チャネル多結晶の英語

チャネル領域２に含まれる結晶粒界６の量によって、多結晶TFT１０１の特性がばらつく。例文帳に追加

A polycrystalline TFT 101 varies in characteristics depending on the volume of crystal grain boundaries 6 contained in the channel region 2. - 特許庁

横方向に結晶化したＥＬＡ多結晶ＳＩ膜を形成するために複数のマスクを使用してチャネル特性を最適化する方法例文帳に追加

METHOD FOR OPTIMIZING CHANNEL CHARACTERISTICS USING MULTIPLE MASKS FOR FORMING LATERALLY CRYSTALLIZED ELA POLYCRYSTALLINE SI FILM - 特許庁

また、多結晶シリコン膜において、チャネル領域３Ｃ内の結晶粒界の数が５以上である。例文帳に追加

Also, in the polycrystalline silicon film, the number of the crystal grain boundary present in the channel region 3C is not smaller than 5. - 特許庁

半導体装置は、チャネル領域に多結晶ケイ素膜が用いられると共に、該チャネル領域に含まれるケイ素の結晶粒数が２〜９９個である薄膜トランジスタを備える。例文帳に追加

The semiconductor device has a film transistor in whose channel zone a polycrystalline silicon film is used and where the number of silicon crystal grains included in the channel zone is 2-99. - 特許庁

この基板から製造される平面表示装置は画素部トランジスタのチャネル部は水素化非晶質シリコン膜で、駆動回路部トランジスタのチャネル部は脱水素化多結晶（微結晶）シリコン膜で構成される。例文帳に追加

In this flat display device manufactured from this substrate, the channel part of a pixel part transistor channel part is formed of a hydrogenated amorphous silicon film, and the channel part of a drive circuit part transistor is formed of a dehydrogenated polycrystalline (microcrystalline) silicon film. - 特許庁

ｎチャネルＭＩＳＦＥＴ領域をシリコン窒化膜６によりマスクして、ｐチャネル領域の多結晶ＳｉＧｅ膜７を選択的に熱酸化することにより、そのＧｅ濃度を高くする。例文帳に追加

After the n-channel MISFET region is masked by a silicon nitride film 6, the polycrystalline SiGe film 7 in the p-channel region is thermally oxidized selectively to increase its Ge concentration. - 特許庁

多結晶シリコンＴＦＴのチャネル領域内の不純物濃度分布を精密に制御して、ゲート長を短くした場合でも短チャネル効果を抑制し、かつ、閾値電圧を制御する。例文帳に追加

To restrain short channel effects even if the gate length is reduced and to control a threshold voltage by controlling the concentration distribution of impurities inside a channel region of a polycrystalline silicon TFT precisely. - 特許庁

工程を複雑にすることなく、多結晶シリコン膜に回路特性に適したｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴを形成することができる薄膜半導体装置及び差動増幅回路及び表示装置の提供。例文帳に追加

To provide a thin film semiconductor device, a differential amplifier, and a display device, which form an n-channel TFT and a p-channel TFT suitable for circuit characteristics on a polycrystalline silicon film without complicating manufacturing processes. - 特許庁