フラッシュ蒸着の英語

アクリル保護層が、アクリルフラッシュ蒸着で形成されたこと。例文帳に追加

The acrylic protective layer is formed by acryl flash vapor deposition. - 特許庁

２種類以上の液体状のモノマーを異なるエバポレータで気化させて混合することができるフラッシュ蒸着方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide a flash vapor-deposition method which can vaporize two or more kinds of liquid monomers by using different evaporators and mix them, and to provide an apparatus therefor. - 特許庁

有機デバイス用蒸着材料が、有機デバイスの製造に用いられ、フラッシュ蒸着法により蒸着させて有機層を形成し、昇華精製された蒸着材料であって、Ｄ５０％で表される平均粒径が１０μｍ〜２００μｍであり、かつ、Ｄ６０％径／Ｄ１０％径で表される均一度が１．０〜４．０であることを特徴とする。例文帳に追加

The vapor deposition material for an organic device, used for manufacture of the organic device, is one sublimed and refined vapor by forming an organic layer through vapor deposition based on a flash vapor deposition method, with an average particle diameter expressed in D50% of 10-200 μm, and a uniformity expressed in D60% diameter/D10% diameter of 1.0-4.0. - 特許庁

本発明は、フラッシュ法による成膜速度調節により、先ずフラッシュ法により低エネルギー窒素イオンの侵入深さ膜厚のC60フラーレン膜を蒸着し、同時に低エネルギーの窒素イオンを所望のドーズ量注入する工程を所望の薄膜厚になるまで繰り返すことにより窒素注入C60フラーレン薄膜を作製する。例文帳に追加

A process where a C60 fullerene thin film having film thickness of penetration depth of low-energy nitrogen ions is fist vapor-deposited by the flash method and simultaneously low-energy nitrogen ions are implanted by the desired total dose is repeated until the desired thin film thickness is obtained by controlling film deposition rate in the flash method, by which the nitrogen-implanted C60 fullerene thin film can be manufactured. - 特許庁

フラッシュメモリ素子のフローティングゲート形成方法において、ハードマスク用窒化膜をマルチストリップを通じて除去することにより、フローティングゲート用ポリ蒸着時にシームが発生することを防止し、フローティングゲート用ポリをブランクエッチングしてフローティングゲート用ポリの上端の角部を丸くすることにより、コントロールゲート用ポリ蒸着時にボイドが発生することを防止する。例文帳に追加

In the floating gate forming method of a flash memory element, by removing an oxynitride film for hard mask through multi-strip, seams are prevented from occurring in poly deposition for the floating gate, and by blank-etching of poly for the foating gate and making the upper end of the poly for the floating gate round, a void is prevented from occurring in poly deposition for a control gate. - 特許庁

金属蒸着フィルムコンデンサーをこのように構成することによって、フラッシュランプの点灯回路等に使用した際、数万回といった充放電の繰り返しによっても、金属蒸着フィルムコンデンサー内部に配置された金属蒸着フィルムを巻回し形成したコンデンサー素子の金属蒸着フィルム間に生じる誘電体バリア放電を抑制し、静電容量の減衰を防止することができる。例文帳に追加

By configuring the metal deposition film capacitor in this way, when the capacitor is used in a lighting circuit, or the like, of a flash lamp, even in tens of thousands of charging and discharging cycles, a dielectric barrier electric discharge generated between the metal deposition films of the capacitor element formed by wounding a metal deposition film arranged inside the metal deposition film capacitor is suppressed, and thus the electrostatic capacitance can be prevented from attenuating. - 特許庁

半導体基板またはポリシリコン膜の上に窒化膜をまず蒸着した後、アニール工程を用いた酸化工程によって窒化膜の下方に酸化膜を形成することにより、さらに薄くて優れた膜質を有するトンネル酸化膜またはＯＮＯ１酸化膜を形成してメモリセルの動作性能を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a method of fabricating a flash memory device capable of improving the operation performance of a memory cell in which a nitride film is first deposited on a semiconductor substrate or a polysilicon film and then an oxide film is formed under the nitride film by an oxidization process using an anneal process, so that a tunnel oxide film or an ONO1 oxide film having a thin thickness and a good film quality can be formed. - 特許庁