トラップサイトの英語

半導体製造技術に関し、特に、半導体素子の製造工程のうち、トラップサイトによる光電子の損失という欠陥を解決し、フォトダイオードのフィルファクターを増やすイメージセンサの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a technology of fabricating a semiconductor, particularly, a method of fabricating an image sensor capable of eliminating the drawback of photoelectron loss due to trap sites to increase a fill factor of a photodiode in a process of fabricating a semiconductor device. - 特許庁

鋼材の表面ほどセメンタイト相が多い状態となるので、このセメンタイト相が水素を捕獲するトラップサイトとなり、鋼材の内側への水素の侵入が抑制されるようになる。例文帳に追加

Since the cementite phase is formed more as closer to the surface of the steel products, the cementite phase serves as a trap site trapping hydrogen, and hydrogen is prevented from entering an inside of the steel products. - 特許庁

電荷の蓄積によりデータを記憶するデータメモリ手段において、フローティングゲートからトンネル酸化膜のトラップサイトへの移動による電荷の減少を補償する。例文帳に追加

To compensate for reduction of charges due to the movement to the trap site of a tunnel oxide film from the floating gate in a data memory means for storing data through accumulation of charges. - 特許庁

これによりゲート絶縁膜７への不純物の拡散を抑制して欠陥の形成を抑制すると共にシリコンとゲート絶縁膜７の元素との反応も抑制してトラップサイトの形成を抑制し、ゲートリーク、閾値電圧の変動、ヒステリシス、ＴＤＤＢ寿命、ＰＢＴＩ寿命を改善する。例文帳に追加

Thereafter, polycrystalline silicon is deposited at a film formation temperature of nearly 600°C or above. - 特許庁

底部絶縁膜、中間膜、頂部絶縁膜からなる、不揮発性メモリのゲート絶縁膜内の離散化したキャリアトラップサイトへ捕獲されたキャリアを、高速ないし低電圧で放出する、または残量少なく放出することの少なくとも１つを実現する。例文帳に追加

To release a carrier at high speed or low voltage or release the carrier with a small remaining quantity, the carrier being trapped in a discrete carrier trap site in the gate insulating film of a nonvolatile memory which comprises a bottom insulating film, an intermediate film, and a top insulating film. - 特許庁

ゲート絶縁膜として高誘電率膜を用いる構造において、高誘電率膜からなるゲート絶縁膜とゲート電極との反応やゲート絶縁膜への不純物の拡散を抑制し欠陥やトラップサイトの形成に起因する特性や信頼性の低下を抑制することができる半導体装置の提供。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a structure using a film having a high dielectric constant as a gate insulation film which can suppress the deterioration of characteristics and reliability due to the formation of defects and trap sites, by suppressing the reaction between the gate insulation film consisting of the film having a high dielectric constant and a gate electrode and the diffusion of dopants into the gate insulation film. - 特許庁

８００℃以上の高温のプラズマ窒化処理工程を含んでトンネル絶縁膜を形成することにより、トラップサイト(trap site)を減少させ、シリコン酸化窒化膜（ＳｉＯＮ）の形成によってホウ素浸透を抑制して漏れ電流および絶縁破壊電圧特性などを改善することが可能なフラッシュメモリ素子のトンネル絶縁膜形成方法の提供。例文帳に追加

To provide a method of forming a tunnel insulation film of a flash memory device that can improve leak current property and insulation breakdown voltage property or the like by suppressing boron impregnation by forming a silicon oxinitride film (SiON) through a process of forming the tunnel insulation film including a plasma nitridation process at a temperature higher than 800°C to reduce trap sites. - 特許庁

半導体基板２１と、半導体基板２１上に形成され、当該半導体基板２１に形成された第１不純物領域２２ａ及び第２不純物領域２２ｂと接触するゲート構造体と、を備える半導体メモリ素子であって、ゲート構造体は、金属窒化物をトラップサイトとして利用している。例文帳に追加

A semiconductor memory device comprises a semiconductor substrate 21 and a gate structure formed on the semiconductor substrate 21 and which comes into contact with a first impurity region 22a and a second impurity region 22b formed on the semiconductor substrate 21, and the gate structure utilizes a metal nitride as a trap site. - 特許庁