aの0.1〜10モル%含有するインク吸収を支持体上に有することを特徴とするインクジェット記録用紙。例文帳に追加

The ink jet recording sheet comprises an ink absorption layer containing inorganic fine particles, a hydrophilic binder, a compound A (except zirconium oxide and aluminum oxide) containing a zirconium atom or an aluminum atom in a molecule, a compound B containing a polyvalent metal atom different from that in the compound A in a molecule of 0.1 to 10 mol% of the compound A on a support. - 特許庁

未結合手に代表される欠陥をく含む酸化シリコンを、酸化物半導体に接して形成し、酸化物半導体に含まれる水素や水分(水素原子や、H_2Oなど水素原子を含む化合物)などの不純物を、上記酸化シリコンに拡散させ、上記酸化物半導体中の不純物濃度を低減する。例文帳に追加

The impurity concentration in an oxide semiconductor layer is reduced in such a way that a silicon oxide layer including many defects typified by dangling bonds is formed in contact with the oxide semiconductor layer, and an impurity such as hydrogen or moisture (a hydrogen atom or a compound including a hydrogen atom such as H_2O) included in the oxide semiconductor layer is diffused into the silicon oxide layer. - 特許庁

基板上に導体回路と樹脂絶縁とが順次形成され、これら導体回路がバイアホールを介して接続されたプリント配線板であって、上記樹脂絶縁は、P原子含有エポキシ樹脂を含むことを特徴とするプリント配線板。例文帳に追加

In the multilayered printed wiring board, with which conductor circuits and resin insulating layers are formed successively on a substrate and these conductor circuits are connected via the via hole, each of the resin insulating layers contains P atom containing epoxy resins. - 特許庁

基板上に、シリコン原子を含むガス及び水素ガスを用いて非晶質シリコンを形成する工程と、前記非晶質シリコンを、結晶化誘導金属を用いて結晶シリコンに結晶化させる工程とを含むことを特徴とする結晶シリコンの製造方法を提供する。例文帳に追加

A method of manufacturing a polycrystal silicon layer is provided including a step of forming an amorphous silicon layer using a gas containing silicon atoms and a hydrogen gas on a substrate, and a step of crystallizing the amorphous silicon layer into a polycrystal silicon layer using a crystallization induction metal. - 特許庁

例文

構造膜の一具体例は、非磁性貴金属原子から形成される第1薄膜43a、および、磁性原子または磁性合金から形成される第2薄膜43bを重ね合わせる積体41と、この積体41の表面に重ね合わせられ、積体41の飽和磁化Msよりも大きい飽和磁化Msを有する強磁性膜42とを備える。例文帳に追加

One concrete example of the multilayer structure film includes: a laminate 41 formed by alternately laminating first thin films 43a made from non-magnetic noble metal atoms and second thin films 43b made from magnetic atoms or a magnetic alloy; and a ferromagnetic film 42 laminated on a surface of the laminate 41, having a saturation magnetization Ms larger than a saturation magnetization Ms of the laminate 41. - 特許庁

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