「ブラッグ反射器」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

半導体基板１１の主面１１ａ上に第１の分布ブラッグ反射器１３を作製する。例文帳に追加

A first distribution bragg reflector 13 is manufactured on the main surface 11a of a semiconductor substrate 11. - 特許庁

このような構成では、低抵抗な半導体分布ブラッグ反射器を提供することができる。例文帳に追加

By this constitution, the semiconductor distributed bragg reflector of the low resistance is obtained. - 特許庁

低抵抗で、かつ、光吸収損失が小さい半導体分布ブラッグ反射器を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor distributed bragg reflector where resistance is low and an optical absorption loss is small. - 特許庁

発光デバイスは、反射性金属層と分散型ブラッグ反射器とによって形成された共振空洞を含む。例文帳に追加

The light emitting device includes a resonant cavity formed by a reflective metal layer and a distributed Bragg reflector. - 特許庁

反射要素、例えば、分布ブラッグ反射器が、光カップラ及び／または光導波路の下部に形成されうる。例文帳に追加

A reflective element, such as a distributed Bragg reflector, can be formed under the coupler and/or the optical waveguide. - 特許庁

反射率を低下させることなく、低抵抗で且つ光吸収損失が小さい半導体分布ブラッグ反射器を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor Bragg reflector capable of reducing resistance and light absorption loss without reducing a reflection factor. - 特許庁

積層方向に順次に積層されているｐ型半導体分布ブラッグ反射器Ｉとｐ型半導体分布ブラッグ反射器IIとで、中間層（線形組成傾斜層）の厚さが異なっている。例文帳に追加

A p-type semiconductor distribution Bragg reflector I and a p-type semiconductor distribution Bragg reflector II which are successively laminated in the lamination direction are different in thicknesses at intermediate layers (linear composition inclination layer). - 特許庁

第１の量子細線１７と埋め込み半導体領域２３とは、第１の分布ブラッグ反射器１８を構成し、第２の量子細線１９と埋め込み半導体領域２５とは、第２の分布ブラッグ反射器２０を構成する。例文帳に追加

The first quantum wires 17 and the buried semiconductor regions 23 constitute a first distributed Bragg reflector 18, and the second quantum wires 19 and the buried semiconductor regions 25 constitute a second distributed Bragg reflector 20. - 特許庁

分布ブラッグ反射器での赤外光の発光を無視し得るレベルまで低減し、更には分布ブラッグ反射器での光の吸収率を低くした高輝度の発光ダイオードを提供すること。例文帳に追加

To provide a high-luminance light-emitting diode which reduces the emission of infrared light in a distributed Bragg reflector to a negligible level and further reduces the absorptivity of light in the distributed Bragg reflector. - 特許庁

調整を終えたＸ線ポリゴン結晶７を回していけば、ブラッグ反射が次々と起きて、Ｘ線検出器９で捉えた反射強度曲線でブラッグ角度の位置を決めることができる。例文帳に追加

When the X-ray polygon crystal 7 after adjustment is rotated, Bragg reflection is successively generated and the position of a Bragg angle can be determined by a reflection intensity curve caught by an X-ray detector 9. - 特許庁

半導体基板を用いて作製する発光素子において、分布ブラッグ反射器２で発生した近赤外線（波長７００〜１１００ｎｍ）を、分布ブラッグ反射器２から外部へ取り出される光の光路中に設置した近赤外線吸収機能を有する材料（分布ブラッグ反射器１０等）で除去または減少させる構成とする。例文帳に追加

In the light emitting element manufactured by using a semiconductor substrate, the near-infrared ray (wavelength of 700-1,100 nm) generated by a distributed Bragg reflector 2 is removed or reduced by a material (a distributed Bragg reflector 10, etc.) having a near-infrared ray absorbing function and installed in an optical passage of the light removed from the distributed Bragg reflector 2 to the outside. - 特許庁

外部共振器、半導体基体ならびにブラッグ反射器を有する垂直放射形光ポンピンポンピング効率を改善すること。例文帳に追加

To improve the light pumping efficiency of a vertical radiation semiconductor laser having an external resonator, a semiconductor substrate, and a Bragg reflector. - 特許庁

これらの分布ブラッグ反射器により、活性層２１の長さを共振器長とするＤＢＲレーザが形成される。例文帳に追加

These distributed Bragg reflectors form a DBR laser having a cavity length defined by the length of the active layer 21. - 特許庁

