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ブラッグ反射器の英語
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該当件数 : 72件
分布ブラッグ反射器システムおよび方法例文帳に追加
DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR SYSTEM AND METHOD - 特許庁
半導体レーザ・ダイオードであって、ｎ型分散ブラッグ反射器と、ｐ型分散ブラッグ反射器と、前記ｎ型分散ブラッグ反射器とｐ型分散ブラッグ反射器との間に配置される活性層とを含む共振器と、前記共振器の側面の外周囲に備わる凹凸パターンとを有する。例文帳に追加
The semiconductor laser diode comprises a resonator having an n-type distributed Bragg reflector, a p-type distributed Bragg reflector and an active layer disposed between the n-type distributed Bragg reflector and the p-type distributed Bragg reflector; and a concavo-convex pattern provided on an outer circumference of a side of the resonator. - 特許庁
抽出格子ブラッグ反射器に結合された抽出格子分布帰還波長可変半導体レーザ例文帳に追加
SAMPLED GRATING DISTRIBUTED FEEDBACK VARIABLE WAVELENGTH SEMICONDUCTOR LASER CONNECTED TO SAMPLED GRATING BRAGG REFLECTOR - 特許庁
静電容量の低減を図ることの可能なｎ型半導体分布ブラッグ反射器を提供する。例文帳に追加
To provide an n-type semiconductor distributed bragg reflector that can reduce an electrostatic capacitance. - 特許庁
１つのプロセスが、分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）レーザのエージング特性を評価する。例文帳に追加
One process evaluates the aging characteristics of a distribution Bragg reflector(DBR) laser. - 特許庁
半導体基板１１の主面１１ａ上に第１の分布ブラッグ反射器１３を作製する。例文帳に追加
A first distribution bragg reflector 13 is manufactured on the main surface 11a of a semiconductor substrate 11. - 特許庁
このような構成では、低抵抗な半導体分布ブラッグ反射器を提供することができる。例文帳に追加
By this constitution, the semiconductor distributed bragg reflector of the low resistance is obtained. - 特許庁
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「ブラッグ反射器」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 72件
低抵抗で、かつ、光吸収損失が小さい半導体分布ブラッグ反射器を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor distributed bragg reflector where resistance is low and an optical absorption loss is small. - 特許庁
発光デバイスは、反射性金属層と分散型ブラッグ反射器とによって形成された共振空洞を含む。例文帳に追加
The light emitting device includes a resonant cavity formed by a reflective metal layer and a distributed Bragg reflector. - 特許庁
反射要素、例えば、分布ブラッグ反射器が、光カップラ及び／または光導波路の下部に形成されうる。例文帳に追加
A reflective element, such as a distributed Bragg reflector, can be formed under the coupler and/or the optical waveguide. - 特許庁
反射率を低下させることなく、低抵抗で且つ光吸収損失が小さい半導体分布ブラッグ反射器を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor Bragg reflector capable of reducing resistance and light absorption loss without reducing a reflection factor. - 特許庁
積層方向に順次に積層されているｐ型半導体分布ブラッグ反射器Ｉとｐ型半導体分布ブラッグ反射器IIとで、中間層（線形組成傾斜層）の厚さが異なっている。例文帳に追加
A p-type semiconductor distribution Bragg reflector I and a p-type semiconductor distribution Bragg reflector II which are successively laminated in the lamination direction are different in thicknesses at intermediate layers (linear composition inclination layer). - 特許庁
第１の量子細線１７と埋め込み半導体領域２３とは、第１の分布ブラッグ反射器１８を構成し、第２の量子細線１９と埋め込み半導体領域２５とは、第２の分布ブラッグ反射器２０を構成する。例文帳に追加
The first quantum wires 17 and the buried semiconductor regions 23 constitute a first distributed Bragg reflector 18, and the second quantum wires 19 and the buried semiconductor regions 25 constitute a second distributed Bragg reflector 20. - 特許庁
分布ブラッグ反射器での赤外光の発光を無視し得るレベルまで低減し、更には分布ブラッグ反射器での光の吸収率を低くした高輝度の発光ダイオードを提供すること。例文帳に追加
To provide a high-luminance light-emitting diode which reduces the emission of infrared light in a distributed Bragg reflector to a negligible level and further reduces the absorptivity of light in the distributed Bragg reflector. - 特許庁
調整を終えたＸ線ポリゴン結晶７を回していけば、ブラッグ反射が次々と起きて、Ｘ線検出器９で捉えた反射強度曲線でブラッグ角度の位置を決めることができる。例文帳に追加
When the X-ray polygon crystal 7 after adjustment is rotated, Bragg reflection is successively generated and the position of a Bragg angle can be determined by a reflection intensity curve caught by an X-ray detector 9. - 特許庁
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