トランジスタ寸法の英語

印刷法により、プラスチックフィルムを基板として用いて、高寸法精度の有機トランジスタを形成することができる有機トランジスタの形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming an organic transistor which can form an organic transistor having high dimension accuracy by using a plastic film as a substrate by a printing method. - 特許庁

半導体集積回路にはＭＯＳトランジスタが形成される素子活性領域のゲート長方向の寸法を考慮してＭＯＳトランジスタのレイアウト構造が決定されている。例文帳に追加

The layout structure of the MOS transistor is decided in the semiconductor integrated circuit by considering a size in a gate lengthwise direction of an element active region where the MOS transistor is formed. - 特許庁

その際、ｐチャネルＭＯＳトランジスタとｎチャネルＭＯＳトランジスタのキャリア移動度が平衡するように、前記構造の寸法・形状を設定する。例文帳に追加

Size and shape of the structure are set so as to balance carrier mobilities between the p-channel MOS transistor and the n-channel MOS transistor. - 特許庁

ＣＭＯＳトランジスタの動作時にゲート電極の空乏化を防ぎ、かつ、N型及びP型トランジスタでゲート電極寸法に差異が生じない半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of a semiconductor device that prevents the depletion of a gate electrode at a time when CMOS transistor is operated and never causes differences in gate electrode dimensions of N-type and P-type transistors. - 特許庁

両ＭＯＳバラクタ１３，１４は、各々ｐＭＯＳトランジスタ１１及びｎＭＯＳトランジスタ１２と全く同じ寸法構造ないしは２倍のチャネル面積を有する。例文帳に追加

Both the varactors 13 and 14 have entirely the same size structure as those of the transistor 11 and the transistor 12 or twice the channel area. - 特許庁

また、所望の電流容量を与えるトランジスタは、幾何学的寸法が、実質的に同一サイズである複数の単位バイポーラトランジスタを、互いに電気的に並列接続することにより構成する。例文帳に追加

In addition, transistors that give predetermined current capacitance are configured by electrically connecting a plurality of unit bipolar transistors where geometric dimensions are substantially the same mutually. - 特許庁

寸法ずれによりゲート長が「ΔＬ」だけ長くなった場合、クロックドライバを構成するトランジスタのゲート長は「Ｌ＋α＋ΔＬ」となり、フリップフロップ群を構成するトランジスタのゲート長は「Ｌ＋ΔＬ」となる。例文帳に追加

When a gate becomes longer by a length ΔL due to dimensional deviation, the gate of a transistor that forms a clock driver becomes 'L+α+ΔL' in length, and the gates of transistors that form a flip-flop group become as long as 'L+ΔL'. - 特許庁

この構成により、活性領域Ａ、素子分離領域ＩＳの寸法を変更することなく、ｎチャネルトランジスタＱｎとｐチャネルトランジスタＱｐの駆動電流をともに増加させることができる。例文帳に追加

In this configuration, the both driving currents in the n-channel transistor Qn and the p-channel transistor Qp can be increased without changing the sizes of the active regions A and the device isolation region IS. - 特許庁