この反射器はブラッグ反射器であることが望ましく、反射する光の波長並びに上部ミラー及び底部ミラー間の距離を変更するメカニズムを含んでもよい。例文帳に追加

It is desirable that the reflector is a Bragg reflector and it can include a mechanism that changes the wavelength of reflected light and a distance between the upper mirror and the base mirror. - 特許庁

そのプロセスは、ＤＢＲレーザに同調電流が供給されているが、レーザが放射されていない間に、分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）レーザのブラッグ回折格子を光で照明するステップを含む。例文帳に追加

The process comprises a step in which a Bragg diffraction lattice of the distribution Bragg reflector(DBR) laser is irradiated with light while the DBR laser is supplied with a synchronization current with no laser radiation. - 特許庁

可飽和ブラッグ反射器１０は、好ましくは、３つのセクションを有するモノリシック集積多層スタックを有する。例文帳に追加

A saturable Bragg reflector 10 has monolithic integrated multilayer stack having three sections favorably. - 特許庁

分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）１３上に、第１のｎ型スペーサ半導体層１５、活性層１７、及びｐ型スペーサ層１９を成長する。例文帳に追加

A first n-type spacer semiconductor layer 15, an active layer 17, and a p-type spacer layer 19 are grown on the first distribution bragg reflector (DBR) 13. - 特許庁

半導体分布ブラッグ反射器、面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光インターコネクションシステム、および光通信システム例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR, SURFACE EMISSION LASER ELEMENT, SURFACE EMISSION LASER ARRAY, OPTICAL INTERCONNECTION SYSTEM AND OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM - 特許庁

半導体分布ブラッグ反射器および面発光レーザ素子および面発光レーザアレイおよび光通信システムおよび光インターコネクションシステム例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR, SURFACE EMITTING LASER ELEMENT, SURFACE EMITTING LASER ARRAY, OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM, AND OPTICAL INTERCONNECTION SYSTEM - 特許庁

ＰＢＧブラッグ反射器は、異なる屈折率を有する２つの膜からなる周期的な二層膜を少なくとも１つ含んでいる。例文帳に追加

The PBG Bragg reflector includes at least a periodic double-layered film comprising two films having different refractive indexes. - 特許庁

分布ブラッグ反射器および面発光レーザ素子および面発光レーザアレイおよび光インターコネクションシステムおよび光通信システム例文帳に追加

DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR, SURFACE EMISSION LASER ELEMENT, SURFACE EMISSION LASER ARRAY, OPTICAL INTERCONNECTION SYSTEM AND OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM - 特許庁

垂直共振型面発光素子１１では、活性領域１７は、分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）１３とＤＢＲ１５との間に設けられている。例文帳に追加

In a vertical resonance type surface light emitting device 11, an active region 17 is provided between distributed bragg reflector (DBR) 13 and DBR 15. - 特許庁

分布ブラッグ反射器集積モード同期半導体レーザ３１を用いることで、信号対雑音比の良い多数の連続光を発生できる。例文帳に追加

By using a distributed Bragg reflector-accumulated mode-locked semiconductor laser 31, a large number of continuous light beams with a favorable SN ratio can be generated. - 特許庁

温度に応じて変形する部材で熱感知器１を構成し、この熱感知器１に伸縮歪みによって光の反射波長が変化するファイバブラッググレーティング２の少なくとも一端を支持させ、このファイバブラッググレーティング２で反射した光の波長変化から温度変化を検出する。例文帳に追加

A thermo sensor 1 consists of a member deformed in accordance with a temperature and supports at least one end of a fiber Bragg grating 2 varying the reflecting wavelength of light by the distortion of expansion and contraction to detect temperature variation from the wavelength variation of light reflected by this grating 2. - 特許庁

垂直共振器面発光レーザを製造する方法は、基板に下側ブラッグ反射鏡を付着させる工程、活性層を付着させる工程、上側ブラッグ反射鏡を付着させる工程、及び活性層に電圧を加える電気的接点を形成する工程とを含む。例文帳に追加

The method for manufacturing a vertical resonator surface light-emitting laser includes a process for allowing a lower Bragg reflector to adhere onto a substrate, a process for allowing an active layer to adhere, a process for allowing an upper Bragg reflector to adhere, and a process for forming an electric contact for applying voltage to the active layer. - 特許庁

