ブラッグ反射鏡の英語

半導体分布ブラッグ反射鏡およびその製造方法および面発光型半導体レーザおよび光通信モジュールおよび光通信システム例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DISTRIBUTION BRAGG REFLECTING MIRROR, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, SURFACE LIGHT-EMITTING TYPE SEMICONDUCTOR LASER, OPTICAL COMMUNICATION MODULE AND OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM - 特許庁

上部ブラッグ反射鏡１５には、円孔（空孔）が存在しない点欠陥を中央部に有する２次元円孔配列２０が形成される。例文帳に追加

An array of holes 20 arranged two-dimensionally and having a point defect in the center without a hole is formed in an upper Bragg reflector 15. - 特許庁

垂直共振器面発光レーザを製造する方法は、基板に下側ブラッグ反射鏡を付着させる工程、活性層を付着させる工程、上側ブラッグ反射鏡を付着させる工程、及び活性層に電圧を加える電気的接点を形成する工程とを含む。例文帳に追加

The method for manufacturing a vertical resonator surface light-emitting laser includes a process for allowing a lower Bragg reflector to adhere onto a substrate, a process for allowing an active layer to adhere, a process for allowing an upper Bragg reflector to adhere, and a process for forming an electric contact for applying voltage to the active layer. - 特許庁

各メサ１００Ａ〜１００Ｄの第一多層膜ブラッグ反射鏡１０２Ａ〜１０２Ｄの熱抵抗値を異ならせ、各面発光レーザ１０Ａ〜１０Ｄから発振される波長を異なるものとしている。例文帳に追加

The first multilayer film Bragg reflectors 102A to 102D of the mesas 100A to 100D have different thermal resistance values so that the surface-emitting lasers 10A to 10D oscillate at different wavelengths. - 特許庁

高いドーピング濃度を必要とするｐ型半導体のコンタクト層を含むときにも、安定に成長できるコンタクト層を有し、かつ特性の悪化の無い半導体分布ブラッグ反射鏡を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor distribution Bragg reflecting mirror, with a characteristic that does not deteriorate, which comprises a contact layer that stably grows even when a contact layer of a p-type semiconductor requiring high doping concentration is contained. - 特許庁

半導体分布ブラッグ反射鏡、面発光型半導体レーザ並びにこれを用いた光送信モジュール、光送受信モジュール及び光通信システム例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DISTRIBUTION BRAGG REFLECTOR, SURFACE- EMITTING SEMICONDUCTOR LASER, OPTICAL TRANSMISSION MODULE, OPTICAL TRANSMITTER AND RECEIVER MODULE, AND OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM - 特許庁

特に０．７８μｍよりも短波長帯においてＡｌＧａＡｓ系材料よりも積層数を少なくでき、実用化に適した半導体分布ブラッグ反射鏡を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor distribution Bragg reflector with the number of lamination layers made fewer than that of AlGaAs material especially in wavelength bands shorter than 0.78 μm and suitable for practical use. - 特許庁

半導体分布ブラッグ反射鏡および面発光型半導体レーザおよび面発光型半導体レーザアレイおよび光通信システムおよび光書き込みシステムおよび光ピックアップシステム例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DISTRIBUTION BRAGG REFLECTOR, SURFACE LUMINESCENCE TYPE SEMICONDUCTOR LASER, SURFACE LUMINESCENCE TYPE SEMICONDUCTOR LASER ARRAY, OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM, OPTICAL WRITE-IN SYSTEM, AND OPTICAL PICK-UP SYSTEM - 特許庁