前記分布ブラッグ反射器は青色波長領域の第１波長の光、緑波長領域の第２波長の光及び赤色波長領域の第３波長の光に対して９０％以上の反射率を有する。例文帳に追加

The distributed Bragg reflector has reflectivities of 90% or more for light of a first wavelength in a blue wavelength range, light of a second wavelength in a green wavelength range, and light of a third wavelength in a red wavelength range. - 特許庁

また、分布ブラッグ反射器は、青色波長領域の第１波長の光、緑色波長領域の第２波長の光、及び赤色波長領域の第３波長の光に対して、９０％以上の反射率を有する。例文帳に追加

The distributed Bragg reflector has a reflectivity of at least 90% for light of a first wavelength in a blue wavelength range, light of a second wavelength in a green wavelength range, and light of a third wavelength in a red wavelength range. - 特許庁

広い波長範囲にわたって高い反射率を有する分布ブラッグ反射器、それを採択した発光ダイオードチップ及び発光ダイオードパッケージを提供する。例文帳に追加

To provide: a distributed Bragg reflector having high reflectivity over a wide wavelength range; and a light emitting diode chip and a light emitting diode package employing the same. - 特許庁

本発明は、広い波長領域に亘って高い反射率を有する分布ブラッグ反射器を有し、発光効率が向上した発光ダイオードチップを提供する。例文帳に追加

To provide a light-emitting diode chip that has a distributed Bragg reflector having high reflectivity over a wide wavelength range and is improved in luminous efficiency. - 特許庁

所定の範囲の角度で入射する光を反射し、所定の範囲の角度から外れた角度で入射する光は屈折させて側面から放出する分布ブラッグ反射器３を設けるようにした。例文帳に追加

A distribution Bragg reflector 3, which reflects light injected at an angle in a prescribed range, and refracts and emits light injected at an angle out of a prescribed range from a side surface, is provided. - 特許庁

光源１からの光が入射される光ファイバ３に一以上のブラッグ回折格子（ＦＢＧ）５が形成され、各ブラッグ回折格子５からの反射光の波長を波長検出器９により検出して各ブラッグ回折格子１の位置における温度、歪み等の物理量を測定するようにした波長計測装置に関する。例文帳に追加

In a wavelength measuring device, one or more Bragg diffraction gratings (FBG) 5 are formed on an optical fiber 3 which emits light from a light source 1, the wavelength of reflection light from each Bragg diffraction grating 5 is detected by a wavelength detector 9 to measure a physical quantity such as temperature and strain at the position of each Bragg diffraction grating 5. - 特許庁

一対の分布ブラッグ反射器のうちの少なくとも一方の分布ブラッグ反射器は、活性層１０５と共振器スペーサー層１０４，１０６とから構成される共振領域１０７とは別の第２の共振領域１１４を含み、該第２の共振領域１１４は、電流注入領域の中心から所定の距離の範囲を除く領域に設けられている事を特徴としている。例文帳に追加

In the surface emitting laser element, at least one of a pair of distributed Bragg reflectors includes a second resonance region 114 that is different from a resonance region 107 made up of an active layer 105 and resonator spacer layers 104, 106, and the second resonance region 114 is provided in the region exclusive of the range from a center of the current injection region to a predetermined distance. - 特許庁

アレイ導波路回折格子のような波長分割多重化器、光増幅器及び光ファイバブラッグ格子のような波長依存反射器又はミラーのような波長無依存反射器を利用して、レーザ共振空間を形成して増幅器の自然放出光がレージングされるようにする。例文帳に追加

To allow spontaneous emission light from an amplifier to be activated to laser, a laser resonant cavity is formed by using a wavelength division multiplexer such as an arrayed waveguide grating, an optical amplifier, and wavelength-dependent reflectors such as optical fiber bragg gratings or wavelength-independent reflectors such as mirrors. - 特許庁

複数の発光点１０ａを有する半導体レーザ１０、半導体レーザ１０と共に共振器を構成するブラッグ反射構造１１（回折格子）、ブラッグ反射構造１１から出力された光（基本波）の波長変換を行い２次高調波を発生する非線形光学素子１２を備えている。例文帳に追加

This laser device is provided with: a semiconductor laser 10 having a plurality of emission points 10a; a Bragg reflection structure 11 (diffraction grating) constituting a resonator along with the semiconductor laser 10; and a nonlinear optical element 12 carrying out wavelength conversion of light (fundamental wave) output from the Bragg reflection structure 11 to generate second harmonic waves. - 特許庁

ファイバスタブ４０の第二の面４０ｂは、半導体光増幅素子２０と光学的に結合し、半導体光増幅素子２０の光反射面とブラッグ回折格子４１ｃとによりレーザ共振器が構成される。例文帳に追加

The second surface 40b of the fiber stub 40 couples optically with the semiconductor optical amplification device 20, and a laser resonator is constructed of the light reflective surface of the semiconductor optical amplification device 20 and the Bragg diffraction grating 41c. - 特許庁

適当な光減衰器の一例としては、反射率特性がその能動領域にわたって波長と共に変化する調整可能なフアイバブラッグ格子フイルタである。例文帳に追加

An example of a suitable optical attenuator is a fiber Bragg lattice filter in which the adjustment that reflectivity characteristics change with the wavelength over an active region is possible. - 特許庁

符号器は、ファイバブラッググレーティング型であり、光パルス信号に対して波長成分ごとに異なる遅延時間を与えて反射させることにより、符号化光パルス信号を生成する。例文帳に追加

The encoder is fiber Bragg grating type, and by giving different delay time to the optical pulse signal for each wavelength factor and reflecting it, a coded optical pulse signal is generated. - 特許庁

透明酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）上部電極がＳｉ含有誘電体層の上に配置されており、光バンドギャップ（ＰＢＧ）ブラッグ反射器がＳｉ下部電極の下に配置されている。例文帳に追加

The upper electrode of a transparent indium-tin oxide (ITO) is disposed on the Si-containing dielectric layer, and a photo band gap (PBG) Bragg reflector is disposed under the Si lower electrode. - 特許庁

半導体分布ブラッグ反射器を構成するバンドギャップエネルギーの異なる半導体層１１，１３の間に中間の価電子帯エネルギーを持つヘテロスパイク緩衝層１２を設けた。例文帳に追加

A hetero-spike buffer layer 12 having an intermediate valence band energy is arranged between semiconductor layers 11 and 13, whose band gap energies are different and which constitutes a semiconductor distributed Bragg reflector. - 特許庁

ｐ型半導体分布ブラッグ反射器および面発光素子および面発光モノリシックアレイおよび電子写真システムおよび光通信システムおよび光インターコネクションシステム例文帳に追加

P-TYPE SEMICONDUCTOR DISTRIBUTION BRAGG REFLECTOR, SURFACE EMITTING ELEMENT, SURFACE EMITTING MONOLITHIC ARRAY, ELECTROPHOTOGRAPH SYSTEM, OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM AND OPTICAL INTERCONNECTION SYSTEM - 特許庁

ｎ型半導体分布ブラッグ反射器および面発光半導体レーザ素子および面発光レーザアレイおよび面発光レーザモジュールおよび光インターコネクションシステムおよび光通信システム例文帳に追加

N-TYPE SEMICONDUCTOR DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR, PLANE EMISSION SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, PLANE EMISSION LASER ARRAY, PLANE EMISSION LASER MODULE OPTICAL INTERCONNECTION SYSTEM, AND OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM - 特許庁

２結晶分光器として、同じブラッグ角２を有する第１結晶１及び第２結晶２を配置し、第２結晶２として非対称反射結晶を用いる。例文帳に追加

A first crystal 1 and a second crystal 2 having the same Brag angle are disposed as a double crystal spectrometer, and an asymmetrical reflection crystal is used as the second crystal 1. - 特許庁

多点ファイバ温度感知システムは、ブラッグ格子方式感知ケーブル・パッケージに光を伝達する光源と、反射信号を受ける検出器モジュールとを含んでいる。例文帳に追加

A multipoint fiber temperature sensing system includes a light source for transmitting light to a Bragg grating system sensing cable package, and a detector module for receiving a reflected signal. - 特許庁

リフトオフの際のマスクの変形を低減することにより、所望の形状を有する誘電体ブラッグ反射器を形成することが可能な面発光半導体レーザを作製する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for preparing a surface emitting semiconductor laser capable of forming a dielectric bragg reflector having a desired shape by reducing deformation of a mask in lift-off. - 特許庁

１０フェムト秒以下のパルス、あるいは、広い波長帯域にわたり同調可能な比較的長いパルスを提供するために、レーザをモードロックする際に用いるのに適した広帯域可飽和ブラッグ反射器を実現する。例文帳に追加

To realize a wide-band saturable Bragg reflector suitable for using on the occasion of mode-locking a laser, to provide a pulse not longer than 10 femtoseconds, or pulse tunable over a wide wavelength band and comparatively long. - 特許庁